【課題】 プルームの測定方法、その評価方法、レーザアブレーション方法、及び、レーザアブレーション装置に関し、安定した結晶性或いは安定した特性を有するレーザアブレーションによる薄膜を再現性良く成膜する。
【解決手段】 チャンバー１内のターゲット２にパルスレーザ光４を照射することでターゲット材料を瞬間的に蒸発させ、相対する基板３上に蒸発材料の薄膜を成長させる際に、ターゲット２にレーザ光４を照射した時に発生するプルーム５の大きさおよび形状を、光強度のデジタル情報としてマトリックス状に取得する。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

予工程において、情報収集用に準備した試験用基板１１とターゲート１２上のレーザ光ＬＢの入射点の空間的位置の位置関係を固定した状態で、ターゲート１２にレーザ光ＬＢを照射するか、試験用基板を回転させながらターゲート１２にレーザ光ＬＢを照射するかしながら、一定の照射時間に応じて堆積された試験用基板上の膜厚分布情報を予め得る。本工程においては、基板１１または基板ホルダ２１とターゲート１２上のレーザ光ＬＢの入射点とを、相対的に特定の回転中心軸の周りに回転させるか相対的に空間的に移動させながら、あるいはそうした相対的回転と相対的移動を共に行いながら、予工程において予め得た膜厚分布情報に基づき、各相対位置関係における堆積時間を調整する。
（もっと読む）

【課題】真空蒸着中に銀の蒸気を添加することで結晶粒の増大を図るとともに結合度の向上も図れるようにする。
【解決手段】真空蒸着装置の真空室内に蒸着源としてＮｄとＢａとＣｕとＡｇのインゴットを配置する。ついで、真空室内の所定箇所に酸化マグネシウム基板を配置し、真空室内を例えば、１０^-4程度の圧力状態とし、酸素ガスと活性化酸素ガスとの混合ガスを１．８sccmで真空室内に供給する。この状態で、真空室内に配置した各蒸着源を電子銃を用いて加熱し、各蒸着源を気化（昇華）させる。以上に示した蒸着法により、基板温度を６９０℃とした基板の上にＮｄＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ₇の薄膜が形成できる。 （もっと読む）

本発明は、第１には、真空中で基板上に高温超伝導体を蒸着する装置であって、高温超伝導材料の貯留器を収容する再充填装置と、エネルギ伝達媒体のビームにより蒸発ゾーンにおいて上記高温超伝導材料を蒸発させる蒸発装置と、上記高温超伝導材料を再充填装置から蒸発ゾーンに、該蒸発ゾーンに供給された高温超伝導材料が実質的に残留無しで蒸発されるように、連続的に供給する供給装置とを有するような装置に関するものである。本発明は、更に、真空中で基板上に高温超伝導材料の被覆を蒸着する方法であって、高温超伝導材料の粒体を蒸発ゾーンに連続的に導入するステップと、エネルギ伝達媒体のビームを上記の導入された粒体が上記蒸発ゾーンにおいて実質的に残留無しで蒸発されるように動作させるステップとを有するような方法にも関するものである。
（もっと読む）

【課題】 基板上に形成された膜の特性を向上させることが可能な薄膜材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 超電導線材１は、基板２と、基板上に形成された１層または２層以上の中間薄膜層（中間層３）と、中間薄膜層（中間層３）上に形成された単結晶性薄膜層（超電導層４）とを備える。中間薄膜層（中間層３）のうちの少なくとも１つにおいて単結晶性薄膜層（超電導層４）と対向する上部表面（被研磨面１０）は研磨加工されている。 （もっと読む）

(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB₂膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

（もっと読む）

基板および基板上に配置されている第１のバッファ膜を含む超電導体物品。第１のバッファ膜は、（ｉ）第１のバッファ膜の面内を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面外を延びる第１の結晶方向のテクスチャ、または（ｉｉ）第１のバッファ膜の面外を延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さない第１のバッファ膜の面内を延びる第１の結晶方向のテクスチャを特徴とする単軸結晶テクスチャを有する。２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜は、前記第１のバッファ膜上に配置されている。超電導体層は、前記第２のバッファ膜上に配置することができる。前記第２のバッファ膜を堆積するために、イオン・ビーム・アシスト蒸着（ＩＢＡＤ）を使用することができる。
（もっと読む）

コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
（もっと読む）