【課題】伸び率が８％以上と高いニッケル電気めっき膜およびその製法を提供する。
【解決手段】めっき浴における硫酸ニッケル（六水和物）と塩化ニッケル（六水和物）との混合比〔硫酸ニッケル（六水和物）／塩化ニッケル（六水和物）〕をｇ／Ｌ基準で２５０／５０〜１９０／１１０の範囲内に設定することにより、形成されるニッケル電気めっき膜を、ビッカース硬さが２１０以下、平均結晶粒径が２．５μｍ以上、Ｘ線回折により求められる（１１１）面１のピーク強度〔Ａ〕と（２００）面２のピーク強度〔Ｂ〕の比〔Ａ／Ｂ〕が３以上、伸び率が８％以上のニッケル電気めっき膜にする。 （もっと読む）

金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 （もっと読む）

【課題】熱処理法や加熱法を用いないで、めっき膜を強化することのできる複合めっき技術を提供することを課題とする。
【解決手段】めっき液を（水＋硫酸ニッケル＋塩化ニッケル＋ほう酸＋光沢剤＋界面活性剤＋カーボンナノファイバ＋ＳｉＣ微粒子）とした。
【効果】硬質微粒子を添加したことにより、所望の機械的性質を得ることができる。硬質微粒子を添加することでカーボンナノファイバの添加量を大幅に減少させることができる。カーボンナノファイバの添加量が少なければ、めっき膜の平滑性を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】希土類磁石などの導電性素材の表面に、密着性、耐食性および耐熱性に優れた保護膜を、希土類磁石などの導電性素材を腐蝕することなく形成できるめっき液を提供すること。
【解決手段】ニッケル塩化合物と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物と、を含み、ｐＨが８〜１２であるめっき液。前記ニッケルイオンと前記アミン化合物とのモル比が、前記アミン化合物の前記ニッケルイオンへの配位数の１．０〜３．０倍であり、また、前記アミン化合物は、ニッケルイオンと錯体形成する際における第一段階反応の逐次生成定数Ｋ_１が、Ｋ_１＝４．０〜１５．０の範囲にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】めっき成長を極力抑制することができ、かつ良好な平滑性を有するニッケル皮膜と良好なアノード溶解性を有するニッケルめっき液を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき液が、硫酸ニッケルを主成分とするニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンのモル濃度ｘが１．７１mol／Ｌ以上であって、ニッケルイオンのモル濃度ｘとハロゲンイオンのモル濃度ｙとのモル濃度比ｘ／ｙが３．０＜ｘ／ｙ≦１０．０である。このニッケルめっき浴を使用して電解ニッケルめっきを施し、外部電極６ａ、６ｂ上に良好な平滑性を有するニッケル皮膜７ａ、７ｂが形成し、その後電解スズめっきを施してニッケル皮膜７ａ、７ｂ上にスズ皮膜８ａ、８ｂを形成する。
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【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素体表面にめっき阻止用被覆処理を施すことなく、めっき伸びを回避し得るめっき方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎを含有するセラミック材料から構成された素体２と、素体２の表面に互いに間隔を隔てて配置された複数のめっき下地膜４１とを含むセラミック電子部品１を用意する。そして、Ｚｎイオン濃度を０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下に管理しためっき液５３でセラミック電子部品１に電気めっきを行い、めっき下地膜４１の表面にめっき膜４３を析出させる。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法による金属薄体の製造方法において、金属薄体の（１１１）面の相対積分強度を６５％以上に高めることができる製造方法を提供する。
【解決手段】５ｖｏｌ％以上のアセトニトリルと水を含む電解液（めっき液）、特に１０ｖｏｌ％以上のアセトニトリルと水を含む電解液（めっき液）を用いて電気めっきすることにより、（１１１）面の相対積分強度６５％以上に高めることができる。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

【課題】たとえば半導体装置およびプリント回路基板のような基体の、種々のサイズの開口を、実質的に空隙なく充填することができ、さらに密集した非常に小さい開口の領域と開口のない領域とを、段高さの差が１μｍ未満であるように平坦にメッキできる平滑化剤を提供する。
【解決手段】電解液に加える平滑化剤は、重合単位としてエチレン性不飽和窒素含有ヘテロ環式モノマーを含むポリマー平滑化剤で、さらに重合単位として（メタ）アクリレートモノマーおよびエチレン性不飽和架橋剤を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】陽極として不溶性陽極を使用した場合においてもプリント配線板用銅箔に連続的に安定しためっきを施すことができ、かつ、環境への負荷を低減することができるニッケルめっき液とその製造方法およびニッケルめっき方法、並びにプリント配線板用基材との接着性が良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔７は、硫酸ニッケルを１００ｇ／Ｌ以上２００ｇ／Ｌ未満と、クエン酸ナトリウムを１０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ未満又はクエン酸を８ｇ／Ｌ以上２５ｇ／Ｌ未満とを水に溶解させ、塩化ニッケルを添加せず、ｐＨが２以上４未満となるように調製して製造したニッケルめっき液を使用し、陽極として不溶性陽極を使用するニッケルめっき方法により施されたニッケルめっき層（ニッケル−コバルト合金めっき層３）を有する。 （もっと読む）

【課題】銅板材に連続的なめっきを実施する場合に生じる品質的な欠陥を防止でき、かつ設備・維持コストが安価にできる、銅板材に適しためっき装置とめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき装置１０は、電解脱脂槽１（脱脂用電極１ａ、電解脱脂浴１ｂ）と、電解溶解槽２（溶解用電極２ａ、電解溶解浴２ｂ）と、電解めっき槽３（めっき用電極３ａ、電解めっき浴３ｂ）と、銅板材１１を巻戻すアンコイラー４と、銅板材１１を巻取るリコイラー５と、脱脂用電極１ａと結線された第１の正極６ａ及び溶解用電極２ａと結線された第１の負極６ｂを有する第１の電源６と、溶解用電極２ａと結線された第２の負極７ｂ及びめっき用電極３ａと結線された第２の正極７ａを有する第２の電源７とを備え、銅板材１１と直接接触するコンタクトローラを備えていない。 （もっと読む）

【課題】金色外観を示すめっき皮膜を、高価なＡｕを用いず、かつ有色塗料の塗布等の煩雑な工程を経ることなく、表層のＳｎめっき膜により得る。
【解決手段】 表層めっき層として、Ｓｎイオン、および電解消費型添加剤を有する化合物を含むめっき液を用いて、Ｓｎを主成分とするめっき層を形成し、２３０〜３５０℃の温度にて熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気化学的表面処理において金属廃液の削減と、付き周りが良くピンホールの無い高品位な金属皮膜を、容易に実現させる。
【解決手段】金属塩を含む水溶液と疎水性溶媒の共存下に被対象物に表面処理を行うことを特徴とし、ここで表面処理とは電解めっき、化学めっき、電鋳、陽極酸化、電解研磨、電解加工、電気泳動塗装、電解精錬および化成処理からなる群から選択される、表面処理方法。 （もっと読む）

【目的】本願発明の解決しようとする課題はプラズマディスプレイ電磁波シールド用銅箔で特に強く要求される特性、銅箔のラミネート面が黒色であること、銅箔が超低粗度であること、銅箔のラミネート面の平滑性が高いこと、以上3点の特徴を有したプラズマディスプレイ電磁波シールドフィルター用銅箔及びその製造方法を提供する事にある。
【解決手段】銅箔の少なくとも一方の面に粗化粒子大きさ0.6μm以下の銅-錫からなる粗化粒子からなる粗化処理層を施し、且つ、粗面粗度Rzを1.5μm以下に調整する事で、JIZ Z 8729に記載の色の表色系L^*a^*b^*のL^*が30以下であり、且つ、JISZ8471に基づきGs(85°)で測定した鏡面光沢度が80以上である、黒色、超低粗度、高い平滑性という特徴を有したプラズマディスプラレイ電磁波シールドフィルター用銅箔及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増加させずに耐食性に優れたコーティング膜、コーティング膜で被覆された物品及び耐食性コーティング方法を提供する。
【解決手段】ＣＯ２及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行い、基板Ｗの表面にＮｉ膜を形成する。この電解めっきの完了後、Ａｕめっき液をめっき槽６１に供給して、無電解めっきを行う。すなわち、表面のＮｉと、Ａｕめっき液に含まれるＡｕとが置換されて、Ｎｉ膜上に、Ａｕ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】ＣＯ２、分散促進剤及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、ＣＯ２は供給したままで、分散促進剤とＮｉめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部６０及びめっき槽６１が洗浄される。次に、ＣＯ２は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とＡｕめっき液が供給される。これにより混合分散部６０で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽６１においてめっきが行われて、Ｎｉ膜の上にＡｕ膜が積層した多層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、微細な溝や孔などのパターンの部位にメソポーラス金属膜を、制御された状態で、定常的に、均一に形成する方法を提供することである。
【課題を解決する手段】
リオトロピック液晶を形成する界面活性剤に、純水に溶解した金属イオン源を加えた溶液を作成し、その溶液を水溶性の揮発性有機溶媒で希釈し、その希釈した溶液を基板に塗布して、前記溶媒を揮発させ、リオトロピック液晶を形成させ、形成されたリオトロピック液晶の周囲に存在下において金属を析出させてから、前記リオトロピック液晶を除去することを特徴とするメソポーラス金属膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れ、しかも、繰り返しめっき処理を行った場合でも、めっきの初期段階に使用する銅めっき液の劣化を有効に防止することができ、密着性の高い保護膜を安定して形成可能な磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含む第１めっき液と、銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物を少なくとも含み、前記第１めっき液とは別の第２めっき液と、を準備する工程と、希土類を含む磁石の表面に、前記第１めっき液を用いて電解めっきを行い、第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜が形成された前記磁石の表面に、前記第２めっき液を用いて電解めっきを行い、前記第１保護膜とは別の第２保護膜を成膜する工程とを有することを特徴とする磁石の製造方法。 （もっと読む）

【課題】被めっき物上の導電部以外の部位へのめっき成長を極力抑制することができ、かつ良好なはんだ濡れ性を確保することができるニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。
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