【課題】ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる酸性銅めっき前処理剤ならびにその前処理剤を使用しためっき方法を提供する。
【解決手段】次の成分（Ａ）ないし（Ｃ）（Ａ）有機酸または無機酸、（Ｂ）酸性銅めっき用添加剤、（Ｃ）還元剤を含有することを特徴とする酸性銅めっき用前処理剤および酸性電解銅めっきを行うに先立ち、被めっき物を上記の酸性銅用前処理剤に浸漬する銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】活性化された酸素を含む照射処理をした後でも、レジストパターンが開口しているシード層、あるいは、金属構造体の表面に対し、メッキの堆積が均一で、且つ、制御性よく行えるようにする。
【解決手段】Ｏ₂プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。この有機物の残渣の処理において、シード層１０３の上にシード層１０３を構成している金の酸化物などからなる表面層１０３ａが形成される。この表面層１０３ａを、塩酸溶液などの酸の溶液（ｐＨ３以下）による浸漬処理（表面処理）を１分間行うことで除去する。 （もっと読む）

【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを効果的に防止でき、特に、半導体チップ等を搭載させた場合にも、位置合わせや抵抗増加の問題が生じないプリント配線板用基材、銅張積層板およびフレキシブル銅張積層板ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性１２、１３を有する表面に、複数の金属めっき層１６、１７、１８を積層し、かつこれら複数の金属めっき層を、少なくとも表層１８のエッチングレートが基材表面に接触している底層１６よりも小さいプリント配線板用基材１とした。また、プラスチックフィルム１１の導電性を有する表面に、プラスチックフィルムから露出表面に向けて銅よりもエッチングレートの小さい金属を漸次または段階的に多く含有する金属めっき層１６、１７、１８を形成したフレキシブル銅張積層板１とした。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】
ビアランドパッドや回路配線の上部稜線部の丸みをなくし、上面を平坦に形成しながら、均一なめっき回路基板を作製することのできる技術を開発すること。
【解決手段】
少なくとも銅イオン、有機酸あるいは無機酸、塩素イオンを含有する酸性銅めっき基本組成に、銅めっき析出抑制剤および光沢化剤を添加した酸性電解銅めっき液であって、更に還元剤を添加した酸性電解銅めっき液および当該酸性電解銅めっき液を用い、電気めっきにより被めっき物上のレジストで形作られた配線回路部分に銅を充填する微細配線回路の作製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードの表面に形成するめっき膜に発生するウィスカーを防止できる技術を提供することにある。特に、錫を主材料とし、かつ、鉛を含有しないめっき膜において、ウィスカーの発生を防止できる技術を提供する。
【解決手段】リードの表面上に形成されるめっき膜において、めっき膜を構成する錫の面方位のうち特定の面方位がリードの表面に並行するようにめっき膜を形成する。具体的には、錫の（００１）面がリードの表面に並行するようにめっき膜を構成する。これにより、リードを構成する銅の線膨張係数よりもめっき膜を構成する錫の線膨張係数を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】プレス加工時等の加工性を良好に保ちつつ、接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられて長寿命の可動接点が得られ、さらに製品の歩留まりの飛躍的な向上を図ることができる、可動接点用銀被覆複合材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動接点用銀被覆複合材料１００は、鉄またはニッケルを主成分とする合金からなる基材１１０と、基材１１０の表面に形成されたニッケル、コバルト、ニッケル合金およびコバルト合金の何れか１つからなる下地領域１２０と、下地領域１２０の上に形成された銅または銅合金からなる中間層１３０と、中間層１３０の上に形成された銀または銀合金からなる最表層１４０とを備え、中間層１３０が基材１１０の表面と直接接するように、下地領域１２０の一部に下地欠落部１２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
複数のビアへの、めっき加工による金属の充填を、凹凸を生じさせず、かつ、並行して行うことができる技術を提供する。
【解決手段】
めっき加工で使用されるめっき浴は充填速度を抑制する抑制剤を含んでおり、
金属の充填を行う前に、抑制剤が基板表面に定着する電圧値で、基板に電圧を印加し、金属の充填を行う電圧値で、基板に電圧を印加し、複数種のビアへの金属の充填を継続中、複数のビアのうち、いずれかが予め定めた状態まで充填されたとき、金属の充填を行う電圧値より高い電圧値（ストライク電圧）を、予め決められた時間、基板に印加し、目標の数のビアが目的の状態に充填されたとき、基板への電圧の印加を終了する。 （もっと読む）

【課題】 連続的で長い低熱膨張線状体を簡便に製造することができる低熱膨張線状体の製造方法を提供する。
【解決手段】 芯材として低熱膨張特性乃至負の線膨張係数を有する繊維材料１１を用意し、この繊維材料１１上に前記低熱膨張特性を有する、繊維材料１１よりは大きな線膨張係数で正の線膨張係数を持つ導電性材料１６をめっきする低熱膨張線状体の製造方法において、負の線膨張係数を有する芯材としての繊維材料１１を送り出し用ボビン１２に巻いて送り出し、この送り出された前記繊維材料を電解液が入っためっき槽１３内に配置されるめっき治具１５に掛け渡し、前記めっき槽１３内で前記繊維材料１１に正の線膨張係数を持つ導電性材料１６をめっきし、このめっきされた低熱膨張線状体１８を巻取り用ボビン１９に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】薄膜金属導電線を製造するに際して、ボイドまたはシームの発生を防止し、エッチング時にアンダーカット現象を防止することができる薄膜金属導電線、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にシード金属層を形成する段階と、シード金属層の表面に第１フォトレジスト層を形成し、第１フォトレジスト層をマスクとして金属導電線パターンを形成する段階と、第１フォトレジスト層を除去した後、金属導電線パターンから一定の間隔、特に、０．１〜２μｍの間隔をもって第２フォトレジスト層を形成する段階と、電解メッキを利用して金属導電線パターンを取り囲む保護膜を形成する段階と、第２フォトレジストを除去し、シード金属層の露出される部位を除去するためにエッチングする段階と、を有してなっている。 （もっと読む）

半導体集積回路デバイス基板のシリコン貫通ビアフィーチャー（through silicon via feature）を金属被膜する方法であって、ここで前記半導体集積回路デバイス基板を銅イオン源、有機スルホン酸あるいは無機酸、あるいは分極剤および／あるいは減極剤から選ばれる１つあるいはそれ以上の有機化合物、および塩素イオンからなる電解銅堆積組成物に浸漬することからなる。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの損傷を防止でき、かつ、均一な厚みのめっき層を形成することのできる、配線回路基板の製造方法およびめっき装置を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２と、ベース絶縁層３と、導体パターン４、めっきリード７およびアライメントマークとを備える長尺基材１を長手方向に沿って搬送しながら、導体パターン４より幅方向外側において直線状に形成される接触リード３７と対向配置されるロール電極４３を回転させながら、そのロール電極４３を接触リード３７に接触させて給電して、導体パターン４を電解めっきして、導体パターン４の表面に電解めっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し且つ低挿抜性であるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金の表面に下地Ｎｉめっき層、中間Ｓｎ−Ｃｕめっき層及び表面Ｓｎめっき層を順に有するＳｎめっき材であって、下地Ｎｉめっき層はＮｉ又はＮｉ合金で構成され、中間Ｓｎ−Ｃｕめっき層は少なくとも表面Ｓｎめっき層に接する側にＳｎ−Ｃｕ−Ｚｎ合金層が形成されたＳｎ−Ｃｕ系合金で構成され、表面Ｓｎめっき層はＺｎを５〜１０００質量ｐｐｍ含有するＳｎ合金で構成されるＳｎめっき材。 （もっと読む）

本発明は、板金部材を製造するための方法であって、熱延又は冷延鋼帯が溶融浸漬めっき又は電解めっきされ、めっきされた熱延又は冷延鋼帯はフレキシブルロール圧延処理され、フレキシブルロール圧延処理中、異なるロール圧力によって、鋼帯が肉厚の異なる板金となるようにフレキシブルロール圧延され、めっき時に、前記フレキシブルロール圧延後の板金肉厚に対応して、また、前記フレキシブルロール圧延時のロール圧力に対応して、異なる厚さのめっき層が形成され、その際、ロール圧力に応じ、ロール圧力の高まりが予測されると、めっき層厚さを厚く形成する処理、又は前記めっき層に対して、前フレキシブルロール圧延の前又は後に所望の放射率又は熱吸収率を付与するための機械的又は化学的表面処理、あるいはその両方の処理が施される。
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【課題】ウエハ毎に表面積が異なる場合であっても、製品毎の成膜処理を簡便化し、レシピ管理等の管理負荷を軽減する。実効的な表面積に応じて適当な成膜条件を決定し、精度良く成膜を行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、凹部の設けられた半導体基板表面の反射率を成膜前に測定する工程と、測定された前記反射率に対応する成膜条件を表す成膜パラメータを決定する工程と、前記成膜パラメータに対応する条件下で前記半導体基板に成膜する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 膜厚ばらつきを大きくすることなく、めっき効率を大きく向上させることが可能である電解バレルめっき方法を提供する。
【解決手段】 給電端子を備える容器中に被めっき物および導電性メディアを投入し、前記容器をめっき金属イオンを含むめっき液に浸漬し、前記容器を攪拌しながら通電することによりめっき膜を形成する電解めっき方法において、前記めっき金属の主成分が、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕから選ばれる少なくとも１種、またはそれらの合金であり、前記導電性メディアの表面の主成分がＺｎまたはＺｎの合金である。 （もっと読む）

【課題】配線基板又は半導体回路におけるブラインドビアやトレンチの穴埋め状況を効率よくモニターしながら電気めっきする方法は存在しなかった。
【解決手段】モニター用器具として、デイスク電極８とそれを中心として回転する回転リング７とから構成される回転リングデイスク電極６を設け、この両電極間にＰ−Ｒパルス電流１１を印加し、このときのリング電極電位をＳＰＳ（促進剤）が酸化しない電位領域に固定し、リング電極を流れる電流信号を測定して添加剤と一価銅とが作る促進錯体をモニターする配線基板または半導体回路の電気銅めっき液のモニター方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性に併せて、耐酸化性及び耐アルカリ腐食性に優れた電池ケースの放熱用仕切り板を提供する。
【解決手段】複数の単電池を積層して収納する電池ケースにおいて隣接する単電池を仕切る放熱用仕切り板１であって、表面処理皮膜を有するアルミニウム基材からなり、単電池の積層方向に沿った厚さδ（ｍｍ）と、当該積層方向に対して直交する方向に沿った長さＬ（ｍｍ）とを有し、当該長さ方向に沿って貫通する一つ以上の通風孔Ｄを備え、当該通風孔の前記積層方向における最大幅をＦ（ｍｍ）、通風孔の前記積層方向に沿った断面積をＳ（ｍｍ^２）としたときに、Ｆ／δ≦０．６、かつ、３≦Ｌ／Ｓ≦４５であることを特徴とする放熱用仕切り板。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、めっき層１６にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なるめっき部材を得る。
【解決手段】基材１５の表面に鉛フリーの材料（Ｓｎ−Ｃｕ合金等）からなるめっき層１６を有するめっき部材において、前記めっき層１６は２層以上の層構造（ａ１〜ａ３）とされており、各層を形成するめっき粒子（Ｐ１〜Ｐ３）の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつ単位体積２０を最大平均粒径のめっき粒子Ｐ３で充填したと仮定したときの単位体積に対するめっき粒子が占める割合をめっき粒子体積率１００％と定義したときに、前記めっき層１６のめっき粒子体積率を８０〜９０％とする。 （もっと読む）