【課題】本発明は、可視域の透過率が高く、導電性や近赤外域の遮断性が良好であり、耐湿性や耐薬品性にも優れた、酸化物膜と金属膜とから構成される透明導電膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明導電膜が、主としてガリウムおよびインジウムおよび酸素からなる非晶質酸化物膜（ａ−ＧＩＯ膜）と、銀若しくは銀を主成分とする合金からなる金属膜（Ｍｅ膜）で構成され、金属膜を非晶質酸化物膜にて挟持する３層構造を有している。そして、この透明導電膜を含む多層膜を透明基板上に設けて透明導電性基板、透明導電性フィルムや近赤外遮断フィルターを作製する。 （もっと読む）

【課題】低摩耗性，耐摩耗性，耐食性に優れ、過酷な条件下で使用された場合においても剥離や発塵や劣化が少なく半導体製品に対して悪影響を及ぼすことが少なく、しかも耐久性に優れた炭素膜被覆部材の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファス炭素４からなるマトリックス中にモリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ、シリコン、ボロン、チタン、クロムおよびこれら元素の炭化物から選択される少なくとも１種５を含有した被膜６をマグネトロンスパッタリングにより基材２表面の少なくとも一部に形成する炭素膜被覆部材１の製造方法において、上記被膜６を構成する金属（Ｍ）の炭素（Ｃ）に対する原子比（Ｍ／Ｃ）を０．０１〜０．７の範囲にすると共に、上記基材２と被膜６との間にクロムから成る中間層３を形成することを特徴とする炭素膜被覆部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大面積基板処理システム内に配置されるサセプタ・ヒータアセンブリを提供する。
【解決手段】本発明に係るサセプタ・ヒータアセンブリは、基板を加熱するための熱源を提供するヒータ１００、ヒータ１００の上面を覆い、複数の基板を装着するボートが載置されるリードサセプタ２００、及びヒータ１００の側面を取り囲むガイドサセプタ３００を備える。本発明に係るサセプタ・ヒータアセンブリは、ヒータから発生した熱がガイドサセプタによりヒータ側面に漏出せず、ヒータから発生した微細粉塵がチャンバ内に広がることを防止する効果がある。 （もっと読む）

【課題】これまで多くの超伝導化合物が見いだされているが、これらはいずれも可視光域
で不透明で、透明な超伝導体は実現していない。
【解決手段】化学式[Ｃａ₂₄Ａｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ＋２{１−（ｘ＋２ｙ
）}ｅ⁻] （Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上、０≦ｘ＋２ｙ≦０．５)で示
され、超伝導電気伝導を示し、かつ膜厚４０ナノメートルを基準として、ＪＩＳ Ｒ１６
３５で規定される方法により測定した可視光透過率が８０％以上であるマイエナイト型結
晶構造を有する化合物からなることを特徴とする超伝導化合物薄膜。化学式が[Ｃａ₂₄Ａ
ｌ₂₈Ｏ₆₄]^４＋・２[ｘＯ^２−＋２ｙＡ] (２番目の大括弧は、ケージ中のアニオンを示す
。また、Ａ＝ＯＨ⁻、Ｏ⁻、Ｏ_２⁻のいずれか１種以上：０≦ｘ≦１、ｙ＝１−ｘ）で示
される薄膜中のアニオンの１／２以上を還元処理により電子に置換することにより作成で
きる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜と有機モリブデン化合物との化学的反応による非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動構造を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の摺動面に水素元素を含む非晶質炭素被膜１１が形成されている一対の摺動部材１０Ａ，２０Ａと、該一対の摺動部材１０Ａ，２０Ａの間に存在し、有機モリブデン化合物を少なくとも含む潤滑油３０Ａと、を少なくとも備えた摺動構造であって、前記潤滑油３０Ａは、摺動時に前記有機モリブデン化合物から生成される三酸化モリブデンに対して、前記非晶質炭素被膜よりも反応性の高い粉末３２を含有している。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換を容易、且つ迅速に行えるスパッタ装置のターゲット固定構造を提供する。
【解決手段】固定部材３０にターゲット５が固定される。固定部材３０に対して着脱自在に設けられる保持部材３５を有し、ターゲット５が、固定部材３０と保持部材３５との間で挟持して保持される。 （もっと読む）

【課題】微結晶の発生を抑制したアモルファスＩＴＯ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】アモルファスＩＴＯ膜Ｍの成膜中に基板Ｗを基板ステージ３上にクランプ４により密着させた状態で基板ステージ３に冷媒Ｇを冷媒循環手段５により循環させて基板Ｗを真空チャンバ２の室温以下に冷却する。基板Ｗの温度上昇に伴いアモルファスＩＴＯ膜Ｍの内部に微結晶が発生することを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】より安定な記憶保持が行えるメモリを実現するため、強誘電特性を示す金属酸化物層を半導体基板上に配置した金属酸化物素子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の上に、中間電極層１０２と、この上に形成され、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚１００ｎｍの金属酸化物層１０３と、上部電極１０４とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０５を備える。例えば、金属酸化物層１０４は、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂の化学量論的組成に比較して過剰なＴｉを含む基部層の中に、Ｂｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂の化学量論的組成の３ｎｍ〜１５ｎｍ程度の複数の微結晶粒から構成されている。また、金属酸化物層１０４は、３０〜１８０℃と低温条件のスパッタ法により形成されている。 （もっと読む）

【課題】大気開放状態における真空容器の内部の環境を改善することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置は、成膜処理ユニット３を収容し、密閉可能な真空容器１と、真空容器１内を真空にする真空排気系５と、前記真空容器１から気体を送出して、大気開放状態における真空容器１の内部を換気する排気ファン４３と、排気ファン４３および真空容器１の間を連通する第２配管４１を開閉するバルブ４５とを備えている。基板１１に膜を形成する際は、バルブ４５を閉止させることで、真空排気系５は真空容器１内を真空にすることができる。また、真空容器１が大気開放状態にあるときは、バルブ４５を開放させるとともに、排気ファン４３は真空容器１から気体を送出することで、真空容器１内を換気することができる。これにより、大気開放状態における真空容器１の内部の環境を改善することができる。 （もっと読む）

本方式は、１１より多い元素を含む非晶質金属源を提供するステップと、１１より多い元素を含む非晶質金属を表面にスプレーで塗布するステップとを含む。１１より多い元素を含む非晶質金属製の複合材料を含む皮膜。堆積室と、堆積スプレーを生成する堆積室の堆積源であって、１１より多い元素を含む非晶質金属製の複合材料を含む堆積源と、構造物に堆積スプレーを向ける系とを含む、構造物に耐食性非晶質金属皮膜を生成する装置。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が優れると同時に耐焼付性も優れ、かつ相手攻撃性も小さく、しかも摩擦係数も小さい摺動部材を提供する。
【解決手段】第１基材１１及び第１基材１１上に形成された第１摺動層１２を有する第１部材（シフトフォーク）１と、第２基材２１及び第２基材２１上に形成され第１摺動層１２と摺動する第２摺動層２２を有する第２部材（ハブスリーブ）とからなる。第１摺動層１２はＳｎめっき層であり、第２摺動層２２はダイヤモンドライクカーボン層である。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材に、等価弾性定数が１００〜２８０ＧＰａで厚さが１μｍ以上３μｍ以下のＤＬＣ層Ｄが被覆されている。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド膜あるいはダイヤモンド状炭素膜に代わって、工具、金型、機械部品などの耐磨耗性および耐久性を向上させるための炭素膜を提供する。
【解決手段】カソードアークイオンプレーティング法で、固体炭素である等方性グラファイトを原料とし、真空度０．０５Ｐａ以下の雰囲気下で、合成温度１００〜３００℃で成膜され、密度が２．８〜３．３ｇ／ｃｍ³、スピン密度が１×１０¹⁸〜１×１０²¹spins／ｃｍ³、ヌープ硬度が１５００〜６０００である炭素膜。炭素濃度が９９．５原子％以上、水素濃度が０．５原子％以下、希ガス元素濃度が０．５原子％以下、ヌープ硬度が２０００〜６０００であることが好ましい。この炭素膜が被覆された炭素膜被覆部材は、耐磨耗性および耐久性に優れている。 （もっと読む）

【課題】上蓋の開閉動作や開閉位置にかかわらず、成膜処理室内の異物を検出し、上蓋の開閉動作を停止させ、上蓋の開閉動作時における作業者に対する安全性を向上させることを目的とする。
【解決手段】成膜装置は、成膜処理室と、成膜処理室の上蓋を開閉する上蓋開閉機構と、上蓋の開閉を撮像する撮像装置と、撮像装置で取得した画像を画像処理する画像処理回路と、上蓋開閉機構の作動を制御するインターロック回路とを備える。ここで、画像処理回路は、撮像装置で取得した画像から異物を検出し、インターロック回路は、画像処理回路による異物検出に基づいて、上蓋開閉機構の作動を停止する。画像処理回路は、この撮像装置で撮像した画像から、成膜処理室および上蓋の画像を除く画像処理を行うことで、異物が存在する場合にはこの異物の画像のみを抽出し、この画像から異物が存在することを識別する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ膜とＳｉＯ_２膜とを交互に積層した光学積層膜において、光散乱が小さく、透過損失が少ない光学多層膜及びその製造方法を得る。
【解決手段】ＴｉＯ_２膜とＳｉＯ_２膜とを交互に積層してなる光学多層膜において、ＴｉＯ_２膜が非晶質であることを特徴としており、該光学多層膜は、Ａｒガスを４〜２５質量％含有するＯ_２ガス中で真空蒸着することにより、ＴｉＯ_２膜を成膜して得られる。 （もっと読む）

強化材の層を成長させること、及び、前記層をマトリックスで含浸することを含む、複合材の製造方法。強化材の層は化学蒸着法によって形成されうる。この方法は、所望の形状及び物性を有する部品を形成するためのアディティブ層製造技術として使用でき、又は、薄いシート材料を形成するために使用できる。
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【課題】安定的にｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜することができるｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを大型化してもそのクラックや破壊を未然に防止できる新規なコーティング装置およびスパッタリング成膜方法の提供。
【解決手段】チャンバー10内に設置されるバッキングプレート90に当該バッキングプレート90と線膨張係数の異なる板状のターゲット40を備えたコーティング装置100であって、前記ターゲット40を複数の分割ターゲット40aで構成すると共に当該各分割ターゲット40a同士を元の形状を維持すべく互いに所定の隙間を隔てて配置し、各々前記バッキングプレート90に取り付ける。これによって、各分割ターゲット40a間の隙間が適宜拡大縮小することでその膨張収縮量の差を吸収できるため、大型のターゲット40を用いた場合でも、これにクラックや破壊が生ずるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 プロセスマージンが広く、特性に優れ、且つ信頼性の高い酸化物薄膜トランジスタを作成する。
【解決手段】 アモルファス酸化物半導体膜からなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記活性層を形成する工程は、
導入酸素分圧が１×１０^−３Ｐａ以下の雰囲気中で前記酸化膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、酸化雰囲気中で熱処理を行う第２の工程と、
を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性が高い保護層を有するプラズマディルプレイパネルの提供。
【解決手段】放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、前記前面基板上および／または前記背面基板上の放電電極と、前記放電電極を被覆する誘電体層と、前記誘電体層上の保護層とを有し、前記保護層の少なくとも一部がマイエナイト型化合物からなる、プラズマディスプレイパネル。 （もっと読む）