【課題】リフロー後にめっき表面に青色の曇りを形成しない錫めっき方法の提供。
【解決手段】錫めっき方法であって、次の工程：（ａ）水と、第一錫イオンと、（Ａ）アルキルポリスルホン酸、その塩又はアルキルポリスルホン酸と１種以上のそれらの塩との混合物;又は（Ｂ）アルキルポリスルホン酸と硫酸との混合物;又は（Ｃ）アルキルポリスルホン酸とメタンスルホン酸との混合物、陰イオンとを含む酸性電解めっき浴中で鋼帯上に錫を電解めっきし、;（ｂ）１回以上のすすぎを行い;（ｃ）随意に、該めっき錫表面を、特定の有機化合物を含んでなる水溶液にさらし、;（ｄ）該めっき帯を少なくとも錫の融点にまで加熱し;そして（ｅ）（ｉ）該めっき帯を水中で急冷し又は（ii）特定の有機化合物を含んでなる水溶液中で該めっき鋼帯を急冷することを含み、さらに、該方法が、工程（ｃ）又は工程（ｅ）（ii）のいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき時における平均電流値をより高くした効率的なめっきによるめっき膜の埋込みを行ってめっき時間を短縮し、しかも理想的なめっき膜の埋込みを行うことができるようにする。
【解決手段】内部にスルーホールを形成した基板をめっき液中に浸漬させてめっき槽内に配置し、めっき槽内に配置される基板の表面及び裏面にそれぞれ対向する位置にアノードをめっき槽内のめっき液中に浸漬させて配置し、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、パルス電流を供給して基板の表裏両面に所定時間のめっきを行うめっき処理を複数回に亘って行い、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、めっき時とは逆方向の電流をそれぞれ供給する逆電解処理をめっき処理の間に行う。 （もっと読む）

【課題】シード膜の溶解を抑制し、電解めっき後のめっき膜の未析や欠陥の発生を低減する方法を提供する。
【解決手段】実施形態の電子部品の製造方法は、シード膜形成工程Ｓ１１０とめっき工程Ｓ１１４とを備えたことを特徴とする。かかるシード膜形成工程Ｓ１１０では、基体上にシード膜を形成する。そして、かかるめっき工程Ｓ１１４では、窒素ガスでバブリングされているめっき液が供給されためっき槽中の前記めっき液に前記シード膜を浸漬させ、前記シード膜をカソードとして電解めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】銅板の表面を低コストで効率よく粗化できる表面粗化銅板の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】第一工程部１２０は、１つの銅板１０１を挟む左右の電極１２２を１ステーションとして、これを２ステーション以上備えた多段構成となっており、銅板１０１を陽極、電極１２２を陰極とする電気分解により、銅板１０１の左右両面に微細瘤状突起を形成するのに必要な量の銅微粒子を生成させる陽極処理を行う。第二工程部１３０も、２ステーション以上備えた多段構成となっているが、ここでは極性を反転させて銅板１０１を陰極、電極１３２を陽極とする陰極処理を行っている。第一工程部１２０では定電圧制御を行い、第二工程部１３０では定電流制御を行っている。さらに、めっき槽１２１と別のめっき槽１３１とが連通された構成となっており、同じめっき液を用いて陽極処理および陰極処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】配線に断線が発生することを抑制し、かつエレクトロマイグレーションに対する耐性、及び熱ストレスに起因したボイドの発生に対する耐性を配線に持たせる。
【解決手段】第２導電パターン１０４は端が第１導電パターン１００につながっており、第１導電パターン１００より幅が細い。第１導電パターン１００及び第２導電パターン１０４は、シード層１１０及びメッキ層１２０を有する。シード層１１０及びメッキ層１２０は、それぞれ銅により形成されている。メッキ層１２０は、底層に、表層より結晶粒が小さい小粒層１２２を有している。そして第２導電パターン１０４を形成するメッキ層１２０は、小粒層１２２を、第１導電パターン１００を形成するメッキ層１２０より厚く有している。 （もっと読む）

【課題】メッキ電圧を高くしても錫メッキ内の鉛濃度を低く抑えることが可能な電気導体品への錫メッキ方法を提供する。
【解決手段】電気導体品３に電気メッキにより錫メッキを施す方法であって、２つの陰極を用意し、一方の陰極に錫メッキを施す電気導体品３を接続し、他方の陰極にダミー用の金属導体９を接続し、他方の陰極への印加電圧（Ｖ２）を、一方の陰極への印加電圧（Ｖ１）より高くすることを特徴とする。また、ダミー用の金属導体９に流す電流は、錫メッキを施す電気導体品３に流す電流よりも小さくするようにしてもよい。なお、メッキ液２として硫酸を添加したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池製造時のエージング工程で金属溶出が少なく、この結果、エージング後のリチウムイオン電池の電圧低下が少ない金属外装ケース用素材、金属外装ケースおよび該金属外装ケースを用いたリチウムイオン電池を提供する。
【解決手段】冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側からＣｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層を有するか、又は冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に、下層側からＣｕ層、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層を有する。さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】クロムフリーであり、且つ、従来のクロメート層と同等の性能を有するリン酸系化成処理層を具えた錫めっき鋼板の提供。
【解決手段】素地鋼板側から順に、Fe及びSnを含む合金層と、Al及びSnを含む化成処理層であって、P量として1.0〜10mg/m²有し、かつAlとPの質量比（Al/P）が0.3〜0.9であるリン酸塩を含む化成処理層と、更にその上層にSi量として0.01〜100mg/m²のシランカップリング剤と前記化成処理層との反応により生成した反応物層とを有することを特徴とする錫めっき鋼板。 （もっと読む）

シリコン基板内のビア内に高純度の銅を電着し、スルーシリコンビア（ＴＳＶ）を形成するプロセスである。本プロセスは、電解銅めっきシステム内の電解槽内にシリコン基板を浸漬するステップと、高純度の銅を電着してＴＳＶを形成するのに十分な時間の間、電圧を印加するステップとを含み、電解槽が酸、銅イオンの発生源、第一鉄イオン及び／又は第二鉄イオンの発生源、及び析出した銅の物理−機械的特性を制御するための少なくとも１つの添加剤とを含み、銅金属の発生源からの銅イオンを溶解することによって電着されることになる付加的な銅イオンを提供するために、前記槽内でＦｅ^２＋／Ｆｅ^３＋レドックス系が、確立される。 （もっと読む）

【課題】基材上に、信頼性及び導電性の良好な、厚みが約５μｍ以上の銅薄膜からなるパターン状の導電層を有する導電性基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、銅ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の銅ナノ粒子焼結膜からなる導電層を形成し、次いでこの導電層上に電解銅めっきを施す導電性基板の製造方法であって、前記印刷層の焼成処理を、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに、該印刷層を晒すことにより行うことを特徴とする導電性基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部３Ａを有し、全ての開口部３Ａの合計面積が基板１の面積の０．０１％以下の、めっきマクス膜３を形成するマスク膜形成ステップと、基板１の外周部に、開口部３Ａの合計面積の３０００倍以上の面積を有する外部電極６を形成する外部電極形成ステップと、基板１の開口部３Ａおよび外部電極６を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】メッキ厚のばらつきの小さいメッキ処理ができる電子部品のメッキ装置を提供する。
【解決手段】短冊状に破断した長尺基板Ｓａ，Ｓｂを縦列状態に連続してメッキ槽３４に投入する際に、一方電極にメッキ電流を供給するメッキ槽３４の入口側ローラＲ１，Ｒ２への電流を出口側のローラＲ３，Ｒ４への電流よりも大きくする。このようにすることで、ローラＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４に供給されるメッキ電流がメッキ槽３４の入口側と出口側のローラ間でバランスがとれ、連続する長尺基板Ｓａ，Ｓｂの表面電極と陽極電極間で生じるメッキ電流のばらつきを無くしメッキ膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】実用化の障害となるめっきの長時間化を改善し、貫通電極による三次元実装を実現するのに好適な導電材料構造体をより短時間で形成できるようにする。
【解決手段】貫通電極用凹部１２を形成した基板Ｗの表面の該凹部１２表面を含む全表面に導電膜１４を形成し、基板Ｗ表面の所定位置にレジストパターン３０を形成し、導電膜１４を給電層とした第１めっき条件で第１電解めっきを行って貫通電極用凹部１２内に第１めっき膜３６を埋込み、貫通電極用凹１２部内への第１めっき膜３６の埋込みが終了した後に、導電膜１４及び第１めっき膜３６を給電層とした第２めっき条件で第２電解めっきを行って、レジストパターン３０のレジスト開口部３２に露出した導電膜１４及び第１めっき膜３６上に第２めっき膜３８を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のあるめっき層を広い電流密度範囲で形成することができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩または酒石酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンとを含む銅‐亜鉛合金電気めっき浴である。前記硝酸イオンの濃度は０．００１〜０．０５０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、また、前記銅‐亜鉛合金電気めっき浴のｐＨは８〜１４の範囲であることが好ましく、さらに、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンに加え、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、前記アミノ酸としてはヒスチジンを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＲパルス電解めっき中の電位データを測定でき、従来の煩雑な操作を必要としない計測装置を提供する。
【解決手段】ＰＲパルス電解めっきにおいて、正電解時及び逆電解時におけるめっき対象物と参照電極３０との電位差の経時変化をそれぞれ測定する測定装置とする。前記めっき対象物と参照電極との電位差の波形データが入力された制御部には、入力済み波形データの波形記憶手段、前記記憶手段中の保管波形データから採取した所定時間内の波形データの波形切出手段、前記切り出された波形データにおける所定の基準点から所定時間内の正電解電位と逆電解電位とを読み取る電位読取手段、前記読み取られた正電解電位と逆電解電位とを記憶する読取電位記憶手段を具備し、めっき経過時間に対して正電解電位の時間―電位曲線及び逆電解電位の時間―電位曲線のモニタ手段を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力に起因するウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、めっきを厚めに皮膜し、めっき層の厚みがリード部ほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果を重視する必要のある接点部のめっき層は薄くする。めっき液浸漬処理後に高温処理をおこなうが、このときめっき層に供給する熱量は、リード部ははんだ性を確保するのを第一義にし、ウイスカ対策は内部応力の除去が達成できる溶融状態未満の熱処理をおこない、接点部は、溶融しためっき材料の表面張力による形状変化はむしろ利点として作用するので、一旦めっき層を溶融させて内部応力の除去を完璧にできるリフロー処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】ランニングにおいて析出効率の低下がなく、金皮膜が硬質で金純度が９９．９％以上である金皮膜が得られる電解金めっき液を提供することである。また、上記電解金めっき液を用いることにより、ワイヤーボンディングパッド及びコンタクト接合部が同一の金皮膜である電子部品を提供すること。
【解決手段】シアン化金塩を金源とし、下記式（１）で示されるアミン化合物及び下記式（３）で示される複素環式化合物を含有していることを特徴とする電解金めっき液。
Ｈ_２Ｎ−（Ｒ^１−ＮＨ）_ｎ−Ｈ （１）
［式（１）中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の、アルキレン基、アリーレン基若しくはアルキレンアリーレン基を示し、ｎは１以上の自然数である。］


［式（３）中、Ｎを含む環は、環中にＮを２個以上有する複素環を示し、該複素環中の炭素原子には置換基が結合していてもよい。］ （もっと読む）