説明

Fターム[4K024CA16]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ条件 (2,992) | その他のメッキ条件 (129)

Fターム[4K024CA16]に分類される特許

121 - 129 / 129


【課題】 加速管の共振周波数を略一定にでき、安価にかつきれいに製造できる加速管の製造方法を提供する。
【解決手段】 円筒状のスペーサと有孔円板状のディスクを交互に複数個重ね合せて管構造45とした後、管構造45の外周に電鋳層を形成し一体化した素管を備えた加速管の製造方法において、管構造45を無機材料からなる本体無機電鋳液41に浸漬させ、供試体55を本体無機電鋳液41と略同一の液組成を有する供試体無機電鋳液51に浸漬させた後、管構造45および供試体55で同一の電流密度によって電鋳を開始し、供試体55の電着応力を随時計測し、その計測値と目標電着応力との偏差に応じて電流密度を増減させて電鋳を進行させることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
スズめっき層をフュージング処理してもボイドが発生し難く、且つエッチング性が良い銅箔を提供すること。
【解決手段】
未処理銅箔中のCl含有量が30ppm未満である銅箔。電解液としてClイオン濃度が2.0mg/l以下、タンパク質濃度が0.5mg/l以下の硫酸−硫酸銅水溶液を用いて電解する銅箔の製造方法。未処理銅箔中のCl含有量が30ppm未満で、該未処理銅箔の両表面のうち少なくともスズめっき層の形成される表面が、該表面をX線回折分析して得られた回折線のうち(200)面の回折線の相対ピーク強度をI(200)、(111)面の回折線の相対ピーク強度をI(111)としたときに前記I(200)を前記I(111)で除して算出される相対強度比I(200)/I(111)が0.20以下である銅箔。 (もっと読む)


【課題】 めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また傷発生のない、極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性微粒子の製造方法、及び、樹脂微粒子の表面に錫/銀合金めっき層が形成された導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】 粒子径10〜1000μmの導電性微粒子の製造方法であって、めっき槽内に回転可能なバレルを有するバレルめっき装置を用いてバレルをめっき液に浸漬させた状態で回転させつつ被めっき微粒子の表面にめっき層を形成するものであり、前記バレル4内に前記被めっき微粒子9と前記被めっき微粒子9よりも粒子径が大きなダミー粒子8とを入れ、前記バレル4を振幅0.05〜3.0mm、周波数20〜120Hzで振動させながらめっき層を形成させる導電性微粒子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】目的物質を均一に電解生成可能であるとともに、目的物質の電解生成速度を、電解浴容積を大きくすることなく増加させることができる、パルス電解による物質の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】短パルス電解では、短パルスP1の立ち上げ後(時間tS)、陰極界面に拡散層が発生する前(t≦tD)に、短パルスの立ち下げが完了する(時間tE)。 (もっと読む)


【課題】 はんだ付け性の劣化、接着強度の低下、接触抵抗の増大を引き起こすことがない、端子部品の表面処理膜、及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】 不活性雰囲気で、スズからなる第一のめっき膜と、厚さが50nm以下で、スズより卑な金属を含む第二のめっき膜を、端子部品表面に順次形成する。第二のめっき膜は、スズよりも卑な金属を含むので、第一のめっき膜よりも容易に酸化されるが、その酸化物層により下地の第一のめっき膜の酸化防止が可能で、はんだ付け性などが向上する。第二のめっき膜の酸化物層は薄いので、通常のフラックスの処理で支障なくはんだ付けができる。 (もっと読む)


【課題】めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また、めっき剥がれが生じることがなく、粒径の小さい被めっき微粒子に対して均一なめっき層を形成することができる導電性微粒子の製造装置、導電性微粒子の製造方法、及び導電性微粒子を提供する。
【解決手段】表面に電気めっき層が形成された導電性微粒子の製造装置であって、めっき槽とめっき槽内に浸漬した状態で回転可能なバレル(5)と陰極と陽極とを備え、陰極(9)はバレルの内壁に配設され、バレルは容量が10〜300mlであり、めっき液のみが通過可能なように被めっき微粒子の粒径未満の孔径のフィルター(7)を有し、バレル内にめっき液を強制的に供給しながら又はバレル内からめっき液を強制的に抜き出しながら電気めっきを行い得る手段を有する導電性微粒子の製造装置、好ましくは陰極(9)はバレルの回転軸(20)と平行に設けられたバレル側面の内壁に配設される製造装置。 (もっと読む)


【課題】ダマシン配線に含まれる不純物の濃度を低下させて、配線中の欠陥を低減させる事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハW上の層間絶縁膜1に幅が0.3μm以下の細幅配線溝1a及び幅が0.3μmを超える太幅配線溝1bを形成する。層間絶縁膜1上にバリアメタル膜2及びシード膜3を形成する。その後、細幅配線溝1a全体に埋め込まれ、かつ太幅配線溝1bの一部に埋め込まれるように膜4を電解めっき法により形成する。太幅配線溝1bの他の部分に埋め込まれるように膜4よりも不純物濃度が低い膜5をスパッタ法により形成する。熱処理により膜4中の不純物を膜5中に拡散して、配線膜6を形成する。最後に層間絶縁膜1上の不要なバリアメタル膜2及び配線膜6を除去し、細幅配線と太幅配線を形成する。 (もっと読む)


本発明は構造化硬質クロム層の生成方法に関し、該方法において、クロムは電解質から被加工物上に析出され、該電解質は、a)50g/L〜300g/Lの無水クロム酸に相当する量のCr(VI)化合物と、b)0.5g/L〜10g/Lの硫酸と、c)5g/L〜15g/Lの、1〜6個の炭素原子を有する脂肪族スルホン酸とを含む。電解質は、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸のアルカリ金属塩、モリブデン酸のアルカリ土類金属塩、バナジウム酸アンモニウム、バナジウム酸のアルカリ金属塩、バナジウム酸のアルカリ土類金属塩、ジルコン酸アンモニウム、ジルコン酸のアルカリ金属塩およびジルコン酸のアルカリ土類金属塩より選択される化合物のいずれも実質的に含まず、12%以下のカソード電流効率で処理される。本発明は、コーティングの生成方法、構造化硬質クロム層、コーティングおよび電解質にも関する。
(もっと読む)


外観の明度、色度が小さく且つ模様やムラが少ない、ディスプレイ前面の電磁波シールド用途に優れた銅箔及びそれを用いて製造される電磁波シールドフィルタを提供する。
銅箔表面に、銅、コバルト及び亜鉛からなる着色層を形成することにより、表面の明度がL*で1〜20、色度がa*、b*で各々+5から−5の電磁波シールドフィルタ用銅箔を製造する。得られた電磁波シールドフィルタ用銅箔は、外観に模様やムラが少なく、この電磁波シールドフィルタ用銅箔を用いたディスプレイ前面の電磁波シールドフィルタは、外観に優れディスプレイの視認性が良好である。 (もっと読む)


121 - 129 / 129