【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】 マイクロプラズマの径を可能な限り小さくし、その熱容量を低減させてプラズマジェット照射時の基板のダメージを防ぐと共に、金属等を溶融、蒸発又は気化させ、プラズマジェットと共に噴出させることにより、基板上に微小なサイズの金属等のドット及びラインを形成する。
【解決手段】 マイクロプラズマにより溶融、蒸発又は気化する材料を、低融点基板上にドット状に堆積した直径１〜１００μｍの前記材料のドットを備えていることを特徴とする微小なドットを備えた低融点基板。石英管の中に堆積させるための材料及びプラズマガスを導入すると共に、石英管の外周に誘導コイルを配置し、この誘導コイルに高周波を印加して材料を溶融、蒸発又は気化させ、１００μｍ以下の内径を有する石英管のキャピラリー先端から基板に向かって噴射させることを特徴とする基板上の微小な領域にドット又はラインを形成するマイクロプラズマによる堆積方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法の技術分野に関し、特に、同軸型真空アーク蒸着源に関する。
【解決手段】本発明の蒸着源５では、絶縁部材１０の側面２０と、トリガ電極１２の表面２２と、蒸着材料１４ａの側面２４とが、面一になるように構成されている。トリガ電極１２と蒸着材料１４ａとの間に電圧を印加して、トリガ放電を発生させると、蒸着材料１４ａの側面２４から荷電微粒子３１や巨大粒子３３が放射状に放出されるが、蒸着材料の側面２４に沿う方向に放出される荷電微粒子３１や巨大粒子３３の数は非常に少ない。このため、蒸着材料の側面２４と面一に配置された絶縁部材の側面２０には、巨大粒子３３がほとんど付着しないので、付着した巨大粒子３３が再蒸発して基板４の表面に付着する量を少なくすることができ、従来に比して膜質の良好な薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法の技術分野に関し、特に、同軸型真空アーク蒸着源に関する。
【解決手段】本発明の蒸着源５では、絶縁部材１０の側面２０と、トリガ電極１２の表面２２と、蒸着材料１４ａの側面２４とが、面一になるように構成されている。トリガ電極１２と蒸着材料１４ａとの間に電圧を印加して、トリガ放電を発生させると、蒸着材料１４ａの側面２４から荷電微粒子３１や巨大粒子３３が放射状に放出されるが、蒸着材料の側面２４に沿う方向に放出される荷電微粒子３１や巨大粒子３３の数は非常に少ない。このため、蒸着材料の側面２４と面一に配置された絶縁部材の側面２０には、巨大粒子３３がほとんど付着しないので、付着した巨大粒子３３が再蒸発して基板４の表面に付着する量を少なくすることができ、従来に比して膜質の良好な薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 固体ポリマー電解質またはその他のイオン導電性ポリマー表面上に金属、金属酸化物または金属合金を被覆するための新規方法を提供することである。
【解決手段】 薄い金属または金属酸化物のフィルムを備えたイオン導電性の膜を製造するための方法であって、減圧下、イオン導電性膜を低エネルギーの電子ビームに賦して、その膜表面を清浄とし、この清浄とした膜を、減圧下、析出されるその金属のイオンを含有する高エネルギービームに賦して、金属フィルムを形成することを含む方法。この方法によって得られる金属化された膜構造物およびそれを内蔵する燃料電池も、また、本発明の範囲に含まれる。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ低コスト化した固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】本発明の燃料電池は、第１の多孔質電極及び第２の多孔質電極を含み、前記多孔質電極は、電子伝導性の多孔質非貴金属からなる層を有する。前記多孔質非貴金属層は、ガス拡散層である。前記多孔質電極は、前記非貴金属層上に堆積された少なくとも１つの触媒金属原子層を更に含み、前記第１の多孔質電極と前記第２の多孔質電極との間に電解質層が配置されている。前記電解質層は、第１の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層と、前記第１のドープ酸化膜層上に堆積された第２の高密度イオン伝導性ドープ酸化膜層とを含む。前記電子伝導性の多孔質非金属層上の前記触媒金属層は、酸化物イオンの表面交換速度及び拡散率を向上させ且つ燃料電池の材料コストを低減した。 （もっと読む）

【課題】３００℃以上の温度でのプレス加工するプリント配線基板の製造に用いても、キャリアと銅箔層との引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】前記課題を解決するために、キャリアシートの表面に接合界面層を介して銅箔層を有し、当該キャリアシートが物理的に引き剥がし可能なキャリアシート付銅箔であって、当該接合界面層は、金属層と炭素層とからなることを特徴とするキャリアシート付銅箔を採用する。そして、前記接合界面層は、厚さ１ｎｍ〜５０ｎｍの金属層と、厚さ１ｎｍ〜２０ｎｍの炭素層とで構成されたものとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホイスラー合金である強磁性体層を形成すること。
【解決手段】本発明は、反応抑制層１４上に形成された半導体層１６上に磁性元素層２０を形成する工程と、半導体層１６と磁性元素層２０とを熱処理し反応させることにより、反応抑制層１４上にホイスラー合金層２６である強磁性体層を形成する工程と、を有することを特徴とする強磁性体の形成方法並びにトランジスタ及びその製造方法である。本発明によれば、半導体層と磁性元素層との反応を抑制する反応抑制層により、半導体と磁性元素との反応に供給される半導体が制限され、磁性元素の組成比の大きな強磁性体を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマやアーク放電などで加熱しても微粒子となり難い物質を成膜させる物理蒸着装置および物理蒸着方法を提供する。
【解決手段】内部に蒸発源材料１５と蒸発源材料１５を加熱させる加熱部１６とを備える蒸発チャンバー１０と、内部に粉体を備える粉体供給源２０と、成膜チャンバー３０とを有し、蒸発源材料１５を加熱部１６により加熱し、微粒子（ナノ粒子）を発生させ、微粒子と粉体とを超音速ノズル３５から噴出させ超音速ガス流に乗せ、成膜対象基板３３に物理蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】欠陥孔内を被覆して厚さが均一で表面性状に優れる金属層を形成することが可能な金属化フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体１の表面に金属層４が形成された金属化フィルムの製造方法であって、絶縁体１の表面に乾式めっき法により下地金属膜４を形成する工程と、絶縁体の１下地金属膜４を形成した面に有機モノマー含有液を接触させ、下地金属膜４の欠陥孔内の絶縁体１表面に導電性有機ポリマー皮膜を選択的に形成することにより、欠陥孔内を被覆する工程とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寿命を長くして交換頻度を少なくすることができる、マグネトロンスパッタリング用の強磁性体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明に係る強磁性体スパッタリングターゲットは、表面に、複数の孔状の凹部を有する。前記凹部は、少なくとも底面上の部分における径又は幅が３ｍｍ以下であるのが好ましい。前記強磁性体スパッタリングターゲットは円板状である場合、前記複数の凹部の一つは、前記強磁性体スパッタリングターゲットの中心に配置され、前記複数の凹部の少なくとも一部は、前記強磁性体スパッタリングターゲットと同心の円周に沿って略等間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

第１金属を含有する少なくとも部分的な金属表面を有する金属品を、所定の濡れ性を有する表面で被覆する方法であって、以下のステップ：（ａ）金属品の少なくとも一部を、第２金属の層で被覆して、金属−金属接合面を提供すること、該表面はステップ（ａ）の前に、またはステップ（ａ）のために、粗であり；および、（ｂ）ステップ（ａ）の金属−金属接合面を材料に接触させて、所定の濡れ性を有する表面を提供すること、を少なくとも含む、前記方法。第１金属は例えば、鉄、亜鉛、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金からなる群の１種または２種以上であってよい。好ましくは、第２金属を、第１金属の上に、無電解ガルバニック析出を用いて被覆する。被覆金属品の性質は限定されず、これは、本発明の能力が、超疎水性および超親水性の濡れ性を含む所定の濡れ性の、調整された表面を提供することだからである。これにより、本発明は、異なる分野で用いられる広範囲の金属種類に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 従来の電子ビ−ム加熱方式を採用した薄膜形成装置は、単に金属試料に電子ビ−ムを照射するだけであったので、金属試料表面に照射した電子ビ−ムの多くが反射電子となってルツボ外に放射され、試料に対する過熱効率が低いものになっていた。
【解決手段】 本発明の薄膜形成装置は、電子ビ−ムを照射する第１試料を収めた第１ルツボから放射される反射電子を第２ルツボ内に収めた第２試料に直接照射することにより、試料の過熱効率を改善したものである。 （もっと読む）

【課題】金属蒸着膜の酸化度を、膜厚に依存せず求めること。
【解決手段】巻き出しロール(2)より巻き出した蒸着用フィルム(3)を冷却ロール(4)に所定角度,巻きつけ下方から金属蒸気を蒸着されて、巻き取りロール(5)に巻き取り、かつ前記金属蒸気に対し上流側及び下流側から酸素を供給するようにした金属蒸着膜形成装置において、前記巻き取りロール(5)と前記冷却ロール(4)との間で前記蒸着用フィルム(3)の表面に近接して表面反射率センサ(10)及び透過率センサ(11)を配設し、前記表面反射率センサ(10)及び前記透過率センサ(11)の検出値から、前記金属蒸着膜の膜厚に依存することなく前記金属蒸着膜中の金属酸化度を演算で求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】合金を成膜対象物に注入可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明は第一、第二の同軸型蒸着源３ａ、３ｂを有しており、第一、第二の蒸着源３ａ、３ｂの第一、第二の開口３９ａ、３９ｂからは正の微小荷電粒子が放出され、その微小荷電粒子はクーロン力によって飛行方向が曲げられて成膜対象物６８表面に到達する。このとき、成膜対象物６８の表面に負電圧を印加すれば、微小荷電粒子の飛行速度が加速されるので、微小荷電粒子が成膜対象物６８表面に注入される。第一、第二の同軸型蒸着源３ａ、３ｂの蒸着材料として異なる種類の金属材料を用いれば、成膜対象物６８表面に合金が注入される。 （もっと読む）

【課題】所望のサイズのクラスターを効率良く得ると共に得られたクラスターを基材へ効率良く堆積させることができるクラスター製造装置及びクラスター製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るクラスター製造装置及びクラスター製造方法は、一対のターゲットを間隔をおいて互いに対向すると共に下流側に向いて傾斜するように対向配置し、複数のガス供給用毛細管が間隔をおいて同一平面上に配置されると共に、その径ｄｍｍと長さＬｍｍとの比Ｌ／ｄが５００≦Ｌ／ｄとなるように構成されるプラズマ源ガス供給手段によって、プラズマ源ガスを前記一対のターゲット間にシート状気流にして供給し、該供プラズマ源ガスをプラズマ状態にしつつ、前記一対のターゲットから蒸気を発生させ、クラスター発生部とクラスター成長部とが連通する連通部に配設されると共に、軸芯方向において、径が漸減する中空筒状の捕集筒によって、前記蒸気を捕集してクラスター成長部へ導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】自立性薄膜の微細孔を覆うような多層薄膜を提供する。
【解決手段】自立性薄膜の微細孔内に乾燥泡膜を形成し、該自立性薄膜の片面に所定の材料を蒸着し、さらに別材質のものを蒸着することにより多層薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが非常に小さく、しかも結晶の配向性がきわめて良好な単結晶質であり、光学特性に優れた緻密な金属膜および金属膜被覆部材、さらに光学被膜を提供する。
【解決手段】表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下であり、かつＸ線回折による（１１１）ピーク強度がその他のピーク強度の合計の２０倍以上である金属膜、およびこの金属膜が基材に形成された金属膜被覆部材である。光学被膜は金属膜からなり、可視光領域での反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内であり、光の入射角が１０〜５０°の範囲において反射率の変化量が０．５％以下であるか、光波長が２５０〜４００ｎｍでの反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内である。 （もっと読む）