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Fターム[4K024CA16]の内容

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Fターム[4K024CA16]に分類される特許

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【課題】銅張積層板を配線基板として機器内に組み込む際のハンドリング性に優れ、コネクタに接続される銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔の片面に樹脂が積層され、樹脂と反対側の銅箔の表面の少なくとも一部にNi下地めっき層が形成され、Ni下地めっき層上であってコネクタ20を接続する部分にAuめっき層12が形成され、Auめっき層を外側として180度密着曲げを行った場合に、銅箔の導通が遮断されるまでの曲げ回数が3回以上である銅張積層板である。 (もっと読む)


【課題】三次元網目構造を有する多孔質樹脂成形体であっても、その表面へのアルミニウムのめっきを可能としてアルミニウム構造体を形成することが可能な方法、および特に大面積のアルミニウム多孔体を得ることが可能な方法を目的とする。
【解決手段】樹脂成形体の表面に金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムからなる群より選択される1種以上の貴金属からなる導電層を形成する導電化工程と、導電化された樹脂成形体にアルミニウムを溶融塩浴中でめっきするめっき工程とを備えるアルミニウム構造体の製造方法とした。金属層として1μm〜100μmの厚さのアルミニウム層を有するアルミニウム構造体であって、該金属層はアルミニウムの純度が90.0%以上、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム及びパラジウムの合計量が0.01%以上10%以下、残部不可避不純物からなるアルミニウム構造体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるCu配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Cu配線10を備える半導体装置1において、
Cu配線10の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル20に接し、上部を絶縁膜3
0に接し、絶縁膜30に接するCu配線10の上部のグレインサイズが、Cu配線10の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するCu配線10の側部及
び下部のグレインサイズが、Cu配線10の中央部のグレインサイズより小さい。 (もっと読む)


【課題】
潜熱回収型給湯器などの、排ガスから生じたドレン水を中和して排水するために、中和処理を行うための中和処理容器の材料を提供する。
【解決手段】
排ガスから潜熱を回収する際に生成したドレン水を中和する中和処理容器用材料であって、11〜25質量%のCrを含有する含Cr鋼を基材とし、基材の表面に5〜60g/mのZnを含有する被覆物が存在することを特徴とする中和処理容器用材料。 (もっと読む)


【課題】 金属薄膜層付ポリイミドフィルム等の長尺導電性基板に電気めっき法により金属層を形成する際に、金属化ポリイミドフィルムとしてCOFでの実装に対応可能な優れた柔軟性を有する銅等の金属層を形成する方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール1から巻き出した金属薄膜層付ポリイミドフィルムFがめっき液4aへの浸漬を繰り返す毎に、第1給水ノズル8a、8b、8c、8dから給電ロール3a、3b、3c、3dに10℃〜32℃の水を供給する。また、電気めっきが完了して巻取ロール7に巻き取られる前の金属化ポリイミドフィルムSの電気めっきが施された面に、第2給水ノズル10から10℃〜32℃の水を供給する。 (もっと読む)


【課題】繊維めっき装置の小型化を図るとともに、繊維めっきに必要な時間を短縮し、効率的に繊維めっきを実施することができる繊維めっき治具、及び、これを用いた繊維めっき方法を提供する。
【解決手段】繊維めっき治具10は、回転軸14を中心に回転するものであって、漸次狭幅となる部分等を備えた開口スリット12aが形成され、被めっき繊維が掛架される掛架凹部12bが列設された被めっき繊維の掛架板12を備え、掛架凹部12bが回転軸14を中心とする円周上に配置され、且つ、開口スリット12aが回転軸14に対して外向きに形成される。掛架板12は、回転軸14を中心とし、これを取り囲んで複数設けられ、回転軸14と平行に配置される支持骨格16cに取り付けられ、支持骨格16cにより支持される。 (もっと読む)


【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。
【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。 (もっと読む)


本発明は、補助電極(36)が取り付けられた少なくとも1つのカバー(34)を備える滑り軸受けのガルバニックコーティング用ツールに関連する。
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【課題】溶接缶用錫めっき鋼板の溶接性を精度良く判定する方法を提供する。
【解決手段】溶接缶用錫めっき鋼板1の両側端部の1mm幅部を除く内側領域の板幅方向3ケ所以上の測定位置で、素材鋼板2の表裏両面2a、2bに付着した金属錫の付着量3をそれぞれ測定し、1対をなす表裏両面の測定値をそれぞれ合算して各測定位置の両面付着量を算出し、各測定位置における両面付着量が素材鋼板1m2あたり1.0〜2.0gの範囲内を満足すれば良好な溶接性が確保できると判定し、各測定位置における両面付着量が素材鋼板1m2あたり1.0〜2.0gの範囲内を外れた場合に溶接不良が発生する可能性が高いと判定する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた加工性を有し、さらに厚鋼板の耐食性を向上させ、上塗り塗装時の工数およびコストを大幅に削減できる耐食性に優れた厚鋼板を提供することを目的とする。
【解決手段】鋼板表面に脱脂、酸洗またはショットブラストのいずれか一種以上の処理を施し、前記鋼板の少なくとも片面に、Feイオン濃度が500ppm以下のNiめっき浴中で電解処理を行い、膜厚が1〜5μmのNiめっき層を形成し、さらにその上層に膜厚が5〜25μmのブチラール系プライマー、エポキシ系プライマー、およびシリケート系プライマーから選らばれる1種のプライマー塗布層を形成することを特徴とする塗装耐食性に優れた表面処理厚鋼板およびその製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】硫酸銅、硫酸及び塩化物イオンを含み、更に、有機添加剤として、硫黄含有有機化合物及び窒素含有有機化合物を含む電気銅めっき浴であって、上記窒素含有有機化合物として、モルホリン1モルに対し、エピクロロヒドリン2モルを酸性水溶液中で反応させて反応生成物を得、更に、該反応生成物に、上記モルホリン1モルに対して1〜2モルのイミダゾールを反応させる2段階反応により得た高分子化合物を含む電気銅めっき浴。
【効果】本発明の電気銅めっき浴は、有機添加剤として用いたレベラーとしての高分子化合物が、めっき温度を高温化しても変質せず、また、高温条件下でも、めっき浴に含まれる有機添加剤による促進剤効果と抑制剤効果のバランスを良好に保つことができることから、スルーホール及びビアホールのスローイングパワー、並びにめっき皮膜の物性を、めっき温度を高温化しても維持できる。 (もっと読む)


【課題】コネクタ雌端子等の高い曲げ加工性を必要とする用途に必要な最低限の硬度を保持し、Niの上層への拡散を防ぎ、Ni系下地層内部の酸化を防ぎ、高い曲げ加工性を有するNi下地層を備え、良好な接触抵抗性、耐摩耗性を維持しながら、曲げ加工性に優れた導電部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電部材10は、Cu系基材1の表面に、平均厚みが0.1〜3.0μmであるNi系下地層2を介して、平均厚みが0.05〜1.5μmであるCu−Sn金属間化合物層3、平均厚みが0.05〜2.0μmであるSn系表面層4がこの順に形成されるとともに、Cu−Sn金属間化合物層はさらに、Ni系下地層の上に配置されるCuSn層5と、該CuSn層の上に配置されるCuSn層6とからなり、Ni系下地層のホウ素含有量が50〜800ppmである。 (もっと読む)


【課題】Ruバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜101に凹部102を形成する工程(a)と、凹部102の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜103を形成する工程(b)と、第1の電界めっき処理により、バリアメタル膜103の表面に沿ってコンフォーマルな第1の導電膜104を形成する工程(c)と、工程(c)の後、第2の電界めっき処理により、凹部内に第2の導電膜105を形成する工程(d)とを有する (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に導電性を有する基材粒子に均一な厚みのメッキ層を効率的に形成可能なメッキ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係わるメッキ装置は、表面に導電性を有する基材粒子のメッキ装置であって、前記基材粒子が接触しつつ周回可能な底面とその底面の周縁に沿い立設した周壁面とを備え前記基材粒子を含む粒子群とメッキ液とを収納可能なメッキ室を有するメッキ槽と、前記メッキ室の底面より上方に開口する供給口を有し前記メッキ室の周壁面に沿い旋回するように前記供給口からメッキ液を供給するメッキ液供給管と、前記メッキ室に開口する排出口を有するメッキ液排出管と、前記メッキ室の底面に配置された前記基材粒子に接触する陰極と、前記メッキ室に収納されたメッキ液に浸漬する位置に配置された陽極と、前記陰極および陽極に接続された電源とを有するメッキ装置である。 (もっと読む)


【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口13を介して基板20の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 (もっと読む)


【課題】基板の処理量を増大させた、ガルバニック・コーティング装置を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの基板1の、特に太陽電池1aの少なくとも1つの表面2,3をガルバニック・コーティングする装置であって、電解コーティング液が満たされたコーティング・タンクを有するコーティング・バスと、基板1をコーティング・バスの中を搬送するための搬送手段と、基板1に光を照射するための少なくとも1つの光源64を有する光源回路60、複数のアノードを有する基板1のための整流回路50とを有する装置において、同期した電流インパルスおよび光インパルスを発生させるための手段を有し、複数の電流インパルスの間のインパルス間隔の間には、基板1への光の照射が中断されている。 (もっと読む)


【課題】磁気特性に優れるFe‐Pt合金めっき膜を提供できるFe‐Pt合金めっき方法を提供する。
【解決手段】Fe‐Pt合金めっき方法は、3価のFe塩、該3価のFeの錯化剤、Pt塩、および伝導度塩を含むFe‐Pt合金めっき液を用いて被めっき物にFe‐Pt合金めっきを行う工程と、該Fe‐Pt合金めっきが施された被めっき物に熱処理を行い、Fe‐Pt合金めっき膜をL1型Fe‐Pt規則合金に相変換させる熱処理工程とを含む。 (もっと読む)


本開示は一般に、磁性電気メッキまたは電着のための技術に関する。例示の方法は、基板へのメッキ材料の析出反応速度を変更するために電着中に磁石を使用することを含むことができる。
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【課題】 ナノパターンの電着を提供する。
【解決手段】 本開示は、一般に、ナノパターンを電着するための技術に関する。より具体的には、周期構造を複雑なナノパターンで製作するためのシステムと方法について説明する。基板の表面の周囲に位置する1つまたは複数の電極に電気信号を印加することができる。印加電気信号に関連する1つまたは複数のパラメータ(周波数、振幅、周期、デューティサイクル等のうちの1つまたは複数を含む)により蒸着パターンの周期に影響を与えることができる。上述のパラメータは基板に蒸着される各線の重量に影響を与えることができ、電極の数、形状および位置はパターンの形状に影響を与えることができる。 (もっと読む)


【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が3A/dm以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を10〜1500μmとし、電解時の陽極電流密度が3A/dm未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を5〜1500μmとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 (もっと読む)


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