【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Ｏリングが使用されている。ＤＬＣ膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ０．３５を０．０８〜０．１５程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】１例として挙げたエアーシリンダー１は、ハウジング２の内部にピストン４およびピストンロッド３が一対となりエアー室７にエアー出入口８，９から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー１の機能を発揮するため、Ｏリング５およびＯリング６がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Ｏリング５，６の摩擦係数を下げるためＤＬＣ膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品において従来技術よりも高い耐摩耗性（高い耐久性）を備えた摺動部品およびそれを用いた機械装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品であって、前記硬質部材の基材の最表面には窒素を含有する非晶質炭素皮膜が形成されており、前記非晶質炭素皮膜は、炭素と窒素との合計を100原子％とした場合に、窒素の含有率が3〜25原子％であり、前記シール部材は、少なくとも摺接面領域にフッ素を含有し、該フッ素の含有率が前記窒素の含有率以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面の親水性に優れ、摺動抵抗が小さいダイヤモンド状炭素被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが３５ｍＪ／ｍ^２以上であることを特徴としており、ダイヤモンド状炭素被膜中におけるケイ素含有量は、３原子％以上であることが好ましく、スパッタリング法により形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プリベーク・ポストベーク工程を経ても弱酸でのパターニング処理が可能な特定の組成の非晶質膜を結晶化することにより、耐候性が高く、高抵抗な透明導電膜を製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｓｎ、元素Ａ（ただし元素Ａは、Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙ，Ｙｂから選ばれる１種以上）および酸素からなる非晶質透明導電膜であって、当該膜を構成する元素の原子比を、ｘ＝［元素Ａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）、ｙ＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）としたときに、ｘ＝０．００２〜０．０５、かつ、−０．６１２ｘ＋０．０８０６≦ｙ≦−１．０２ｘ＋０．１５１である非晶質透明導電膜を、酸素共存下で２５０℃から３００℃で加熱し、結晶質透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材１００は、鋼材などを用いて形成された基材２００と、基材２００の表面を被覆するＦｅ−ＤＬＣ膜３００とを備えている。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、摺動部材１００の摺動面１０１の少なくとも一部を形成し、相手部材４００の表面と摺動する。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、Ｆｅが添加されたＤＬＣからなる堆積膜である。この実施形態では、Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００におけるＦｅの濃度はたとえば約３ａｔ．％である。相手部材４００は、非鉄系の軟質材料（たとえばＣｕ材料など）を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）、及び、膜の安定性に問題がある亜鉛（Ｚｎ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ）と、金属元素Ｘ（但し、ＸはＡｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｔｉから選択される１種以上の元素を表す）と、酸素（Ｏ）とからなり、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及び、金属元素Ｘの原子数比がそれぞれ、０．２≦［Ｉｎ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．８、０．１≦［Ｍｇ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５、及び、０．１≦［Ｘ］／［Ｉｎ＋Ｍｇ＋Ｘ］≦０．５を満たす酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金基材表面に、良好な導電性を有するＤＬＣ皮膜が設置された導電性部材を提供する。
【解決手段】マグネシウム金属またはマグネシウム合金の基材の表面に、ＤＬＣ皮膜が設置されて構成された導電性部材であって、前記ＤＬＣ皮膜は、１０．３ａｔ％未満のアルミニウムを含み、前記基材と前記ＤＬＣ皮膜の間には、両者の密着性を向上する中間層が設置されていることを特徴とする導電性部材。 （もっと読む）

【課題】剥離の進展が抑制された状態のＤＬＣ膜より構成される硬質層がより簡便に形成できるようにする。
【解決手段】基材１０１の粗面とされた表面１０２と、表面１０２に形成されたダイアモンドライクカーボンからなる硬質層１０３とを備える。また、表面１０２の算術表面粗さが０．２から０．４の範囲とされ、硬質層１０３は、層厚１〜３μｍの範囲とされている。粗面は、例えば、サンドブラストなどのブラスト処理による加工や、バフ研磨などの粗研磨により形成することができる。硬質層１０３は、基材１０１の表面１０２の上に、よく知られたＰＶＤ法によりＤＬＣ膜を形成すればよい。例えば、ＤＬＣ膜は、黒鉛をターゲットとしたイオンプレーティング法やスパッタリング法により形成できる。 （もっと読む）

【課題】 フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。誘電材料は、公式Ｒ_x−Ｇｅ_y−Ｔｉ_z−Ｏ_wを有することが好ましく、ここで、．０５≧ｘ≦１、．０５≦ｙ≦１、０．１≧ｚ≦１、１≧ｗ≦２、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１であり、さらに好ましくは、０．１５≧ｘ≦０．７、．０５≧ｙ≦０．３、０．２５≧ｚ≦０．７、１．９５≧ｗ≦２．０５であり、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１である。本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】鉄を含み表面に酸化被膜を有する金属に、従来の技術を用いるよりも密着性の高い炭素膜を形成する。
【解決手段】制御部４は、酸溶液をウェットエッチング槽１１１に供給させる。そして、供給された酸溶液により鉄合金が浸漬されると、制御部４は、保温部４２０を制御してウェットエッチング槽１１１の内部の温度を、予め定めた時間に亘り予め定めた温度に維持する。これにより、鉄合金が有する酸化被膜が酸溶液に溶出する。制御部４は、ウェットエッチング槽１１１から酸溶液を排出させ、蒸留水をウェットエッチング槽１１１に供給させる。これにより、ウェットエッチング槽１１１の内壁や鉄合金に付着した酸溶液が洗浄される。ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特にＺｎＯ濃度が高い領域であっても、また保護膜形成後およびストレス印加後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、ＺｎおよびＳｎを含み、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａ、および希土類元素よりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素を更に含んでいる。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、導電性フィルム上に導電性酸化物とカーボン薄膜層をこの順に形成することにより、導電性およびバリア性の両立が可能となり、さらには長期使用による性能の劣化を抑制するなどといった長期耐久性に優れた、導電性バリアフィルムを作製することが可能となる。
【解決手段】導電性フィルム上の少なくとも１面に、導電性酸化物層とカーボン薄膜層がこの順に形成されていることを特徴とする、導電性バリアフィルムを用いる。 （もっと読む）

【課題】 光学素子成形用型の型母材にＦＣＶＡ法によってｔａＣ膜を成膜する工程において、開角の大きな凸形状の型の周辺の傾斜部の膜質が劣るのを防ぐ。
【解決手段】 光学素子成形用型の型母材１０に、ＦＣＶＡ法によりｔａＣ膜１２を成膜する工程で、型母材１０を浮遊電位に保ち、絶縁部材３ａ、３ｂを介して型母材１０を保持する型母材保持部材２に電圧を印加する。また、型母材１０に内設した磁石４によって、型母材１０の転写面の法線方向に磁力を作用させる磁場を形成することで、膜質を均一化する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が所定の材料を含み、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高信頼性を備え且つより安定的に長期間使用可能な燃料電池セパレータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】燃料電池セパレータ１は、基材３と基材３上に形成されるアモルファス合金層５とを備えたことを特徴とする。基材３は、金属又は導電性樹脂からなる。導電性樹脂は導電性プラスチックでもよい。アモルファス合金層５は積層された膜からなり、主成分は、ニッケル、鉄、クロム及びコバルトの何れかである。アモルファス合金層５の材料は、３つ以上の元素からなる金属ガラスでもよい。 （もっと読む）