電子部品の製造方法
【課題】 加熱による変形がなく、鉛及びすずを含まない金属を用いて、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、安価に信頼性よく表面処理された電子部品の製造方法を得る。
【解決手段】 はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成され、この金層の形成後にプレス加工されている。
【解決手段】 はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記パラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成され、この金層の形成後にプレス加工されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、接続部品などのはんだ付けされる電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
環境保護のための鉛の規制に伴い、鉛フリーの製品が望まれ、接続部品などの電子製品のはんだ付け作業においても、鉛フリーへの要求が高まっている。
従来、コネクタ、リードフレームなど接続端子を有し、はんだ付けされる電子部品は、鉛フリーのものとして、はんだぬれ性の良いすずを用いて表面処理されることが多かった。このすずを用いた場合、はんだぬれ性は良くても、すずによるウイスカが発生し易く、このため、組立てられた後に、接続端子に電気的な短絡状態が生じやすいという問題があった。接続端子以外で発生したウイスカでも、落下するなどして、短絡を生じることがあり、電子部品にとって、ウイスカの発生は問題であった。
【０００３】
この種、電子部品の表面処理方法の一例として、例えば特許文献１には、配線基板の配線層のはんだ付け領域に施されるすずを含まない金属による表面処理方法において、平均粒径２０ｎｍ以上で且つ０．５μｍ〜５μｍのニッケル層、０．００５μｍ〜２μｍのパラジウムまたはパラジウム合金層、および０．０５μｍ〜０．８μｍの金層の３層により、配線層上に無電解法によるめっきを行うものが示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１１１８８号公報（第３〜５頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
すずめっきに発生するウイスカを防止するために、すずめっき処理の後に、すずのリフローが行われる。しかし、このリフローは、素材とすずめっきを同時に加熱するために、素材の変形を生じるという問題がある。
電子部品は、一般に所定の形状になるようにプレス加工され、組立てられる。このプレス加工後に、表面処理が行われるが、この表面処理後のリフローにより、上述のように、素材の変形を生じ、したがって、プレス加工後の電子部品に変形が生じるという問題がある。
接続部品などのはんだ付けされる電子部品は、鉛フリーで、しかもウイスカの発生がなく、はんだぬれ性がよく、耐腐食性がよく、さらに金使用量が少なく、めっき生産性の良いものが望まれる。
特許文献１の処理方法では、金使用量が多い上、めっき生産性が良くなく、コスト高になる傾向があった。また、金使用量が多いために、最近のファインピッチ製品のはんだ付け時などには、はんだ中の金濃度が濃くなり、はんだ強度が低下するという問題もあった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、加熱による変形がないと共に、鉛及びすずを含まず、しかもウイスカの発生がなく、かつはんだぬれ性のよい金属による安価な信頼性のよい表面処理が施される電子部品の製造方法を得ることを目的にしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係わる電子部品の製造方法においては、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程におけるパラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成されるものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明は、以上説明したように、はんだ付けされる電子部品の母材を、順次、ニッケルめっき、パラジウムストライクめっき、金ラップめっきにより表面処理し、表面処理した後にプレス加工するので、加熱による変形がないと共に、鉛フリーで、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、金使用量を少なくして経済的な電子部品が得られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電子部品の表面処理を示す説明図である。
図１において、電子部品の銅合金などからなる母材１上に、順次、ニッケルめっき２（ニッケル層）、パラジウムストライクめっき３（パラジウム層）、金ラップめっき４（金層）が３層に形成されている。
【００１０】
図２は、この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工された接続端子を示す外観図である。
図２において、接続端子５は、はんだ付け部６を有している。
図３は、この発明の実施の形態１による接続端子を用いたコネクタを示す外観図である。
図３において、はんだ付け部６を有する接続端子５は、コネクタ７を構成している。
図４は、この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工されたシェルを示す平面図である。
図４において、所定の形状にプレス加工されたシェル８が示され、このシェル８は、組立てられて金属筐体になる。
【００１１】
図５は、この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図である。
図５において、１〜４は、図１におけるものと同一のものである。図５では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。
図６は、この発明の実施の形態１による電子部品のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
図６において、Ｎｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理は、本発明の処理方法を示している。
図７は、この発明の実施の形態１による電子部品の金ラップめっき厚を変化させた場合のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
図７において、Ｎｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理が、本発明の処理方法を示している。
【００１２】
次に、電子部品の製造方法について説明する。
電子部品母材は、プレス加工の前に、表面処理される。プレス加工を表面処理の後に行う場合には、母材の平面に表面処理を行うことができるので、その表面処理を正確にコントロールでき、特に金めっきなど、高価な材料の節約につながるものである。
電子部品の母材の表面処理は、次のように行われる。
図１のニッケルめっき２は、電子部品母材を被覆するために１〜３μｍの厚さに形成される。パラジウムストライクめっき３は、ニッケルめっき２上にあって、核を形成するように、０．００７〜０．１μｍの厚さに形成される。ストライク被覆が０．００７μｍより薄ければ、密着性が劣ると共に、０．１μｍより厚すぎても同様に密着性が悪くなる。このため、密着性が確保される厚さの範囲である０．００７〜０．１μｍに形成される。
【００１３】
次いで、金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図５に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。
金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３表面の保護（酸化などによる劣化に対する）を行うものである。このため、金ラップめっき４の厚さは、パラジウムストライクめっき３の核を覆うように、０．００３μｍ以上にする必要がある。一方、はんだ付けを行う場合には、まず、最初にこの保護部分の金ラップめっき４が、はんだ中に拡散していき、清浄なパラジウム表面が顕われてはんだ付けされる。このとき、金ラップめっき４のめっき厚が、厚くなり金色が出る厚さ（約０．０３μｍ以上）になると、金の拡散量が多くなり、最近のファインピッチ製品のはんだ付け時などには、はんだ中の金濃度が濃くなり、はんだ強度が低下する。したがって、金ラップめっき４の厚さを、金色を発色しない０．０２μｍ以下に形成する必要がある。すなわち、金ラップめっき４の厚さを、０．００３μｍ〜０．０２μｍの範囲に形成すれば、パラジウムストライクめっき３の核を覆うと共に、はんだ付け時のはんだ強度の低下も見られない。さらに、この金めっき厚さでは、金の消費量も少なく、また、めっき生産性もよく、経済的である。
【００１４】
上述の表面処理を施された後に、リフローなどの加熱処理することなく、プレス加工を行い、図４のように連続したシェル８が得られる。これを一つずつに切り離して、それぞれを組立てる。
この表面処理を施された電子部品としては、図４のシェルの他、図２に示すような接続端子、図３の示すような接続端子を用いたコネクタが挙げられる。このような製作方法により、加熱による変形がない電子部品を製作できると共に、ウイスカの発生もなく、はんだぬれ性の良好なはんだ付けを行うことができる。
【００１５】
上記のように製作された電子部品のはんだぬれ性の試験結果は、図６及び図７に示すように良好であった。
図６には、メニスコグラフ法のゼロクロスタイムによる判定で、本発明の処理方法であるＮｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理されたものは、はんだぬれ性は、１秒以下で良好であることが示されている。
図７には、メニスコグラフ法のゼロクロスタイムによる判定で、本発明の処理方法であるＮｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理されたものは、Ａｕラップめっき厚が３０、５０、１００、２００オングストロームで、それぞれはんだぬれ性は、１秒以下で良好であることが示されている。
また、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ及びＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕのはんだを用いて、はんだ付けされた場合の接合強度も良好であった。
【００１６】
実施の形態１によれば、はんだ付けされる電子部品の金属母材を、順次、ニッケルめっき、パラジウムストライクめっき、金ラップめっきにより表面処理し、表面処理した後に、プレス加工するので、加熱による変形がない電子部品を製作することができると共に、鉛フリーで、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、金使用量を少なくして経済的な電子部品とすることができる。
また、プレス加工を表面処理の後にするので、プレス加工し、組立て後に表面処理する場合に比べて、表面処理時の金使用量が少なくなり、電子部品の製造コストを抑えることができる。
【００１７】
次に上述した電子部品母材の表面処理方法について、さらに具体的に説明する。
上述したように、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３（パラジウムストライク）、及び厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４（金めっき）を形成し、かつ金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係になるようにすれば、はんだぬれ性の良好な表面処理を行うことができる。この３層の形成は、次のようにして行われる。
まず、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で、パラジウム電解めっきを行い、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。
【００１８】
次いで、このパラジウムストライクめっき３された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し、電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。
このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は、パラジウム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを、順次、電子部品を一定速度で連続して移動させることによって、形成することができる。
パラジウム、金の液濃度及び電流密度により、それぞれ析出速度が変化するので、パラジウム、金の液濃度は、使用しているめっきライン（装置）性能に応じて設定される。
【００１９】
実施の形態２．
実施の形態１では、はんだぬれ性のよい鉛フリーの表面処理を行い、表面処理後にプレス加工される電子部品について述べたが、実施の形態２は、この表面処理で、金ラップめっきを薄くしたことに起因する耐腐食性の低下に対処し、金ラップめっきの耐腐食性を向上させる耐腐食性処理についてのものである。
図８は、この発明の実施の形態２による電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図である。
図８において、防錆剤の保護膜１１は、金ラップめっき４上に形成され、金ラップめっきのピンホール１２を封孔する。
【００２０】
実施の形態２では、プレス加工前に、金ラップめっき４上に、さらに防錆剤の保護膜１１を形成する。この保護膜１１は、電子部品のはんだぬれ性が低下せず、接触信頼性も低下しないもので、市販の防錆剤を用いることができる。保護膜１１は、金ラップめっき４面に吸着し、金ラップめっき４を薄く形成するために発生するピンホール１２を塞ぎ、大気中の腐食性ガスに対して、金ラップめっき４面の保護を行う。
【００２１】
実施の形態２によれば、防錆剤の保護膜により、金ラップめっきを薄く形成しても、耐腐食性をよくした電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す説明図である。
【図２】この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工された接続端子を示す外観図である。
【図３】この発明の実施の形態１による接続端子を用いたコネクタを示す外観図である。
【図４】この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工されたシェルを示す平面図である。
【図５】この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図である。
【図６】この発明の実施の形態１による電子部品のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１による電子部品の金ラップめっき厚を変化させた場合のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態２による電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２３】
１ 母材
２ ニッケルめっき
３ パラジウムストライクめっき
４ 金ラップめっき
５ 接続端子
６ はんだ付け部
７ コネクタ
８ プレス加工されたシェル
１１ 保護膜
１２ ピンホール
【技術分野】
【０００１】
この発明は、接続部品などのはんだ付けされる電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
環境保護のための鉛の規制に伴い、鉛フリーの製品が望まれ、接続部品などの電子製品のはんだ付け作業においても、鉛フリーへの要求が高まっている。
従来、コネクタ、リードフレームなど接続端子を有し、はんだ付けされる電子部品は、鉛フリーのものとして、はんだぬれ性の良いすずを用いて表面処理されることが多かった。このすずを用いた場合、はんだぬれ性は良くても、すずによるウイスカが発生し易く、このため、組立てられた後に、接続端子に電気的な短絡状態が生じやすいという問題があった。接続端子以外で発生したウイスカでも、落下するなどして、短絡を生じることがあり、電子部品にとって、ウイスカの発生は問題であった。
【０００３】
この種、電子部品の表面処理方法の一例として、例えば特許文献１には、配線基板の配線層のはんだ付け領域に施されるすずを含まない金属による表面処理方法において、平均粒径２０ｎｍ以上で且つ０．５μｍ〜５μｍのニッケル層、０．００５μｍ〜２μｍのパラジウムまたはパラジウム合金層、および０．０５μｍ〜０．８μｍの金層の３層により、配線層上に無電解法によるめっきを行うものが示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１１１１８８号公報（第３〜５頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
すずめっきに発生するウイスカを防止するために、すずめっき処理の後に、すずのリフローが行われる。しかし、このリフローは、素材とすずめっきを同時に加熱するために、素材の変形を生じるという問題がある。
電子部品は、一般に所定の形状になるようにプレス加工され、組立てられる。このプレス加工後に、表面処理が行われるが、この表面処理後のリフローにより、上述のように、素材の変形を生じ、したがって、プレス加工後の電子部品に変形が生じるという問題がある。
接続部品などのはんだ付けされる電子部品は、鉛フリーで、しかもウイスカの発生がなく、はんだぬれ性がよく、耐腐食性がよく、さらに金使用量が少なく、めっき生産性の良いものが望まれる。
特許文献１の処理方法では、金使用量が多い上、めっき生産性が良くなく、コスト高になる傾向があった。また、金使用量が多いために、最近のファインピッチ製品のはんだ付け時などには、はんだ中の金濃度が濃くなり、はんだ強度が低下するという問題もあった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、加熱による変形がないと共に、鉛及びすずを含まず、しかもウイスカの発生がなく、かつはんだぬれ性のよい金属による安価な信頼性のよい表面処理が施される電子部品の製造方法を得ることを目的にしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係わる電子部品の製造方法においては、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程におけるパラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成されるものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明は、以上説明したように、はんだ付けされる電子部品の母材を、順次、ニッケルめっき、パラジウムストライクめっき、金ラップめっきにより表面処理し、表面処理した後にプレス加工するので、加熱による変形がないと共に、鉛フリーで、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、金使用量を少なくして経済的な電子部品が得られる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による電子部品の表面処理を示す説明図である。
図１において、電子部品の銅合金などからなる母材１上に、順次、ニッケルめっき２（ニッケル層）、パラジウムストライクめっき３（パラジウム層）、金ラップめっき４（金層）が３層に形成されている。
【００１０】
図２は、この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工された接続端子を示す外観図である。
図２において、接続端子５は、はんだ付け部６を有している。
図３は、この発明の実施の形態１による接続端子を用いたコネクタを示す外観図である。
図３において、はんだ付け部６を有する接続端子５は、コネクタ７を構成している。
図４は、この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工されたシェルを示す平面図である。
図４において、所定の形状にプレス加工されたシェル８が示され、このシェル８は、組立てられて金属筐体になる。
【００１１】
図５は、この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図である。
図５において、１〜４は、図１におけるものと同一のものである。図５では、金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３の表面を部分的にラップするように形成されている。
図６は、この発明の実施の形態１による電子部品のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
図６において、Ｎｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理は、本発明の処理方法を示している。
図７は、この発明の実施の形態１による電子部品の金ラップめっき厚を変化させた場合のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
図７において、Ｎｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理が、本発明の処理方法を示している。
【００１２】
次に、電子部品の製造方法について説明する。
電子部品母材は、プレス加工の前に、表面処理される。プレス加工を表面処理の後に行う場合には、母材の平面に表面処理を行うことができるので、その表面処理を正確にコントロールでき、特に金めっきなど、高価な材料の節約につながるものである。
電子部品の母材の表面処理は、次のように行われる。
図１のニッケルめっき２は、電子部品母材を被覆するために１〜３μｍの厚さに形成される。パラジウムストライクめっき３は、ニッケルめっき２上にあって、核を形成するように、０．００７〜０．１μｍの厚さに形成される。ストライク被覆が０．００７μｍより薄ければ、密着性が劣ると共に、０．１μｍより厚すぎても同様に密着性が悪くなる。このため、密着性が確保される厚さの範囲である０．００７〜０．１μｍに形成される。
【００１３】
次いで、金ラップめっき４が、０．００３〜０．０２μｍの厚さに形成され、金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係にあると、図５に示されるように、パラジウムストライクめっき３の核を覆うようになる。この状態では、はんだぬれ性のよい表面処理が得られる。また、金ラップめっき４の上述の厚さでは、金色を発色しない。
金ラップめっき４は、パラジウムストライクめっき３表面の保護（酸化などによる劣化に対する）を行うものである。このため、金ラップめっき４の厚さは、パラジウムストライクめっき３の核を覆うように、０．００３μｍ以上にする必要がある。一方、はんだ付けを行う場合には、まず、最初にこの保護部分の金ラップめっき４が、はんだ中に拡散していき、清浄なパラジウム表面が顕われてはんだ付けされる。このとき、金ラップめっき４のめっき厚が、厚くなり金色が出る厚さ（約０．０３μｍ以上）になると、金の拡散量が多くなり、最近のファインピッチ製品のはんだ付け時などには、はんだ中の金濃度が濃くなり、はんだ強度が低下する。したがって、金ラップめっき４の厚さを、金色を発色しない０．０２μｍ以下に形成する必要がある。すなわち、金ラップめっき４の厚さを、０．００３μｍ〜０．０２μｍの範囲に形成すれば、パラジウムストライクめっき３の核を覆うと共に、はんだ付け時のはんだ強度の低下も見られない。さらに、この金めっき厚さでは、金の消費量も少なく、また、めっき生産性もよく、経済的である。
【００１４】
上述の表面処理を施された後に、リフローなどの加熱処理することなく、プレス加工を行い、図４のように連続したシェル８が得られる。これを一つずつに切り離して、それぞれを組立てる。
この表面処理を施された電子部品としては、図４のシェルの他、図２に示すような接続端子、図３の示すような接続端子を用いたコネクタが挙げられる。このような製作方法により、加熱による変形がない電子部品を製作できると共に、ウイスカの発生もなく、はんだぬれ性の良好なはんだ付けを行うことができる。
【００１５】
上記のように製作された電子部品のはんだぬれ性の試験結果は、図６及び図７に示すように良好であった。
図６には、メニスコグラフ法のゼロクロスタイムによる判定で、本発明の処理方法であるＮｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理されたものは、はんだぬれ性は、１秒以下で良好であることが示されている。
図７には、メニスコグラフ法のゼロクロスタイムによる判定で、本発明の処理方法であるＮｉ＋Ｐｄ−ｓｔ（ストライク）＋Ａｕラップ処理されたものは、Ａｕラップめっき厚が３０、５０、１００、２００オングストロームで、それぞれはんだぬれ性は、１秒以下で良好であることが示されている。
また、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ及びＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕのはんだを用いて、はんだ付けされた場合の接合強度も良好であった。
【００１６】
実施の形態１によれば、はんだ付けされる電子部品の金属母材を、順次、ニッケルめっき、パラジウムストライクめっき、金ラップめっきにより表面処理し、表面処理した後に、プレス加工するので、加熱による変形がない電子部品を製作することができると共に、鉛フリーで、ウイスカの発生もなく、かつはんだぬれ性がよく、金使用量を少なくして経済的な電子部品とすることができる。
また、プレス加工を表面処理の後にするので、プレス加工し、組立て後に表面処理する場合に比べて、表面処理時の金使用量が少なくなり、電子部品の製造コストを抑えることができる。
【００１７】
次に上述した電子部品母材の表面処理方法について、さらに具体的に説明する。
上述したように、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３（パラジウムストライク）、及び厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４（金めっき）を形成し、かつ金ラップめっき４の厚さ＜パラジウムストライクめっき３の厚さの関係になるようにすれば、はんだぬれ性の良好な表面処理を行うことができる。この３層の形成は、次のようにして行われる。
まず、厚さ１〜３μｍのニッケルめっき２が形成された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合されたパラジウム液に漬し、電流密度１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件で、パラジウム電解めっきを行い、厚さ０．００７〜０．１μｍのパラジウムストライクめっき３を形成する。
【００１８】
次いで、このパラジウムストライクめっき３された母材１を、通常市販されている濃度より薄い濃度に調合された金液に漬し、電流密度０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件で、金電解めっきを行い、厚さ０．００３〜０．０２μｍの金ラップめっき４を形成する。
このパラジウムストライクめっき３及び金ラップめっき４は、パラジウム液の収容されたパラジウム槽及び金液の収容された金槽を含むめっきラインを、順次、電子部品を一定速度で連続して移動させることによって、形成することができる。
パラジウム、金の液濃度及び電流密度により、それぞれ析出速度が変化するので、パラジウム、金の液濃度は、使用しているめっきライン（装置）性能に応じて設定される。
【００１９】
実施の形態２．
実施の形態１では、はんだぬれ性のよい鉛フリーの表面処理を行い、表面処理後にプレス加工される電子部品について述べたが、実施の形態２は、この表面処理で、金ラップめっきを薄くしたことに起因する耐腐食性の低下に対処し、金ラップめっきの耐腐食性を向上させる耐腐食性処理についてのものである。
図８は、この発明の実施の形態２による電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図である。
図８において、防錆剤の保護膜１１は、金ラップめっき４上に形成され、金ラップめっきのピンホール１２を封孔する。
【００２０】
実施の形態２では、プレス加工前に、金ラップめっき４上に、さらに防錆剤の保護膜１１を形成する。この保護膜１１は、電子部品のはんだぬれ性が低下せず、接触信頼性も低下しないもので、市販の防錆剤を用いることができる。保護膜１１は、金ラップめっき４面に吸着し、金ラップめっき４を薄く形成するために発生するピンホール１２を塞ぎ、大気中の腐食性ガスに対して、金ラップめっき４面の保護を行う。
【００２１】
実施の形態２によれば、防錆剤の保護膜により、金ラップめっきを薄く形成しても、耐腐食性をよくした電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す説明図である。
【図２】この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工された接続端子を示す外観図である。
【図３】この発明の実施の形態１による接続端子を用いたコネクタを示す外観図である。
【図４】この発明の実施の形態１による表面処理後にプレス加工されたシェルを示す平面図である。
【図５】この発明の実施の形態１による電子部品母材の表面処理を示す原理図である。
【図６】この発明の実施の形態１による電子部品のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態１による電子部品の金ラップめっき厚を変化させた場合のはんだぬれ性の試験結果を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態２による電子部品母材の耐腐食性処理を示す説明図である。
【符号の説明】
【００２３】
１ 母材
２ ニッケルめっき
３ パラジウムストライクめっき
４ 金ラップめっき
５ 接続端子
６ はんだ付け部
７ コネクタ
８ プレス加工されたシェル
１１ 保護膜
１２ ピンホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程におけるパラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記電解めっき処理は、上記パラジウム層を電流密度が１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件により上記ニッケル層上にめっきした後、上記金層を電流密度が０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件によりめっきすることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記金層の上に耐腐食性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記パラジウム液が収容されたパラジウム槽中及び上記金液が収容された金槽中を、上記電子部品を一定速度で順次移動させることにより、上記パラジウム層及び金層を形成することを特徴とする請求項１乃至３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程において上記ニッケル層上にパラジウムストライクを形成し、このパラジウムストライクの周りに金色を発色しない程度の金めっきを施すことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１】
はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程におけるパラジウム層及び金層は、上記パラジウム層の厚さが、０．００７〜０．１μｍの範囲、上記金層の厚さが、０．００３〜０．０２μｍの範囲、かつ上記金層の厚さ＜上記パラジウム層の厚さの関係になるように電解めっき処理により形成されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
上記電解めっき処理は、上記パラジウム層を電流密度が１〜１０Ａ／ｄｍ２の条件により上記ニッケル層上にめっきした後、上記金層を電流密度が０．０５〜０．１Ａ／ｄｍ２の条件によりめっきすることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
上記金層の上に耐腐食性の保護膜を形成したことを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
上記パラジウム液が収容されたパラジウム槽中及び上記金液が収容された金槽中を、上記電子部品を一定速度で順次移動させることにより、上記パラジウム層及び金層を形成することを特徴とする請求項１乃至３記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
はんだ付け部にニッケル、パラジウム及び金の３層構造の表面処理がなされた電子部品の製造方法において、上記電子部品の母材に上記３層の表面処理を順次行う第1の工程、及びこの第1の工程の後に、上記母材を上記電子部品の形状に応じてプレス加工する第２の工程を含み、上記第１の工程において上記ニッケル層上にパラジウムストライクを形成し、このパラジウムストライクの周りに金色を発色しない程度の金めっきを施すことを特徴とする電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−８３４１０（Ｐ２００６−８３４１０Ａ）
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２６７０９０（Ｐ２００４−２６７０９０）
【出願日】平成１６年９月１４日（２００４．９．１４）
【出願人】（５９５１５７６４０）株式会社シンエイ・ハイテック (4)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年３月３０日（２００６．３．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年９月１４日（２００４．９．１４）
【出願人】（５９５１５７６４０）株式会社シンエイ・ハイテック (4)
【Ｆターム（参考）】
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