【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたＤＬＣ膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を１層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が１μＳ〜２０ｍＳ、印加電圧が−１〜−５０ｋＶ、パルス繰り返しが１０００〜８０００ｐｐｓのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、少なくとも一つの一定の方向へ曲がる炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭素ナノチューブのマトリックス構造は基板、該基板の表面に形成された少なくとも一つの触媒塊、及び該触媒塊に成長された炭素ナノチューブのマトリックスを含み、該触媒塊の厚さは第一端部から第二端部へ漸進的に減らし、該第一端部から該第二端部への範囲中で、ある位置の厚さが好ましい厚さに寄って、該炭素ナノチューブのマトリックスは該好ましい厚さの位置から離れた方向へ曲がる。本発明は前記炭素ナノチューブのマトリックス構造の製造方法も提供する。 （もっと読む）

高価な真空設備を用いることなく、大気圧プラズマスパッタ法を用いることにより製造することが可能で、また２００℃以下の低温においても粒子を成長させることができ、粒子径、粒子密度、パターニング、集積度がコントロールされたナノオーダーの金属またはその酸化物をはじめとする各種の微粒子自体が、バインダまたはフィラー等の接着媒体を介さずに、密着性良く、一次粒子の形態においても直接付着していることを特徴とする微粒子付着基板。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、８００℃よりも高い使用温度で、特に酸化の最初の段階でアルミニウム含有合金を実質的にα−Ａｌ_２Ｏ_３よりなる酸化物被覆層を形成し、そうして明らかに向上した長期間挙動をもたらすことである。
【解決手段】この課題は、Ｆｅ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−ＡｌまたはＮｉ−Ｃｒ−Ａｌタイプのアルミニウム含有合金のために保護層を造る方法において、
− 該合金の表面にアルミニウム不含酸化物を有する酸化物層を形成し、
− 該合金を８００℃より上の温度に加熱した際に、該合金の表面のアルミニウム不含酸化物が準安定なアルミニウム酸化物の形成を抑制し、結果として専らα−Ａｌ_２Ｏ_３−酸化物だけを形成する
各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】光学コーティングの腐食・傷耐性バリアを提供すること。
【解決手段】酸化可能な金属珪素化合物又は金属アルミニウム化合物を、光学コーティングの外層の１つとして使用する。この層は、未酸化又は一部酸化状態で付着され、この化学状態で、下の層を腐食から保護する。該金属化合物又は合金の層は、大多数の金属を超える硬さを有し、それにより傷からの保護を提供する。
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１つの実施形態の、磁石装置及び結果として得られる回転スパッタリングマグネトロンの設計は、厚い製品鉄ターゲットを貫通する磁束密度及び磁束分布を提供する。更に、その磁場の形状は、ターゲット材料をより均一に除去することによってターゲット寿命を向上させる。
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