【課題】磁石とめっき液との接触を防止するとともに、磁石を被めっき物の近傍に配置することができるめっき用治具を提供する。
【解決手段】本発明のめっき用治具２Ａは、開口部１０Ｇを有する第１の絶縁板１０と、被めっき物Ｐが開口部１０Ｇから外部に臨むように該被めっき物Ｐを第１の絶縁板１０との間で挟持する第２の絶縁板２０と、開口部１０Ｇの周縁に位置して第１の絶縁板１０と被めっき物Ｐとの間に介在して設置された内側シール３０と、被めっき物Ｐの外側に位置して第１の絶縁板１０と第２の絶縁板２０との間に介在して設置された外側シール４０と、内側シール３０と外側シール４０とによってシールされた空間内において被めっき物Ｐに電気的に接続する伝導体５０と、内側シール３０と外側シール４０とによってシールされた空間内に配置され被めっき物Ｐを挟んで対向するＮ極とＳ極とを有する磁場形成体６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリアミド樹脂成形体を有する構造部材（樹脂ブラケット等）において、そのポリアミド樹脂成形体が、水分や塩化カルシウム等と接触しないようにすることができる構造部材およびそれを用いた防振装置を提供する。
【解決手段】ポリアミド樹脂を主成分とし繊維状補強材を含有するコア層２１が、ポリアミド樹脂を主成分とするスキン層２２により被覆された樹脂ブラケット２と、この樹脂ブラケット２の表面に被覆されているめっき膜１とを備え、上記樹脂ブラケット２のスキン層２２の表面が、スキン層２２内に含有された、酸，アルカリ，水または有機溶剤に溶解する溶解性成分６の溶解跡の穴部６ａの存在により粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】半導体層の表面に絶縁膜を介して形成された金属薄膜からなる金属基体の表面に電気めっきする際に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、金属粉末を前記金属粉末が溶解しなくなる量以上に添加して分散させた電気めっき液及び界面活性剤を含み、超臨界状態又は亜臨界状態で誘導共析現象を利用して電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアがほぼ充填した段階で表面に付着した光沢剤を薬品あるいはプラズマで除去し、再度、前処理および、めっきを行なうことにより、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアフィルめっき液の特性、表面のめっき析出を抑え、ビア内の析出を促進するという特性を利用し、浅いビアが埋まった時点で光沢剤効果をリセットすることにより、複雑な工程を追加することなく、深さの異なるビアをフラットに充填する。 （もっと読む）

【課題】金属基体の表面に電気めっきする際に、金属基体の溶解を防止して極めて薄い金属基体であっても正常に電気めっきできるようにした電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に電気めっきする際に、電気めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で電気めっきを行う。そうすると、電気めっき液１９中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体２２の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象を利用して短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。本発明の電気めっき方法は、金属基体２２が基板上に設けられた絶縁膜の表面に形成された金属薄膜からなる場合であっても、前記金属が銅、亜鉛、鉄、ニッケル、コバルトの場合であっても適用可能である。また、本発明の電気めっき方法は超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用した電気めっき方法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】感光性デバイス上の電気的接触部をめっきする方法、太陽電池上の電気的接触部をめっきする方法を提供する。
【解決手段】太陽電池などの、半導体ウェーハ１０の裏面１１は例えば銀などで金属化し、前面１２はバスバー１４および電流収集線１５からなる金属パターンを銀含有伝導性ペースト上に堆積された銀の層から構成する。金属パターンは前面とオーム性接触をしている。ウェーハ前面は、例えば窒化ケイ素または他の誘電体材料をはじめとする反射防止コーティングでコーティングし、半導体ウェーハを入射光に付させながら、シアン化物非含有めっき浴を用いて、金属層、特に銀層が焼成伝導性ペースト上に堆積される。ウェーハ裏面は電源からめっきセルに電位を適用することによって、ウェーハ前面と裏面に同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】めっき膜に生じる異常析出を、単位時間当たりの基板処理枚数に影響を極端に及ぼさない範囲で、効果的に防止・抑制することができるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】金属イオンを含んだめっき液Ｑに半導体ウェーハ３とアノード５とを浸漬し、半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を流すことで半導体ウェーハ３の被めっき面３ａに金属めっきを行う。半導体ウェーハ３とアノード５間への電流供給をそのめっき膜厚が１〜２０μｍとなるまで連続して行なった後に１秒〜２分間停止する工程を、複数回繰り返し行う。その間、被めっき面３ａ近傍部分のめっき液Ｑをパドル９によって攪拌する。 （もっと読む）

【課題】外殻部にＤｙが濃縮された主相結晶粒をＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石体の内部にも効率よく形成し、残留磁束密度の低下を抑制しつつ保磁力を向上させる。
【解決手段】本発明によるＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法では、軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ₂Ｆｅ₁₄Ｂ型化合物結晶粒を主相として有する少なくとも１つのＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石体を用意する。次に、有機溶媒およびＤｙイオンを含むめっき液中で電解めっきを行うことにより、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石体の表面にＤｙを電析させる。その後、Ｄｙが表面に電析したＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱することにより、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系希土類焼結磁石体の内部にＤｙを拡散させる。 （もっと読む）

２．８８９５±０．００２５Åの格子定数を有する結晶質クロム堆積物、および該結晶質クロム堆積物を含む物品。結晶質クロム堆積物を含む物品は、該結晶質クロム堆積物が｛１１１｝の優先方位を有する。基材上に結晶質クロム堆積物を電析させるための方法は、３価クロムおよび２価硫黄源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電気めっき浴を提供する工程；基材を該電気めっき浴に浸漬する工程；および該基材上に結晶質クロム堆積物を析出させるために電流を付与する工程を包含し、該クロム堆積物は、析出したときに結晶質である。
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【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０を構成する基材１１の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜１３が形成されている。錫合金としては、例えば錫−銅合金（銅の含有量：２質量％）、錫−ビスマス合金（ビスマスの含有量：２質量％）等が挙げられる。基材１１は、例えばＣｕ合金等から構成されている。錫めっき膜１３内には、複数の結晶粒１２が不規則に配列している。更に、錫めっき膜１３中に、複数の空隙部１４が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【解決手段】本発明のプリント配線基板は、絶縁基板の少なくとも一方の表面に、銅箔を選択的にエッチングした配線パターンが形成されており、該配線パターンの少なくとも一部がスズを含有する金属メッキ層で被覆されている配線基板において、該配線パターンが、主として粒径３μｍ以上の柱状結晶銅から形成されており、該柱状結晶銅の塩素濃度が５〜５０ppmの範囲内にあり、該配線パターンを被覆する金属メッキ層が、スズを含有す
る主として０．７μｍ以上の結晶粒径の金属から形成されており、かつ該配線パターンに、有機化合物に由来する炭素原子が実質的に含有されていないことを特徴としている。
【効果】本発明によれば、銅からなる配線の表面に形成された無電解スズメッキ層の表面からのスズウイスカーの発生を有効に抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。
【解決手段】 Ruからなるめっきシード層２２をめっき給電層として電解めっきにより磁性膜２６を形成することにより、ライトヘッドの磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法において、前記Ruからなるめっきシード層２２を形成した後、めっきシード層２２の表面に、めっき膜の析出レートを安定化させるキャップ層３０を形成する工程と、前記めっきシード層２２とキャップ層３０をめっき給電層として前記磁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき方法に関し、電解めっきを実施するに際し、めっきシード膜の溶解を抑止し、且つ、めっきレートの向上を簡単な手段で実現できるようにする。
【解決手段】少なくともアノード及び電源を備えた電解めっき装置内にめっき対象物を設置する工程と、次いで、前記めっき対象物にゲル化されためっき液を載置する工程と、次いで、ゲル化されているめっき液を溶液化し且つ電源をオンにしてめっきを行う工程とが含まれてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】はんだと導体の界面に脆性の高い金属間化合物層が成長するのを抑制し、高温保持環境下においてもはんだ接続部の接合強度が低下することのないはんだめっき導体及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るはんだめっき導体は、導体１の周りにはんだめっき層４を設けたものであり、導体１とはんだめっき層４の間に、内層側のＮｉ層２と、外層側のＮｉとＳｎ（又はＮｉとＳｎとＣｕ）の金属間化合物層３とで構成される０．４〜３．０μｍの中間層を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】内部貫通ホールが完全に充填された印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、内部貫通ホールが形成されたコア層と、上記内部貫通ホールの一側を塞いで上記内部貫通ホール内に余剰空間が形成された第１メッキ層と、上記余剰空間が充填されて上記内部貫通ホールの他側を塞ぐ第２メッキ層を含む印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
コア層の両面に非対称的に電流密度を印加することで、内部貫通ホールの一面が優先的に連結されるようにするものであって、両面に均一な電流密度を印加する方法を適用する場合に発生する問題である、貫通ホールの内部がメッキで充填されることにより内部の中央部位が先に繋がってホール内部中心部の撹拌特性が急激に低下されたり、未充填領域（Ｖｏｉｄ）が生ずる問題点を改善する。 （もっと読む）

【課題】 連続的にめっきすることによって所望の厚みまで形成される積層構造の銅めっき被膜において、最終めっき近傍の層厚を適切な厚みにコントロールすることによって、銅めっき表面にニッケル等に異種金属層を形成することなく、封止樹脂を硬化させるための熱履歴によって剥離が発生しないＣＯＦを提供することが可能な金属被覆ポリイミド基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって形成した金属層の表面に、複数の電解槽により銅めっき被膜が施され、さらに前記銅めっき被膜表面に錫めっき被膜が施された金属被覆ポリイミド基板であって、前記銅めっき被膜表面に膜厚ｔの錫めっきを施すに際し、該銅めっき表層から少なくとも深さ３ｔまでの領域に同一の電解槽で電気銅めっきが施されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 導体回路素子内の微細配線形成方法として使用されているいわゆるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用し得るナノメータオーダーの微細パターンの形成方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の微細パターンの形成方法は、基板上に設けられた絶縁膜に形成された溝及び孔の少なくとも一方を、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方、めっき液及び界面活性剤を含む超臨界流体又は亜臨界流体を用いためっき法により所定の金属で埋めることを特徴とする。この場合、めっき液として従来から使用されている電解めっき液や無電解めっき液を使用することができ、また、本発明の微細パターンの形成方法を実施する際には、脱脂部Ａ、酸洗部Ｂ、触媒化部Ｃ及びめっき部Ｄを備える表面処理装置１０を使用し得る。 （もっと読む）

【課題】効率的に、良好な電極触媒担持体、膜電極接合体を製造することを可能にして、高性能な燃料電池を提供する。
【解決手段】チャンバ４０には、ＣＯ２供給部２３、界面活性剤供給部２２及びめっき液供給部２１が接続されている。このチャンバ４０には、攪拌ユニット３４、電解めっきを行なうための一対の電極（アノード３０とカソード３２）が設けられている。そして、ＣＯ２、界面活性剤及びめっき液の混合流体をチャンバ４０内に導入する。この混合流体に中には導電性粉体を混ぜておく。チャンバ４０内の圧力と温度とを制御して、ＣＯ２を超臨界状態にして混合流体を攪拌し、分散体を形成する。そして、アノード３０とカソード３２とに通電することにより、導電性粉体の表面に電極触媒金属を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 金属被覆膜を形成する方法において、該被覆膜と成形品との密着性が優れ、美麗な外観を有する金属メッキ方法を提供すること。
【解決手段】 芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品の表面の、少なくとも一部に、特定の方法で金属メッキ膜を形成する方法であって、特にストライクメッキ工程において、メッキ浴として硫酸銅又は硫酸ニッケルの溶液を用いる。また、該金属メッキされた成形品が、特定のヒートサイクル試験を行った場合に測定されるビスフェノールＡの量が１０μｇ／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】耐食性のためにピンホールなどの発生を抑制し、効率的に燃料電池を製造することができる燃料電池用セパレータ、燃料電池、燃料電池用セパレータの製造方法及び燃料電池用セパレータのめっき装置を提供する。
【解決手段】燃料側セパレータ及び空気側セパレータに対峙させて陽極板を挿入しためっきユニット２０を構成する。そして、めっきユニット２０において、燃料、熱流体や空気を流す流路に対して、めっき液と、これの拡散力を高める超臨界ＣＯ２とを混合分散させためっき分散体を供給する。更に、このめっきユニット２０の陽極板と、セパレータとの間で通電を行ない、電解めっきを行なう。これにより、流路板の凸部にめっきを膜が形成される。更に、陽極板を外しＭＥＡと差し替えて、合体することにより燃料電池スタックを製造することができる。 （もっと読む）