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Fターム[4K024CA16]に分類される特許

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【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを15g/l以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が1.5μm以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を15mA/cm2以上、カソード電位を飽和カロメル電極(SCE)に対して900mV以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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本発明は、脱ガスされた電気化学的析出溶液、脱ガスされた電気化学的研磨溶液、脱ガスされた無電解析出溶液、脱ガスされた洗浄液などの脱ガスされた処理溶液を用いることによって、導体層を湿式処理するための方法及び装置を提供する。この技術は、処理装置に脱ガスされた処理溶液を送る前に処理溶液を脱ガスすること又は処理装置においてイン−サイチュ(in−situ)で処理溶液を脱ガスすることを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】Pbフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Snベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Snベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。
【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Iとなっている無鉛Snベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が0.5μm以下のめっき層Aを複数含み、全膜厚が1〜10μmである。 (もっと読む)


【課題】 断線が発生しにくく、且つ生産効率が優れた極細めっき線の製造方法を提供する。
【解決手段】 先ず、セレンを20乃至40ppm含むシアンめっき浴を使用して、銅又は銅合金からなる線材の表面上に、この銅又は銅合金線材よりも硬く、ビッカース硬度(Hv)が100乃至150であるAgめっき層を形成する。その後、Agめっき層が形成されためっき線材を、直径が50μm未満になるように伸線加工して、極細めっき線とする。 (もっと読む)


【課題】耐型かじり性と化成処理性を高度に両立し、低コストで製造可能な鋼板を提供する。
【解決手段】鋼板表面に付着量が10〜2000mg/mで、かつ次式で定義される(00・2)面の配向率R(00・2)が0.5以上である亜鉛めっき皮膜を有する。R(00・2)=[I(00・2)/Is(00・2)]/Σ[I(hk・l)/Is(hk・l)]。ただし、I(hk・l)はX線回折測定によって得た亜鉛めっき皮膜の各結晶面(hk・l)の回折ピーク強度(cps)、Is(hk・l)は標準亜鉛粉末の各結晶面(hk・l)の回折ピーク強度(cps)、Σ[I(hk・l)/Is(hk・l)]は、(hk・l)が、(00・2)、(10・0)、(10・1)、(10・2)、(10・3)、(11・0)、(11・2)、(20・1)、(10・4)、(20・3)の各結晶面についてのI(hk・l)/Is(hk・l)の値の合計。 (もっと読む)


【課題】電解めっき層の膜厚を均一にできる電解めっき方法と、電解めっきラインを提供する
【解決手段】保持具に被めっき物を保持させる工程と、被めっき物をめっき液に浸漬する工程を行う。また、保持具を介して被めっき物に負電圧を印加し、めっき液内に配置された正電極に正電圧を印加するとともに、保持具を被めっき物とともに所定方向に回転しながら被めっき物の表面に電解めっき層を形成する工程を行う。回転しながら電解めっき処理を施すことにより、均一な膜厚でめっき層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極12と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板20と、第1、第2の露出部20a,20bを残して覆うように形成したマスク21、各露出部20a,20bに対応する開口22aを有するスパージャー22とからなり、前記露出部20a,20bに当接するめっき液10aの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 (もっと読む)


【課題】 めっき液の特性の微小な変化に左右されないめっき成膜を可能とする半導体装置の製造装置及び製造方法を得る。
【解決手段】 被処理体にめっき処理を施すためのめっき液を収容するめっき浴槽と、この電解めっき浴槽内に配置されたアノードと、このアノードと対をなすカソードを有しかつ被処理体をカソードと導通可能に保持する移動及び回転可能な保持体とを含み、第1めっき条件で被処理体をめっき処理した後に、第2めっき条件に切り替えてめっき処理する半導体装置の製造装置において、被処理体の処理直前にめっき液の特性を測定する測定部と、測定部による測定結果に基づいて、被処理体ごとに、第1めっき条件によるめっき処理の時間を調整する制御部とを更に含む。 (もっと読む)


【課題】 熱放射性および意匠性に優れた安価な放熱性黒色鋼板を提供する。
【解決手段】 鋼板上に暗色化した亜鉛めっき層を形成させてなる暗色めっき鋼板めっき鋼板とし、この暗色めっき鋼板にリン酸亜鉛系化成処理皮膜を形成させてさらに黒色の程度を強めた後、薄膜の黒色皮膜を被覆して黒色鋼板とする。 (もっと読む)


【課題】冷延鋼板を下地とする電気亜鉛めっき鋼板の製造において、めっき前後での鋼板表面粗さ変化を予測し、めっき前の鋼板表面粗さを適切に定め、調整することが可能な電気亜鉛めっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】
冷延鋼板を下地とする電気亜鉛めっき鋼板の製造方法において、めっき付着量が35g/m 以上の場合には、めっき後の鋼板表面粗さの目標値とめっき付着量とに基づいて、めっき前の鋼板表面粗さを調整する。
ここで、めっき後の鋼板表面における中心線平均粗さRaの目標値が、1.1μm未満であるか、或いは1.1μm以上であるかに基づいて、異なるめっき前後での粗さ変化率を用いて、めっき前の鋼板表面における中心線平均粗さRa及び/又はピークカウントPPIの目標値を決定することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 溶接性に優れた溶接缶用錫めっき鋼板とその製造方法を提供することを目的とする。また、得られた溶接缶用錫めっき鋼板の溶接性と防錆性を精度良く判定する方法を提供する。
【解決手段】 溶接缶用錫めっき鋼板の両側端部の1mm幅部を除く内側領域の表裏両面に付着した金属錫の付着量が素材鋼板1m2 あたり合計 1.0〜2.0 gの範囲内を満足するように、電気錫めっき処理による錫めっきの付着量を調整する。 (もっと読む)


【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】CO2、分散促進剤及びNiめっき液を混合分散部60に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽61に供給される。めっき槽61では、CO2を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、CO2は供給したままで、分散促進剤とNiめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部60及びめっき槽61が洗浄される。次に、CO2は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とAuめっき液が供給される。これにより混合分散部60で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽61においてめっきが行われて、Ni膜の上にAu膜が積層した多層膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】 FePt合金をめっきするためのめっき液、該めっき液を用いた構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくともFe及びPtを含み、Pt成分がシクロヘキサクロロ白金酸アンモニウムであるめっき液。Fe成分が錯化剤によりFe錯体としてめっき浴中で安定化し、錯化剤が酒石酸イオン又はクエン酸イオンである。めっき液のpHは6以上9.5以下である。上記のめっき液がはいった容器に電極とめっきされる対象物とを用意する工程と、前記電極に電圧を印加することによって、めっき液からFePtを含む磁性体を前記対象物にめっきして構造体を形成する工程とを備える構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ピンホールなどの欠陥が少ない良好なめっきを効率的に行うことができるめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽61では、CO2及び無電解めっき液を含むめっき分散体を用いて無電解めっきを行う。この無電解めっきにより、めっき槽61内の基体としての基体管の内側表面又は外側表面に、第1金属膜としてのPd膜が形成されると、制御部80は、CO2及び無電解めっき液を含むめっき分散体の供給を停止し、電源62のスイッチをオンにする。これにより、CO2及び電解めっき液を含むめっき分散体が供給され、電極に電圧が印加されて、めっき槽61内において電解めっきを行う。この電解めっきにより、無電解めっきにより形成された第1金属膜のPd膜の上に、第2金属膜のPd膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノホールへ合金めっきを充填した後に合金から結晶性を有する分離相を相分離させてマトリクス中に機能性を有する分離相を形成する分離相の形成方法を提供するものである。特に、分離相の特性を利用するナノ構造素子及びこれを基板上に多数規則配列したナノ構造体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのCu等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。ナノホール内に形成した前記合金めっきを、相分離により形成した分離相の磁性、電気抵抗、熱伝導等の特性を利用したナノ構造素子が得られ、これを利用してナノ構造体を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 効率よく拡散流体を再利用することができるめっき装置を提供する。
【解決手段】 混合分散部60は、CO2タンク21、界面活性剤タンク41及びめっき液タンク51のそれぞれから供給されたCO2、フッ素系界面活性剤及びめっき液を混合して分散させためっき分散体をめっき槽61に供給する。めっき槽61では、CO2を超臨界状態としてめっきが行われ、使用しためっき分散体をめっき液分離槽65に排出する。フッ素系界面活性剤を用いた場合には、めっき液と超臨界CO2の分散保持時間は短く、めっき液分離槽65において、めっき液及び超臨界CO2は、これらの比重差により、すぐに分離する。この分離したCO2は、冷却部70において冷却されて液相を含む状態となって、CO2再生装置71に排出され、不純物が除去された後、CO2タンク21に戻されて再利用される。 (もっと読む)


【課題】陽極管理の容易化によるコストダウンと、メッキ液の循環性改善による高速処理化を図る。
【解決手段】外周面に陽極21を露出させた固定ドラム20と、固定ドラムの外周に配置され、長手方向に送り移動されるワークWが巻き付けられる回転ドラムと、回転ドラムの下側に形成され、回転ドラムの周方向に連続し且つ回転ドラムの外周から内周に貫通するように設けられた環状開口35と、固定ドラムの内部を通り、ワークが巻き付けられる回転路ドラムの前記所定巻付角度範囲の角度位置52aに対応する固定ドラム外周上の位置に開口したメッキ液供給通路22と、回転ドラム外周に巻き付けられたワークと環状開口の周壁と固定ドラムの外周とで囲まれるトンネル状空間52を流路とし、該流路にメッキ液を供給するメッキ装置およびメッキ方法を発明した。 (もっと読む)


【課題】 磁気ヘッドを構成する非磁性膜等を形成する方法として好適に利用することができるNiP非磁性めっき膜の製造方法およびこの方法を用いた磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 電解めっき法によりNiP非磁性めっき膜を製造する方法であって、ニッケルイオンの供給源となる試薬とリンイオンの供給源となる試薬と、カルボキシル基を有する試薬を含有するNiPめっき液を使用してめっきすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 比較的簡単な構成で、例えアスペクト比が高く、深さが深いビアホール等にあっても、内部にボイドを発生させることなく、金属膜を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】 めっき液188を保持するめっき槽186と、基板Wを保持して該基板に通電し、基板の被めっき面をめっき槽内のめっき液に接触させるホルダ160と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード214と、アノードとホルダで保持した基板との間に配置され、めっき槽内のめっき液を攪拌するめっき液攪拌部220,224と、基板とアノードとの間に電圧を周期的に印加するめっき電源230を有し、基板とアノードとの間に電圧が印加されていない時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を行い、基板とアノードとの間に電圧が印加されている時にめっき液攪拌部によるめっき液の攪拌を停止する。 (もっと読む)


【課題】 加熱による変形がなく、鉛及びすずを含まない金属を用いて、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、安価に信頼性よく表面処理された電子部品の製造方法を得る。
【解決手段】 はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の3層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、0.007〜0.1μmの範囲、上記金層の厚さが、0.003〜0.02μmの範囲、かつ上記金層の厚さ<上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成され、この金層の形成後にプレス加工されている。 (もっと読む)


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