【課題】ＤＬＣ被膜と基材との密着性向上を図り、ＤＬＣ被膜が基材から不所望に剥離することを防止でき、耐摩耗性の向上を図り、エンジンの運転開始初期状態等での表面損傷を防止して、焼き付き防止を図れるだけでなく、その後の潤滑状態を良好にして、十分な耐久性の確保を図れるロッカアームアッシーを提供する。
【解決手段】ＤＬＣ被膜１２を軸基材８に施し、このＤＬＣ被膜１２は、sp2-及びsp3-交雑炭素を含むアモルファス炭化水素を有する最外層の表面層と、この表面層よりも内側で且つ軸基材８に臨み、少なくともクロムを含有する下地層と、これら表面層と下地層との間に介在され、クロムと炭化タングステンとを含むクロム-炭化タングステン層とを有し、前記クロム-炭化タングステン層の炭化タングステンの含有量が、前記下地層側から前記表面層側に向かって増加する傾斜構造を有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、かつ耐湿性・耐薬品性に優れた、酸化亜鉛系導電膜及び酸化インジウム系透明導電膜を積層してなる積層型透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜層（Ａ）と酸化インジウムを主成分とする透明導電膜層（Ｂ）とをこの順に積層してなる積層型透明導電膜において、前記透明導電膜層（Ｂ）がアモルファス構造であり、このような積層型透明導電膜は透明導電膜層（Ａ）の成膜を、１×１０^−４Ｐａ〜１．０１３×１０^５Ｐａの到達真空度にてスパッタリング法にて行うことにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】シリカ膜を形成する蒸着原料材料であって、スプラッシュレスで又はスプラッシュの発生を極微小に抑制し、かつ高速成膜を実現する蒸着原料材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３を超え１．６ｇ／ｃｍ^３以下、かつＳｉＯｘのｘが１を超えて１．３以下である多孔質珪素酸化物。この原料として、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によるＳｉ２Ｐスペクトルにおいて、シリコンの価数が１〜３に相当する結合エネルギーに帰属されるピーク面積が、金属シリコン及び二酸化シリコンを含む全面積の１０％以上となる珪素酸化物が好適に用いられる。そして、これを原料として粉砕し、プレス後、８００〜１１００℃で焼成することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】ゼーベック係数を大きくしてエネルギーの変換効率の高い熱電変換材料を得る。
【解決手段】熱電変換材料は、金属元素からなる金属層２が、二次元的な三角格子を形成する２つのＣｏＯ_２層１，１間に挟まれ、厚みが結晶構造の単位格子のｃ軸長と一致する層状構造を有している。 （もっと読む）

【課題】特性が異なる２つの領域が膜の表面に露出した有用性の高い炭素系薄膜を提供する。
【解決手段】炭素系非晶質薄膜１５の表面からこの膜の一部に金属元素のイオン３２を注入することにより、薄膜１５に、金属元素を含む第１領域と金属元素を含まない第２領域とを形成する工程と、少なくとも第１領域にエネルギーを供給することにより、第２領域におけるグラファイトクラスターの成長を当該クラスターの粒径が２ｎｍ以下となる程度に抑制しながら、第１領域に粒径が２ｎｍを超えるグラファイトクラスターを形成する工程と、を実施して、炭素系薄膜を得る。好ましい金属元素はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕである。好ましいエネルギーの供給方法は電子線照射である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。
【解決手段】（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程；（ｂ）前記混合物を成形して成形体を調製する工程；及び（ｃ）前記成形体を１１００℃以上１３８０℃以下で２時間以上焼成する工程を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高面圧下や油潤滑環境下で用いられる摺動部材の表面に形成した場合であっても、優れた耐久性を発揮する窒素含有非晶質炭素系皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の窒素含有非晶質炭素系皮膜は、摺動部材の摺動面に、物理蒸着法により形成される窒素含有非晶質炭素系皮膜であって、水素を８．０原子％以上１２．０原子％以下、および窒素を３．０原子％以上１４．０原子％以下含むところに特徴を有する。本発明の窒素含有非晶質炭素系皮膜を、摺動部材の組み合わせ（例えば自動車エンジンの摺動部品等）であって、該摺動部材の少なくとも一方の摺動面に形成すれば、その効果が十分に発揮される。 （もっと読む）

作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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基材と酸素化ガスが注入された被覆層とを有する物体が開示される。本発明の被覆層によって、従来の被覆と比較して改善された物理的耐久性、耐薬品性、光透過性、およびアブレーション性が得られる。
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【課題】酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）元素と、Ｓｎ（錫）元素と、６周期までの、３Ａ族元素、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、７Ａ族元素、８族元素及びＳｎより原子番号の小さい４Ｂ族から選択される１種以上の元素Ｘを含む酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性を、ＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良することのできる透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体をターゲットとして用い、不活性ガスおよび酸素の混合ガス雰囲気下で、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することによる透明導電膜の製造方法であって、前記混合ガスの酸素濃度（体積％）を０．０１以上０．４以下の範囲とすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。前記物理的成膜法がスパッタリングである前記の透明導電膜の製造方法。前記焼結体がＺｎ、ＳｎおよびＯからなり、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が、０．５を超え０．７未満の範囲である前記の透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 成膜方法及び成膜装置に関し、ＦＣＡ法により成膜する際に、成膜レートを維持しつつ、被成膜基板上に付着するマクロパーティクル数を低減する。
【解決手段】 成膜原料のプラズマを発生するプラズマ発生部と、成膜原料を用いて被膜が形成される被成膜基板を内部に保持する成膜室と、プラズマを、プラズマ発生部から成膜室へ誘導する誘導管と、誘導管の内側に配置され、プラズマが通過可能な開口を有するパーティクル阻止部材とを有する成膜装置を用いて、プラズマ発生部においてプラズマを発生させるとともに、プラズマ発生部とパーティクル阻止部材との間に設置された電極に電圧を印加して、プラズマを開口に集め、開口を通過したプラズマにより被成膜基板上に被膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ含有量を減らすことができ、しかも、導電性などの膜特性がＩＴＯ膜に匹敵するレベルにまで改良された透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする焼結体であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．７以上０．９以下の範囲である焼結体をターゲットとして用い、物理的成膜法により支持体上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製造方法。Ｚｎ、ＳｎおよびＯを主成分とする透明導電膜であって、ＳｎモルとＺｎモルの和に対するＳｎモルの比（Ｓｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ））が０．８以上０．９以下の範囲であり、しかも非晶質膜であることを特徴とする透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともインジウム化合物及び亜鉛化合物を含む原料を混合する工程（Ａ）と、
工程（Ａ）で得られる混合物を成形する工程（Ｂ）と、
工程（Ｂ）で得られる成形体を、８００℃以上１２００℃未満の温度帯域まで加熱した後、１時間以上保持する工程（Ｃ）と、
工程（Ｃ）後の成形体を１２００℃以上で焼結させる工程（Ｄ）を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金ターゲット材において、アモルファス化と耐食性の向上を容易に実現し、かつ磁気特性に優れたＦｅ−Ｃｏ系合金組成のスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が（Ｆｅ_Ｘ−Ｃｏ_{１００−Ｘ}）、３０≦Ｘ≦８０で表されるＦｅ−Ｃｏ合金に、ＴａあるいはＮｂを１０〜３０原子％含有するスパッタリングターゲット材において、ＦｅとＣｏを主体とするＢＣＣ相における（１１０）面のＸ線回折強度［Ｉ（ＦｅＣｏ−ＢＣＣ）］とＴａあるいはＮｂを主体とするＢＣＣ相における（１１０）面のＸ線回折強度［Ｉ（ＴａＮｂ−ＢＣＣ）］の強度比［Ｉ（ＴａＮｂ−ＢＣＣ）／Ｉ（ＦｅＣｏ−ＢＣＣ）］が０．１５以下である軟磁性膜形成用Ｆｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

基材上にコーティングを蒸着する方法であって、（a）陰極真空アーク（CVA）蒸着工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程、および（b）CVA蒸着を除く物理蒸着（PVD）工程を実施することによって、基材上に材料を蒸着する工程を含み、工程（a）において蒸着された材料の厚さが、工程（b）において蒸着された材料の厚さよりも大きい、方法を提供する。

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