【課題】高温環境下での耐摩耗性および耐溶着性に優れた被膜、その被膜を含む切削工具およびその被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】切削工具の基材上に形成される被膜であって、第１酸化物層と第１酸化物層上に形成された第２酸化物層との積層体を含み、第１酸化物層は第２酸化物層よりも基材側に位置しており、第１酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有し、第２酸化物層の組成は、以下の式（１）で表わされ、
（Ａｌ_１−ｘＺｒ_ｘ）_２Ｏ_{３（１＋ｙ）} …（１）
式（１）において、ｘは０．００１≦ｘ≦０．５を満たす実数であり、ｙは−０．１≦ｙ≦０．２を満たす実数であって、第２酸化物層は非晶質である被膜である。また、その被膜を含む切削工具と、その被膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大容量のリチウム二次電池に好適な電極を与えることのできるシリコン膜と、その簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉ化合物からなるアスペクト比２０以上の柱状構造の集合体である柱状集合体を複数有することを特徴とするシリコン膜。柱状構造の直径が１０〜１００ｎｍであって、膜厚が０．２〜１００μｍである前記シリコン膜。ＳｉまたはＳｉ化合物からなる蒸着源を用いてシリコン膜を基板に蒸着するシリコン膜の製造方法であって、蒸着源の温度を１７００Ｋ以上とし、基板温度を蒸着源の温度より７００Ｋ以上低くすることを特徴とするシリコン膜の製造方法。蒸着源−基板間距離（Ｄ）が、基板の垂直方向からみた基板の最小径（Ｐ）よりも小さい前記のシリコン膜の製造方法。前記シリコン膜を有する電極。前記電極を、負極として有するリチウム二次電池。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、ＰおよびＴｉからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性または導電性を発現する。 （もっと読む）

【課題】オフ特性およびキャリア移動度に優れた、高品質の、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体からなる活性層とを備えてなる。そして、活性層とソース電極の間および活性層とドレイン電極の間には、炭素製のバッファ層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング加工性を有することで下部材料及びその他物質の侵食を発生させず、且つ残渣などの諸問題を生じさせない透明伝導膜とこれを形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ_２）及びガリウムを含み、錫原子の含有率が、インジウム原子及び錫原子の合計に対して５ないし１５原子％であり、ガリウム原子の含有率が、インジウム原子、錫原子及びガリウム原子の合計に対して０．５ないし７原子％であることを特徴とする酸化インジウム錫スパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】放射率を増加させた放射体とその製造方法を提供する。
【解決手段】全体構造のサーマル放射率を増加させるのに役立つ薄膜コーティングを有する放射体１０は、基板１２、アモルファスカーボン層１６、及び前記基板１２と前記アモルファスカーボン層１６の間に挿入された金属化カーバイド形成層１４を備えている。さらに、放射体を製造する方法は、基板上に金属化カーバイド形成層を形成する工程、及び前記金属化カーバイド形成層上にアモルファスカーボン層を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制し、かつ特性を向上する半導体酸化物を提供する。
【解決手段】半導体酸化物は、非結晶質の半導体酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度は、１×１０²⁰ａｔｏｍ／ｃｃ以上１×１０²²ａｔｏｍ／ｃｃ以上であり、Ｉｎの濃度とＧａの濃度とＺｎの濃度との合計の濃度に対するＩｎの濃度の比が０．３０以上０．６６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の湿式断続切削加工で、すぐれた潤滑性、耐チッピング性、耐熱塑性変形性を示し、長期の使用に亘ってすぐれた仕上げ面精度を維持し得る表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメット、ｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層の少なくとも一層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記硬質被覆層の最表面に、必要に応じ、１００〜３００ｎｍの膜厚の結晶質窒化珪素膜からなる中間膜を介して、１００〜５００ｎｍの膜厚の非晶質窒化珪素膜からなる潤滑膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐酸化性と潤滑性を備えることにより、耐チッピング性、仕上げ面精度の向上を図った表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ超硬合金、ＴｉＣＮ基サーメット、ｃＢＮ基超高圧焼結材料からなる工具基体の表面に、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層の少なくとも一層からなる硬質被覆層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上記硬質被覆層の最表面に、１００〜５００ｎｍの膜厚の非晶質二酸化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＡＲＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキがあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】高周波成分カットフィルターにより高周波成分をカットした直流電力印加の下で、強磁性体ターゲットをDCスパッタリングすることによってアモルファス状態の強磁性体膜を成膜し、そして酸化マグネシウムターゲットを高周波スパッタリングすることによって結晶酸化マグネシウム膜を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置２００。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置に使用されるシールドが原因となる、異常放電や付着膜の剥がれを低減させたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気可能なスパッタリング室と、該スパッタリング室内に設けられた、ターゲット搭載用のそれぞれ回転可能な複数の支持体と、それぞれの該支持体の複数の面に、互いに離間するように設けられた、複数のカソードと、前記スパッタリング室内で位置決めされた基板の被成膜面の位置に応じて、前記複数の支持体毎に回転させることにより、前記カソードのターゲット搭載面に搭載された前記ターゲットの位置決めをして前記基板に成膜を行うスパッタリング装置のシールドが、前記支持体の前記ターゲットをプラズマクリーニングするために、該ターゲットの表面と平行関係にある構成を有している。 （もっと読む）

本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）層でコーティングする。このＤＬＣ層を、ＤＬＣコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、ＤＬＣ層のピンホールを閉じる。
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【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を結晶化させることにより透明電極の耐薬品性を高めることができると共に、透明導電膜の結晶化時に高分子材料基板を変形・劣化させることがない透明電極の製造方法を提供する。
【解決手段】高分子材料基板上に、Ｓｎを含有する非晶質透明導電膜を形成する工程と、非晶質透明導電膜を１１０℃以上１３０℃未満の温度で熱処理して結晶質透明電極とする工程とを含むことを特徴とする、透明電極の製造方法である。ここで、非晶質透明導電膜のＳｎ濃度は、ＳｎＯ_２換算で１〜５質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。第１透明導電層３−１はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）であり、第２透明導電層３−２はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた非結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。前記第１透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層であり、前記第２透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）とするのが望ましい。 （もっと読む）

本発明は、化学組成Ｃ_ａＳｉ_ｂＢ_ｄＮ_ｅＯ_ｇＨ_ｌＭｅ_ｍ（Ｍｅは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎからなる群の少なくとも１つの金属であり、ａ＋ｂ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＋ｌ＋ｍ＝１である）を有する保護コーティングに関する。本発明によれば、０．４５≦ａ≦０．９８、０．０１≦ｂ≦０．４０、０．０１≦ｄ≦０．３０、０≦ｅ≦０．３５、０≦ｇ≦０．２０、０≦ｌ≦０．３５、０≦ｍ≦０．２０の条件が満たされる。本発明は、また、保護コーティングを有するコーティング部材、並びに部材のための保護コーティング、特に多層膜を製造するための方法に関する。
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本発明は、高い圧力及び高い温度にさらされる、特に燃料噴射システムの構成要素（Ｂ）のための摩耗保護層構造（２０）に関する。この摩耗保護層構造（２０）は、正方晶系に結合されたアモルファス炭素より形成されているか、又は一部が正方晶系に結合されたアモルファス炭素を有する保護層（２１）を有しており、該保護層（２１）と前記構成要素（Ｂ）との間に、チタンを含有する接着促進剤層（２２）を有している。本発明によれば、前記接着促進剤層（２２）が、チタンの他に追加的に少なくとも１つの耐酸化性の元素を含有している。
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