【課題】被窒化処理物が持つ靭性等の特性を維持しつつ、表面の硬度を高めることができるとともに、耐久性を向上させることができる窒化処理方法を提供する。
【解決手段】窒化処理方法は、被窒化処理物１６の表面に窒素プラズマを照射して窒化処理を行い、被窒化処理物１６の表面に窒素原子の薄い拡散層を形成するものである。例えば、アルゴンプラズマ２１から電子ビームを引き出し、該電子ビームにより窒素ガスから窒素プラズマ２４を生成させ、該窒素プラズマ２４により被窒化処理物１６の表面から内部へ窒素原子を拡散させ、厚さが１０μｍ以下の窒素原子の拡散層を形成する。窒化処理の温度は３５０〜６００℃であることが好ましく、窒化処理の時間は１〜８時間であることが好ましい。また、被窒化処理物１６に印加されるバイアス電圧は−５０Ｖ〜−５Ｖであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理時間を短縮できるうえ、雰囲気ガスの消費量を抑え、しかも炉壁のメンテナンス周期も延長することができる鉄系材料の表面硬化装置を提供する。
【解決手段】アンモニアを含むガスを導入し、このアンモニアを含むガスをプラズマで分解して窒素系ラジカルおよび／または窒素系イオンを含むガスを発生させる大気圧プラズマ分解装置１と、
大気圧下の加熱空間２４内に鉄系材料３を存在させ、上記窒素系ラジカルおよび／または窒素系イオンを含むガスを導入し、上記鉄系材料３に作用させてその表面に窒化硬化層を形成させる加熱処理炉２とを備えた。
これにより、高出力のグロー放電によってアンモニア分解率を向上させ、短時間で厚い窒化硬化層を得ることが可能になり、従来に比べて処理時間の短縮を図ることができるうえ、アンモニアガスの使用量を削減し、炉壁の損傷も大幅に軽減できる。 （もっと読む）

【課題】真空炉の内部にてプラズマを用いて金属材料からなる被処理物の浸炭等による表面改質を行うプラズマ処理装置において、プラズマ生成のための電界強度を任意に変更可能とし、これによって多種多様な被処理物の表面改質における自由度を向上させる。
【解決手段】真空炉１の内部にてトレーＴに載置された被処理物Ｘを処理するために、第１給電部１４は導電性の綱部材１４ｂを被処理物ＸあるいはトレーＴの任意の箇所に接続可能に構成され、第２給電部の綱部材１５ｃは一端がアーク電極等に接続され真空炉１の内部で自由に移動できるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ねじ部を有する小物部品を大量に一括して処理し、安定かつ均一な硬化層を形成することが可能な硬化層形成方法、およびこの方法に用いられる硬化層形成装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ２内に備えられた金属製の回転容器３内にねじ部を有する小物部品を複数個収容して減圧した後、炭素ガスおよび窒素ガスのうちの少なくともいずれか一方のガスを供給して、このガス雰囲気中で回転容器３に陰極電圧を印加してプラズマ放電を行う一方、回転容器３を回転させながら、この回転容器３近傍に備えられたヒータ５を用いて回転容器内の温度を３５０℃から５５０℃の範囲内に加熱することにより、前記小物部品の表面に硬化層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 アーク放電が発生しても、安定したグロー放電に回復させることができるプラズマ放電用電源装置を提供する。
【解決手段】 直流電源からインダクタを介して電源がプラズマ放電処理装置本体に供給される前に、第１のスイッチング素子により、パルス電圧にする。抵抗、コンデンサ、第２のスイッチング素子を直列に接続した電位保持回路を第１のスイッチング素子がＯＦＦの時に動作させ、アーク放電時にアーク放電電流を制限する。 （もっと読む）

【課題】 同一の処理容器内でプラズマ窒化処理の処理条件を変化させた場合でもパーティクルの発生を防止できるプラズマ窒化処理方法を提供する。
【解決手段】 第１のプラズマ窒化処理が終了し、処理容器１から１枚のウエハＷを搬出した後に、処理容器１内から酸素を排出させるプラズマシーズニングを行う。プラズマシーズニングでは、ウエハＷを配置せず又はダミー基板を配置し、処理容器１内に窒素ガス／希ガスの流量比０．２以上１以下で希ガスと窒素ガスの処理ガスを導入し、第２の条件で第２の窒素プラズマを生成させ、処理容器１内の酸素を除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。接地電極には接地電位が与えられ、接地電極と対向電極との間には接地電極の電位より対向電極の電位が高くなる直流パルス電圧が繰り返し印加される。被処理領域には、面積が１０ｃｍ²以下であって導電体が露出する対向電極の対向面が対向させられる。チャンバの内部の空間には、窒素ガスを含有する処理ガスが供給され、当該空間の雰囲気は、圧力が５０Ｔｏｒｒ以上常圧以下となり窒素ガスの分圧が全圧の５０％以下となる状態に調整される。 （もっと読む）

【課題】球状体の温度を正確に把握しつつ、表面の全域に対して表面処理を実施することを可能とする球状体の表面処理用治具、球状体の表面処理方法および球状部品の製造方法を提供する。
【解決手段】球状体の表面処理用治具である治具１は、複数の貫通孔１１を有する第１保持板１０と、複数の貫通孔２１を有する第２保持板２０とを備えている。第２保持板２０の貫通孔２１は、第２保持板２０を第１保持板１０に沿って配置することにより、第１保持板１０の貫通孔１１に対応して位置するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】減圧された処理室内において複数の被処理物を加熱する熱処理方法において、装置を大型化させることを抑制しつつ、熱処理温度のばらつきを低減することが可能な熱処理方法を提供する。
【解決手段】減圧された処理室１０内において複数の被処理物５１，５２，５３，５４を加熱する熱処理方法は、処理室１０内に遮熱板３０を挟んで複数の被処理物５１，５２，５３，５４を配置する工程と、配置された複数の被処理物５１，５２，５３，５４を加熱処理する工程とを備えている。そして、被処理物５１，５２，５３，５４を加熱処理する工程では、遮熱板３０が複数の被処理物５１，５２，５３，５４よりも低温に維持される。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状のみならず、高い寸法・形状精度が要求される処理物の窒化処理を行うことができる窒化処理装置を提供する。
【解決手段】窒化処理装置は、エネルギー制御された電子ビームを生成する電子ビームガン１０と、導入された窒素ガスが電子ビームガン１０から照射された電子ビームにより窒素プラズマ化される処理槽２とを有する電子ビーム励起プラズマ装置１を用いる。処理槽２０内の所定の位置には、内部に処理物４０を配置可能な金属製の網目状のケージ３０が設けられている。窒化処理装置は、処理物４０が配置される位置におけるプラズマ電位よりも高い正電位のバイアス電圧を処理物４０に印加可能な第１直流電源装置４１と、負電位のバイアス電圧をケージ３０に印加可能な第２直流電源装置３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基材とＤＬＣ被膜との密着力および耐食性が高い摺動部材、および当該摺動部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】摺動部材１は、プラズマ窒化処理により表層に窒化層２０が形成されたステンレス鋼製の基材３と、直流プラズマＣＶＤ法により基材３の表面に形成されたＤＬＣ被膜２１と、ＤＬＣ被膜２１により形成された摺動面２２とを含む。プラズマ窒化処理は、基材３の温度が４５０℃以下、処理室内の圧力が６００Ｐａ以上、処理室内に導入する窒素ガスおよび水素ガスを含む処理ガス中の窒素ガス濃度が８０vol％以上１００vol％未満の条件下で、処理室内にプラズマを発生させることにより行われる。また、ＤＬＣ被膜２１の成膜処理は、基材３の温度が４５０℃以下の条件下で行われる。 （もっと読む）

【課題】クロムを含む耐熱鋼などの鉄族系合金の表面に耐摩耗性に優れた硬度の高い表面被覆層（窒化層）を均一に且つ短時間で形成することができる、鉄族系合金の窒化処理方法を提供する。
【解決手段】鉄族系合金からなる被処理材をプラズマ窒化炉内に装入し、炉内を昇温させる過程で被処理材の表面から不動態膜を除去するとともに、被処理材の表面に窒化層を形成する窒化処理方法において、炉内に水素ガスを導入しながら炉内を昇温させて水素スパッタリングにより被処理材の表面から不動態膜を除去し、炉内に水素ガスと炭化水素ガスを導入しながら炉内を昇温させて被処理材の表面を炭化し、炉内に水素ガスと窒素ガスと炭化水素ガスを導入しながら炉内を昇温させて被処理材の表面への窒化層の形成を開始し、炉内に水素ガスと窒素ガスと炭化水素ガスを導入しながら炉内を所定の温度に維持して被処理材の表面に窒化層を形成する。 （もっと読む）

【課題】大気圧雰囲気下での炭化水素系ガスを原料とした、従来より高硬度の非晶質硬質炭素皮膜が得られる非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその成膜装置を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】保持電極に基材を保持する基材保持工程と、大気圧雰囲気下において、印加電極を有する電極体を保持電極に対向させ、電極体と保持電極との間に炭化水素系ガスを含む原料ガスを供給し、電極体と保持電極との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極に交流電圧を印加して電極体と基材の表面との間でグロー放電プラズマを発生させ、排ガスを排気して、基材の表面に非晶質硬質炭素皮膜の成膜を行う成膜工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】球状体の温度を正確に把握しつつ、表面の全域に対して表面処理を実施することを可能とする球状体の表面処理用治具、球状体の表面処理方法および球状部品の製造方法を提供する。
【解決手段】球状体の表面処理用治具である治具１は、球状体が固定されて保持される第１固定部１１Ａおよび第２固定部１１Ｂと、球状体が案内されつつ転動することが可能な転がり案内部１２とを備えている。そして、第１固定部１１Ａと第２固定部１１Ｂとは転がり案内部１２により接続されている。 （もっと読む）

【課題】多孔プレート製電極の形状を工夫することにより、多孔プレート製電極の熱負荷を低減させ、電子ビーム励起プラズマの高密度化と電極の長寿命化を図る。
【解決手段】この電子ビーム発生装置５では、冷却チャンバの電極保持部に保持された電極部１０の外形状が矩形状を呈している。電極部１０は、多孔放電陽極１５と、多孔加速電極１６と、第１絶縁板１７と、第２絶縁板１８と、リード線１９と、枠状金属板２０とを備えている。第１絶縁板１７及び第２絶縁板１８が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する熱伝導性電気絶縁材よりなる。多孔放電陽極１５及び多孔加速電極１６の熱負荷を低減させることが可能となり、特に高温となり易い多孔放電陽極１５の第１中央多孔部１５１の中心部を効率良く冷却することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が良好なアルミニウム部材を安定して製造すること。
【解決手段】バレル窒化工程において、窒素ガスを含む処理ガスの存在の下、アルミナ（Al₂O₃）粉末及びAl-Mg合金粉末を含むAl-Mg/Al₂O₃充填粉末と、アルミニウムからなる基材とをバレル容器１内で混合し、該基材３の表面に窒化物層を形成し、続いてイオン窒化工程において、真空環境の下、プラズマを用いて窒素ガスを含む処理ガスから窒素イオンを形成するとともに、該窒素イオンを基材３の表面にスパッタリングにより導入し、該基材３の表面に新たに窒化物層を形成する複合窒化処理を行うことを解決手段とする。 （もっと読む）

【課題】セパレータと電極間で発生する接触抵抗が低く、耐食性に優れており、かつ低コストの遷移金属窒化物、燃料電池用セパレータ、燃料電池スタック及び燃料電池車両を提供する。
【解決手段】 遷移金属窒化物であって、Ｎｂ、Ｖ及びＴｉのうち少なくとも１種を添加したオーステナイト系ステンレス鋼を含む基材を窒化することにより得られ、基材によって形成された基層１２の上に連続して形成され、立方晶のＭ₄Ｎ型の結晶構造を有する窒化物と六方晶のＭ_2-3Ｎ型の結晶構造を有する窒化物とを含むナノレベルの積層結晶構造を有する第１の層１１ｂと、第１の層１１ｂの上に連続して形成され、六方晶のＣｒ_２Ｎ、ＣｒＮ並びにＭ_２−３Ｎ型の結晶構造、及び立方晶のＭ_４Ｎ型の結晶構造のうちの少なくとも１種の結晶構造を有する窒化物を含み、基材の表面窒化処理部として基材の表面から深さ方向に連続して形成された第２の層１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理物の品質を安定して高く保つことができるプラズマ窒化方法及びプラズマ窒化装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ窒化方法は、反応容器の内部に配置される被処理物をプラズマにより窒化するプラズマ窒化方法であって、該プラズマの発光スペクトルに現れる発光ピークから、少なくとも２つの発光ピークを検出しそれぞれの強度を求める工程（１）と、該検出された一つの発光ピークＡのピーク強度と、他の一つの発光ピークＢのピーク強度の間の強度比を計算する工程（２）と、該ピーク強度比またはそれを演算処理して得られる結果に基づき、該反応容器内に供給されるガスの組成、該被処理物に印加される印加電圧値、該印加電圧がパルス状である場合のオン−オフ時間、プラズマ源の出力、該反応容器内のガス圧力のうち少なくとも１つにフィードバック制御する工程（３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】酸化性環境下におけるセパレータと電極との間の接触抵抗を低い値に維持し、耐食性に優れ、かつ低コスト化した燃料電池用セパレータを提供する。
【解決手段】二相ステンレス鋼よりなる基材の表面を窒化することにより基材の表面から深さ方向に形成された窒化層１１と、基材の二相ステンレス鋼である基層１２とを備えている。窒化層１１は、Ｍ_４Ｎ型とＭ_２−３Ｎ型とのナノレベルの積層組織構造を有する結晶組織１１２中に、ＣｒＮ型の結晶構造を有するＣｒ窒化物１１１が混在している。 （もっと読む）

【課題】 被処理体の温度制御を可及的に正確に行うことができ、被処理体の全体に対して均一な窒化処理を効率的に施すことができる、連続式のプラズマ窒化処理装置を提供する。
【解決手段】 窒化室ヒータ２６が窒化室２内の被処理体Ｗの搬送方向の左右両側に配設され、左側ヒータ２６Ｌと右側ヒータ２６Ｒのそれぞれが搬送方向の前後及び上下に複数に分割され、さらに、前記被処理体Ｗにおいて各分割ヒータ２９に対応する領域の温度を測定する熱電対３３と、該各熱電対３３の測定温度が予め設定した目標温度となるように前記各分割ヒータ２９の発熱量を個別に制御する制御部３６と、を備える。 （もっと読む）