【課題】比較的大きい表面凹凸が形成される磁気記録層上であっても、ＦＣＶＡ法により、ステップカバレッジ、および、耐食性・耐摩耗性に優れた磁気記録媒体用薄膜を成膜できる。
【解決手段】回転駆動機構部およびチルト機構部が制御ユニット４０に制御されることにより、基板ホルダー２０および記録媒体用基板２８’の傾斜角θが、成膜中、保護層の膜厚の増大に応じて最小傾斜角度から最大傾斜角度まで連続的に変化する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法で形成したＤＬＣ膜よりも緻密であり、かつパーティクルを必要十分なレベルまで低減したテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜、および該保護膜を有する磁気記録媒体の提供。
【解決手段】陰極ターゲットとしてガラス状炭素を用いたフィルタード・カソーディック・アーク法によって形成されるｔａ−Ｃ膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜。基体と、磁気記録層と、ｔａ−Ｃ膜を主体とする保護膜とを有する磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】被加工材をパンチにより打ち込む際、およびその後に被加工材からパンチを引き離す際に、被加工材とパンチとの間に発生する摩擦抵抗を低減することにより、コーティング膜の剥離が抑制され、パンチの耐久性を向上させる。
【解決手段】基材２の表面粗さを０．１５μｍ以上かつ０．３０μｍ以下とするので、基材２の表面に形成されたコーティング膜５の表面粗さを小さくすることが可能となる。このため、塑性加工を施す際に、被加工材とパンチ１２との間に発生する摩擦抵抗を低減でき、パンチ１２の耐久性を向上させることができる。このようにして、パンチ１２にクラックまたはヒビが発生し、最終的にはパンチ１２が折れてしまうまでの耐用回数を増やし、パンチ１２を長く持ち堪えさせることができる。 （もっと読む）

【課題】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、新規酸化物結晶相を含む、外観が良好なスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、（Ｇａ,Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される酸化物結晶相を含む酸化物を提供する。この酸化物をスパッタリングターゲットとして利用する。 （もっと読む）

【課題】酸素バリア性と水素バリア性を有し、強誘電体キャパシタの構造が簡単で製造方法が容易な強誘電体メモリ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラグ電極２４に接続された導電性バリア膜１と、導電性バリア膜１上に配置され、導電性バリア膜１を介してプラグ電極２４に接続された下部電極２と、下部電極２上に配置された強誘電体膜３と、強誘電体膜３上に配置された上部電極４と、上部電極４上に配置された導電性水素バリア膜５と、導電性水素バリア膜５上に配置され、導電性水素バリア膜５を介して上部電極４に接続されたＶＩＡ電極２６と、導電性水素バリア膜５上、および導電性バリア膜１，下部電極２、強誘電体膜３，上部電極４，および導電性水素バリア膜５の側壁上に配置された絶縁性水素バリア膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一で安定したプラズマを発生させ、かつ、基体に比較的広い面積に亘って均一な膜厚、特性を維持することが可能なスパッタ成膜方法、電子素子の製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０１の内部に被成膜基板１１５の搬送方向に対して等間隔に配置され、かつ、被成膜基板１１５との距離がそれぞれ異なる複数の矩形状ターゲットのうちで、隣り合う第１のターゲット１０４及び第２のターゲット１０５における被成膜基板１１５の搬送方向と平行な辺の長さをＷ１及びＷ２とし、間隔をＬとしたときに、Ｌ≦３（Ｗ１＋Ｗ２）を満たすとき、基板１１５までの距離をＴで表したときに、複数のターゲット１０４，１０５，１０６のうちで最長になっている最長距離Ｔｍａｘと、そのときの間隔Ｌとの関係が、０．４≦Ｔｍａｘ／Ｌ≦０．８を満たすようにスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】 軸受の摩耗の一形態である硬質異物混入潤滑下での摩耗を低減することができる軸受を提供する。
【解決手段】 軸８の少なくとも軸方向中間部が熱処理により硬化され、軸８、外輪９、および転動体１０の少なくともいずれか一つの転走面に硬質被膜１２を施し、この硬質被膜１２のダイナミック硬度をＨＤ８００以上ＨＤ２０００以下とし、硬質被膜１２の膜厚δ２が１μｍ以上５μｍ以下で、且つこの膜厚δ２が硬質被膜１２の軸方向中央Ｐ１の膜厚δ２を基準として±２μｍ以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】チッピングなどの欠陥を生じることなく、高い耐磨耗性を示し、しかも切削抵抗が低いＤＬＣ被覆工具を提供する。
【解決手段】基材上に実質的に水素を含まないＤＬＣ膜を形成したＤＬＣ被覆工具において、上記ＤＬＣ膜が、波長６３２．８ｎｍのレーザを用いたラマン分光スペクトルにおいて、１０００〜１２００ｃｍ^−１の間にピークを有する特性バンドとしてＳバンドを持ち、ＤバンドとＧバンドの面積強度比Ｓｄ／Ｓｇが０．８以下であり、ＳバンドとＤバンドのピーク強度比Ｉｓ／Ｉｄ及び面積強度比Ｓｓ／Ｓｄがいずれも０．１５以上であると共に、上記ＤＬＣ膜表面における直径０．１μｍ以上の凸部の個数Ｎｐ（個／ｍｍ^２）と膜厚ｔ（ｍｍ）の比Ｎｐ／ｔを１．５×１０^８以下、直径０．１μｍ以上の凹部の個数Ｎｈとの膜厚ｔの比Ｎｈ／ｔを１．０×１０^８以下のものとする。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好であるとともに、耐熱性に優れた導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｗ、Ｎ、Ｆ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｐ及びＢｉからなる群から選ばれる１又は２以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる層（Ｚ）が２層以上設けられており、該２層以上のうち少なくとも１層は、チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が０．０１〜４原子％である第２層（Ｚ２）１２であり、該第２層（Ｚ２）１２と基板１０との間に、該第２層（Ｚ２）よりも、前記チタンとドーパントの原子数合計に対するドーパントの原子数の割合が多い第１層（Ｚ１）１１が設けられていることを特徴とする導電体。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体（ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子）として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さＲｙが１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 （もっと読む）

【課題】膜厚均一性が良好で、かつ、突沸に起因する欠陥等の少ない蒸着膜が成膜できるルツボ、真空蒸着方法、および真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】底面が水平になる成膜材料の収容部を有し、かつ、成膜材料蒸気の排出口の少なくとも一部の高さが他の部分よりも高い第１の条件、および、成膜材料蒸気の排出口を形成する壁面の少なくとも一部が傾斜する第２の条件の、少なくとも一方の条件を満たすルツボを用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】良好なペロブスカイト型の強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に、酸化イリジウム層を形成する工程と、酸化イリジウム層上に、ペロブスカイト型の導電性酸化物からなり、第１電極３３ａの最上層となる酸化物電極層３３２ａを形成する工程と、酸化物電極層３３２ａ上に強誘電体膜３４ａを形成する工程と、強誘電体膜上に第２電極３５ａを形成する工程と、を有する。酸化物電極層を形成する工程は、導電性酸化物の金属成分を含有した有機金属材料と酸素とを供給しかつ化学反応させるとともに、その生成物を成膜する成膜プロセスを含む。成膜プロセスは、供給する有機金属材料を化学反応させるのに必要な量未満の酸素を供給して成膜する低酸素処理と、その後に化学反応させるのに必要な量以上の酸素を供給して成膜する高酸素処理と、を含む。 （もっと読む）

【課題】
本発明は平ベルトのように回転をスムーズに伝達するベルトにアモルファス材を選択し、新しい製法開発により、従来の平ベルトよりもトルク伝達能力が大きくできる減速駆動機構ベルトの素材となるアモルファス円筒の製造装置及びアモルファス円筒製法を提供する。
【解決手段】
真空チャンバー１内部のターゲット４に対して平行な軸１４を有する薄肉ドラム１０を備え、薄肉ドラム１０の外周にターゲット４をスパッタ成膜するアモルファス円筒製造装置１００であって、真空チャンバー１外部から内部の薄肉ドラム１０の軸心に送気および排気の配管３６，３７がされ、配管３６，３７に気体又は液体の冷却材を還流させて薄肉ドラム１０を冷却する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡用試料ホルダの電子線窓に、薄くかつ反応性の低い薄膜を形成すること。
【解決手段】本発明は、ＢＮ膜を形成すべき基板を冷却する工程Ｓ１２と、スパッタリング法を用い、前記基板上に非晶質ＢＮ膜を形成する工程Ｓ１４と、を有する薄膜形成方法、前記薄膜を用いた電子顕微鏡用試料ホルダおよびその形成方法である。本発明によれば、非晶質ＢＮ膜を均一に形成することができる。よって、反応性の低いＢＮ膜を薄く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】良質の膜、特に、成膜室内残留水分に起因する酸素及び（又は）水素の取り込みの抑制された膜を形成できるアーク式イオンプレーティングによる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器（成膜室）２内の水分を冷却捕捉する冷却器５１部分が室２内に設置されたコールドトラップ装置５と、蒸発源１のカソード１１のカソード材料蒸発面１１１の前方において収束せず平行進行又は発散する磁力線ｍＬからなる磁場をプラズマの生成領域に印加する磁場形成手段３００と、カソード材料蒸発面１１１におけるいずれの位置からも冷却器５１を見通せなくするとともに磁場形成手段３００が発する磁力線ｍＬに沿ってプラズマが冷却器５１へ達することを遮るための遮蔽部材６とを備えているアーク式イオンプレーティングによる成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。
【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の燃費を向上すべく、耐摩耗性、密着性及び耐焼き付き性に優れ、摩擦係数が低い非晶質炭素被膜を表面に被覆した摺動部品を提供する。
【解決手段】 Ｃｒ、Ｍｏ、及びＷからなる群から選択される少なくとも１種類の添加金属と炭素と水素とからなる非晶質炭素被膜を、固体カーボンのターゲット１０ａ、１０ｂと炭化水素ガスとを併用することによって少なくとも表面の一部に形成した内燃機関の摺動部品であって、該非晶質炭素被膜を構成する添加金属と炭素と水素の合計に対する水素の含有率が５〜２５原子％であり、且つ前記非晶質炭素被膜中の添加金属と炭素の合計に対する添加金属の割合が０.０１〜３０原子％であり、該非晶質炭素被膜は水素を含まない非晶質炭素被膜とは接していない。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、Ｉｎ_ｘＨｏ_ｙＯ_３（ＺｎＯ）_Ｔの組成を有し、ｘ＋ｙ＝２、ｘ：ｙは１：０．００１〜１：１であり、Ｔは０．１〜５である。 （もっと読む）

【課題】繰返し膜を形成する場合であっても、膜質が高い膜を形成することができるとともに、フィルタに付着した異物を容易に除去できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置は、真空容器内で蒸着により基板の表面に膜を形成するものであって、真空容器内を排気する真空排気手段と、真空容器内の上部に設けられ、基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に対向して真空容器内の下部に設けられ、膜の成膜材料を加熱し、蒸発させる蒸発源と、この蒸発源の上方に設けられたフィルタ板とを有する。フィルタ板は、平板に複数の開口部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高い経時デバイス安定性及び動作安定性などが薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上１０に、ゲート電極１５、ゲート絶縁層１２、チャネル層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１４が形成される薄膜トランジスタにおいて、チャネル層１１はインジウム、ゲルマニウム及び酸素を含んでいて、チャネル層１１におけるＩｎ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）で表される組成比が０．５以上０．９７以下である。 （もっと読む）