【課題】
半導体素子と基板がはんだで接合され、樹脂でモールドされる半導体装置の信頼性を高めることを目的とする。
【解決手段】
はんだ材１０６に易揮発金属（Zn、Mg、Sb）を含むはんだを用い、半導体素子１０４とリードフレーム１０２を接合し、ワイヤボンディングを実施した後、真空加熱処理を加え、はんだ中の易揮発金属を揮発させ、基板表面に付着してリードフレームとの合金１０３を形成させることで、基板表面を粗化し、封止樹脂１０１と基板の密着力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】厚肉部と薄肉部とで均質な厚みの変動が少ないＮｉめっき特性を有する異形断面銅合金板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】厚肉部と薄肉部とが幅方向に並んだ異形断面銅合金板であり、Ｆｅ；０．０５〜０．１５質量％、Ｐ；０．０１５〜０．０５０質量％およびＺｎ；０．０１〜０．２０質量％を各々含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定したときの前記厚肉部の測定値をＴ１、前記薄肉部の測定値をＴ２とするとき、Ｂｒａｓｓ方位密度の比（Ｔ１／Ｔ２）が０．８〜２．０であり、Ｃｏｐｐｅｒ方位密度の比（Ｔ１／Ｔ２）が０．５〜１．２であり、Ｇｏｓｓ方位密度の比（Ｔ１／Ｔ２）が１．０〜２．５である。 （もっと読む）

【課題】端子表面の鉛フリーめっき層からウィスカが発生した場合でも、めっき層表面に形成したコーティング層内において発生したウィスカを確実に分断して電気的導通性を喪失させるようにした電子部品を提供する。
【解決手段】母材４０表面に鉛フリーのめっき層１０を有する端子Ａ１を備えた電子部品において、鉛フリーのめっき層１０の表面に、線膨張係数が異なる２種類の樹脂材料からなるコーティング層２０を形成する。環境の冷熱が加わることによる第１のコーティング層２０ａと第２のコーティング層２０ｂとの膨張収縮の差により、ウィスカ３には剪断応力が作用し、ウィスカ３は分断されて電気的導通性を喪失する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード用のリードフレーム及びその製造方法に関し、新たな固定治具を要することなく、剛性の高いリードフレームを提供する。
【解決手段】 鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 （もっと読む）

【課題】封止材料として無鉛ガラスを用い、アウターリード部に半田濡れ性の良好な金属膜を備えた電子部品収納用セラミックパッケージを提供する。
【解決手段】セラミック製のベース基板２に無鉛ガラスからなる封止ガラス層４ａでリードフレーム６が接合された電子部品収納用セラミックパッケージにおいて、前記リードフレーム６のインナーリード部９とアウターリード部１２の上下全面にアルミニウム蒸着膜１４が形成されていることを特徴とする電子部品収納用セラミックパッケージ。
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【課題】外装めっきにおけるウイスカ耐性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップが固定されたタブと、複数のインナリードと、前記インナリードと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、前記半導体チップの電極パッドと前記インナリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップを封止する封止体とを有し、前記封止体から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれの表面に、鉛フリーめっきから成る外装めっき８が形成され、この外装めっき８は、その厚み方向の界面側８ｃと表面側８ｄとで、界面側８ｃに存在する直径１μｍ以下の粒子が、表面側８ｄに存在する直径１μｍ以下の粒子より多く、これにより、外装めっき８のアウタリード２ｂの線膨張係数との差を小さくしてウイスカの成長を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】無鉛はんだを用いて実装した表面実装部品の端子接続部分に剥離が生じることの無い高信頼性の回路基板に実装される表面実装部品及び該回路基板の実装方法並びに該回路基板を用いた電子機器の提供。
【解決手段】表面実装部品６のリード５とパッド７のはんだ接合部に、はんだ８とパッド７とリード５とを構成する元素の一部からなる化合物層が形成されている回路基板１の、リード５と接続されるスルーホール２ａを、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以下のニッケル、パラジウム等で形成することにより、表面実装部品６を実装後、回路基板１の裏面にフローはんだ付けを行う際に、スルーホール２ａを介して接合部に伝達される熱量を低減し、接合部の温度を該化合物層の溶融温度以下に維持することにより、接合部界面の剥離を防止し、リード５とパッド７との接続信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリードと、前記半導体チップを封止する封止体とを備えた半導体装置において、リードと封止体（モールド封止体）の密着性を向上させ、剥離を起こさない半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体チップ５と、前記半導体チップと電気的に接続された、金属を主構成材料とする複数のリード３と、前記半導体チップを封止する封止体２とを備えた半導体装置において、リード３と封止封止体（モールド封止体）の密着性を向上させるため、リード３の表面材料と封止体２の組合せとして、格子整合性の良い材料の組合せを用い、アセン類を主構材料とする封止体２を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を低下させることなく、製造コストの削減を可能とするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】素子搭載部、インナーリード及びアウターリードを備えたリードフレームの製造方法において、前記アウターリードの輪郭を形成する工程と、前記素子搭載部、前記インナーリード及び前記アウターリードの表面及び裏面、前記アウターリードの側面にめっき層を形成する工程と、前記めっき層をレジストマスクとして前記リードフレーム材にエッチング加工を行い凹部を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い正反射率を示し、拡散反射による光の損失を低減すると共に、反射膜とするＡｇの凝集や変色がなく、ＬＥＤ素子が発光した光を高効率で継続して利用することを可能とするＬＥＤ用リードフレームを提供する。
【解決手段】銅または銅合金からなる基板１１の表面に、膜厚０．４μｍ以上１０μｍ以下の光沢Ｎｉめっき膜１２を介して、膜厚２００ｎｍ以上５μｍ以下のＡｇ合金膜１３を積層してなるＬＥＤ用リードフレーム１０であって、Ａｇ合金膜１３がＧｅ：０．０６〜０．５ａｔ％を含有し、表面の二乗平均粗さが３０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高い生産性を有する電子ユニットを得る。
【解決手段】本発明の電子ユニットは、電子部品を実装した基板１１０と、前記基板を固定するリードフレーム１００と、前記リードフレームに設けられているスポットニッケルめっき部４００と、前記基板と前記リードフレームを電気的に接続するワイヤ１２０と、前記基板と前記リードフレームの一部とを封止する樹脂１３０とを有し、前記スポットニッケルめっき部４００は、所定の結晶粒径の第１のめっき層４１０と、前記第１のめっき層４１０を覆うように設けられ、当該第１のめっき層４１０よりも結晶粒径が小さい第２のめっき層４１５とからなる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーめっきにおけるウィスカ耐性の向上を図る。
【解決手段】半導体チップが固定されたタブと、複数のインナリードと、前記インナリードと一体に形成された複数のアウタリード２ｂと、前記半導体チップの電極パッドと前記インナリードとを接続する複数のワイヤと、前記半導体チップを封止する封止体とを有し、前記封止体から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれの表面に、鉛フリーめっきから成る外装めっき８が形成されており、この外装めっき８は、所望の条件で形成された第１鉛フリーめっき８ａと、第１鉛フリーめっき８ａの組成と同系列の組成から成る第２鉛フリーめっき８ｂとを有し、第１鉛フリーめっき８ａと第２鉛フリーめっき８ｂとが積層され、アウタリード２ｂ上にめっき形成条件の異なる２種類の鉛フリーめっきが積層されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造工程における不良、特にワイヤーボンディングの結線不良、の発生を低減させて、製品の歩留まりと信頼性とを向上させるリードフレーム及びその製造方法、並びに、そのリードフレームを用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】凸部１７と、凸部１７に含まれる第１の面１２とオーバーラップする第１の部分及び前記第１の部分から延びて第１の面１２とオーバーラップしない第２の部分とを有する金属層１５と、を備える基板を形成する工程と、金属層１５が有する前記第２の部分が、凸部１７に含まれる第１の面１２と交わる第２の面とオーバーラップするように、金属層１５を折り曲げる工程と、を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ＩＣにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ＩＣのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してＩＣを回路基板に装着するＩＣの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するＩＣの装填方法である。アニールの省略でＣｕ₃Ｓｎ層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 （もっと読む）

【課題】金属層と封止樹脂との結合力を向上させつつ、上面が平坦であり、かつ横方向の大きさも均一な電極を形成でき、微細化にも十分対応できる半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の表面にレジスト層２１を形成するレジスト形成工程と、マスクパターン３１を含むガラスマスク３０を用いて、レジスト層を露光する露光工程と、レジスト層を現像し、基板に接近するにつれて開口部外周が小さくなる傾斜部２５を含む側面形状のレジストパターン２２を基板上に形成する現像工程と、レジストパターンを用いて基板の露出部分にめっきを行い、基板に接近するにつれて外周が小さくなる傾斜部４４を含む側面形状の金属層４０を形成するめっき工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ステージ部の表面に半導体チップを搭載し、ステージ部の裏面を外方に露出させるように半導体チップ及びステージ部を樹脂モールド部で封止した構成の半導体パッケージにおいて、ステージ部の裏面にめっきを施す作業を簡便に実施できるようにする。
【解決手段】ステージ部５と複数のリード７とをフレーム枠部９及び連結リードにより相互に連結したリードフレームにおいて、フレーム枠部９に、切り込み線とその両端を結ぶ折り曲げ線とを形成すると共に、切り込み線及び折り曲げ線によって囲まれたフレーム枠部９の領域部分を折り曲げ線において折り曲げることで、ステージ部５の表面５ａ側から突出する突出片１７とする。また、突出片１７の突出高さＴ１を樹脂モールド部２５の厚さ寸法Ｔ２よりも大きく設定し、さらに、突出片１７の突出方向の先端の一部を、突出片１７の基端よりもその幅方向に張り出させる。 （もっと読む）

【課題】反射特性が良好で、耐食性、ワイヤーボンディング性にも優れた光半導体装置用リードフレームを提供する。
【解決手段】基体１上に銀または銀合金からなる反射層２が形成された光半導体装置用リードフレームであって、該銀または銀合金からなる反射層２の表面に、銀または銀合金に対し物理的ないしは化学的結合性の有機化合物からなる防錆皮膜３が少なくとも１層以上形成され、防錆皮膜の総厚が厚さ５０オングストローム以下である、光半導体装置用リードフレーム。 （もっと読む）

【課題】圧電振動デバイスを備えており、かつ、電子機器に自動実装することができるリードタイプの電子部品を提供する。
【解決手段】第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃと、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部にそれぞれ延設された第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと、第２パッド部２ｂに搭載され、第１、第３パッド部２ａ，２ｃに電気的に接続された水晶発振器３と、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃの各一端部ごと第１〜第３パッド部２ａ〜２ｃと水晶発振器３を封止する樹脂パッケージ部とから構成されており、第１〜第３リード端子１ａ〜１ｃのうちの樹脂パッケージ部内に配置される部位表面に銀めっき、アルミニウムめっきまたは金めっきが施されている。 （もっと読む）