【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムまたはアルミニウム合金成形品の少なくとも一方の表面上に金属層を施すための、硫酸、およびニッケル、鉄およびコバルトからなる群から選択された金属イオンを含む前処理浴中でカソード活性化により該表面を前処理する工程、および該前処理された成形品に、電気めっきにより金属層を施す工程を含んでなり、該金属層が、ニッケル、鉄、コバルト、およびそれらの合金からなる群から選択される、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 （もっと読む）

耐食性に優れた希土類磁石の製造方法およびそれに用いるめっき浴を提供する。希土類元素を含む磁石素体に、ニッケルを含む第１保護膜と、ニッケルおよび硫黄を含む第２保護膜とを順に積層する。第１保護膜は、ニッケル源と、導電性塩と、ｐＨ安定剤とを含み、ニッケル源の濃度がニッケル原子単位で０．３ｍｏｌ／ｌ〜０．７ｍｏｌ／ｌであり、導電率が８０ｍＳ／ｃｍ以上の第１めっき浴を用い、電気めっきにより形成する。これにより希土類リッチ相の溶出が抑制され、ピンホールの生成が低減される。よって、耐食性が向上する。
（もっと読む）

【課題】フッ素樹脂基板、液晶ポリマー等の３００℃〜４００℃の高温加工プロセスを経て製造されるプリント配線板に適用出来る、高温加熱後の強度の劣化のないキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】 上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層に銅層の表面に異種金属層として硬質ニッケルメッキ層、コバルトメッキ層、ニッケル−コバルト合金メッキ層、２層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層、２層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層、３層のコバルトメッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層、３層の鉄メッキ層／硬質ニッケルメッキ層／コバルトメッキ層等を備える複合箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に表面多層めっき層を形成した材料について、高温雰囲気下で長時間経過後も低接触抵抗を維持することができる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】 Ｃｕ又はＣｕ合金からなる母材表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層からなる表面めっき層がこの順に形成され、かつ前記Ｎｉ層の厚さが０．１〜１．０μｍ、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、そのＣｕ濃度が３５〜７５ａｔ％、前記Ｓｎ層の厚さが２．０μｍ以下で、かつ０．００１〜０．１質量％のカーボンを含有する。Ｓｎ層の厚さが０．５μｍ以下の場合、多極の嵌合型端子用として用いたときに挿入力が低く、Ｓｎ層の厚さが０．５μｍを越える場合、リフローソルダリング等の加熱処理を受けた後でもはんだ濡れ性が確保されＪＢのような非嵌合型接続部品用として適する。 （もっと読む）

【課題】配線基板の電極と鉛フリーはんだの界面が応力により剥離するのを防止し、電気的接続を確実、強固に維持することが出来る長期信頼性に優れた配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】錫と銀の少なくとも２種の金属元素からなる、鉛を含まないはんだと接続されるための電極を有する配線基板の製造方法において、該電極は少なくとも（ａ）少なくともスルファミン酸ニッケル４水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、電解ニッケルめっきを行う工程、または、（ａ）少なくとも硫酸ニッケル６水和物、塩化ニッケル６水和物、ホウ酸を含む水溶液をニッケルめっき液とし、液温４０〜５５℃にて、７０ｍＡ／ｃｍ^２よりも大きいカソード電流密度で電解ニッケルめっきを行う工程、のいずれかと、（ｂ）電解金めっきを行う工程、
により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホウ酸を含まなくとも電子部品の電気特性を損なうことがなく、かつはんだ濡れ性の低下を招くことのないニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、及びスルファミン酸ニッケルの中から選択された少なくとも１種のニッケル化合物と、ホウ酸の代替物質としてグルコン酸等のオキシモノカルボン酸、リンゴ酸等のオキシジカルボン酸、グルコヘプトノラクトン等のラクトン化合物、及びこれらの塩の中から選択された少なくとも１種を含有し、水素イオン指数ｐＨが２〜７に調製されている。
（もっと読む）

本発明によるサテンニッケル皮膜の析出のためのめっき浴は少なくとも１つの第４級アンモニウム化合物と少なくとも１つのポリエーテルを含み、少なくとも１つのポリエーテルは少なくとも１つの強疎水性側鎖を有する。先行技術のめっき浴と比較して、この酸めっき浴は、操業期間、または加熱および冷却サイクル、またはろ過サイクルを延ばすことができ、活性炭を用いずに浴を連続的に操業するのに必要なろ過を行なうことができ、サテン光沢仕上げを生成するのに先行技術の浴よりも低いニッケルの濃度しか必要とせず、投入されている湿潤剤に対する浴の鋭敏性を低減させることができる利点を有する。 （もっと読む）

【課題】 小型又は低比重部品をバレルメッキするに際して、ニッケル皮膜を均一に形成できるメッキ浴を開発する。
【解決手段】 脂肪族アルコール類又はエーテル類であって、エチレンオキシド又はプロピレンオキシド単位を１〜４個繰り返し、両端に水素又はＣ₁〜Ｃ₄アルキル基かＣ₁〜Ｃ₂アルキル基を有する、２−メトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコール、１,２−ジメトキシエタンなどのようなオリゴ分子的な特定の化合物をニッケルメッキ浴に添加してバレルメッキを行うと、メッキ浴に浮遊するような小型又は低比重部品が多い電子部品に対しても濡れ性が改善されて、均一にニッケルメッキ皮膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 金属にカーボンナノ材料を複合する複合めっきにおいて、表面を平滑に仕上げることのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 実施例１では（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ）とするとともに、界面活性剤は、ポリアクリル酸を採用した。
【効果】 めっき層の表面粗さを従来の表面粗さの約１／５０まで改善することができる。したがって、本発明によれば、カーボンナノファイバを含む複合めっきであるにも拘わらず、平滑な表面が得られるので、カーボンナノファイバ混入に基づいて熱的特性及び電気的特性に優れ、外見性の良いめっきを金属材料に施すことができる。
この結果、カーボンナノファイバを含む複合めっきの用途を飛躍的に拡大させることができる。 （もっと読む）

【課題】 微細化、狭ピッチ化が進んでいるコンタクトプローブとして使用可能なニッケルバンプを、湿式めっきプロセスを用いて形成する方法を提供すること。
【解決手段】 微小開口部を有するフォトレジストで被めっき基板を被覆し、次いで当該被めっき基板を、添加剤として次の式（Ｉ）、
【化１】


（式中、Ｒ_１は水素原子または水酸基を示し、Ｒ_２は水素原子またはビニル基を示す）
で表されるピリジニウムプロピルスルホネートまたはその誘導体を含有するニッケルめっき浴により電気めっきし、前記微小開口部部分にニッケルめっき皮膜を析出させることを特徴とするマイクロバンプの形成方法。 （もっと読む）