【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式（１）で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるＡｓ−Ａｓ間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約１倍であることを特徴とする超伝導体構造。式（１）ＬｎＦｅＡｓＯ_1-pＦ_q（式（１）において、Ｌｎは１種以上のランタノイド元素であり、０＜ｐ＜１、０≦ｑ＜１） （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したプルームを長時間均一に発生させ、長尺の基材に対し均一な膜質の酸化物超電導層を生成することを可能とする方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットに集光照射し、プルームを生成させ、該プルームからの粒子をテープ状の長尺基材上に堆積させて酸化物超電導層を形成する方法であって、減圧チャンバー内部の転向部材間に長尺基材が複数の隣接するレーンを構成するように巻き掛け、長尺基材のレーンに近接させてターゲットを配置し、ターゲットに対してレーザー光を集光照射する集光手段を設けたレーザー蒸着装置を用い、集光手段の焦点距離を１．０〜２．０ｍの範囲に、レーザー光のエネルギー密度を１．０〜４．０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定し、ターゲットに対し斜め方向からレーザー光を集光照射しターゲット上で走査し、レーザー光の照射位置毎にプルームを発生させて成膜する方法である。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に、ＸＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物（但し、Ｘは、ＴｉまたはＨｆを示す。）のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱力学的平衡条件下では合成出来ない単相のＴ^*構造をもつＬａ₂ＣｕＯ₄を、薄膜合成手法をベースとする方法により製造する方法、及び同一組成式（Ｌａ₂ＣｕＯ₄）を有し、３種類の異なる結晶構造（Ｔ構造、Ｔ^*構造、Ｔ’構造）を持つ物質を、別々の基板上に一度の成膜過程で合成する方法を提供する。
【解決手段】超高真空中で構成元素を別々に供給し、適切に加熱した単結晶基板上に薄膜成長を行う（ＭＢＥ法）際に、ＬａＳｒＡｌＯ₄単結晶基板と、格子定数の異なる第１のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板と、更に格子定数の異なる第２のＲＥＳｃＯ₃単結晶基板とを同一のＭＢＥ装置に装着し、基板温度５７５℃〜６００℃で、Ｌａ及びＣｕの原子線を供給してＬａ₂ＣｕＯ₄薄膜を成膜することにより、同一組成式Ｌａ₂ＣｕＯ₄を有しＴ、Ｔ^*、Ｔ’の３つの異なる結晶構造を持つ単結晶薄膜を、一度に成長させる。 （もっと読む）

【課題】
格子定数を変化させたCeO₂層の作用でCeO₂面側に高い臨界電流を有する超電導膜を得ることができるCeO₂層を有するA l₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体、当該Al₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体を用いて、格子定数を変化させたCeO₂層を活用してCeO₂面側に高い臨界電流を有する超電導膜を形成したAl₂O₃-CeO₂-超電導物質三層薄膜構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
厚さ0.4ｍｍ〜1.0ｍｍのAl₂O₃単結晶層上に、厚さ20ｎｍ〜300ｎｍのCeO₂層を設けた薄膜構造体に、エネルギー密度１mJ/cm²〜250ｍＪ/cm²のレーザ光を1000〜1000000パルス照射し、CeO₂層の格子定数を変化させたCeO₂を有するAl₂O₃-CeO₂二層薄膜構造体のCeO₂層側に厚さ100nｍ〜800nｍの超電導薄膜を設けたAl₂O₃-CeO₂-超電導物質三層薄膜構造体及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶配向性を維持しつつも中間層を薄膜化することで、膜の内部応力に起因する基板の反り返りを防止し、生産性にも優れた配向多結晶基材とそれを備えた酸化物超電導導体を提供する。
【解決手段】金属基材１１上に、イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により面内に３回対称に配向するように成膜された岩塩構造の第一層１３と、この第一層１３上に３回対称に配向するように成膜された配向調整層１２と、この配向調整層１２上にＩＢＡＤ法により面内に４回対称に配向するように成膜された蛍石構造あるいはそれに準じた希土類Ｃ型あるいはパイロクロア構造の第二層１４とを具備する中間層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中間層薄膜の結晶配向性を向上させた薄膜超電導線材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基板と、前記金属基板上に形成された、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｍｇ、Ｓｒ、及びＴｉからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含む複数層の金属酸化物膜を有する中間層と、前記中間層上に形成された超電導膜を有する通電層とを備える薄膜超電導線材であって、前記中間層は、第１の酸化物膜と、前記第１の酸化物膜上に形成された第２の酸化物膜を有し、前記第２の酸化物膜の形成後の前記第１の酸化物膜の格子定数は、前記第２の酸化物膜の形成前の格子定数よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】曲げ特性の劣化を抑制することが可能な、銅めっき薄膜が形成された薄膜超電導線材および当該薄膜超電導線材を有する超電導ケーブル導体を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１の一方の主表面上に形成された中間層３と、中間層３の、基板１と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された超電導層５とを含む積層構造２０を備える薄膜超電導線材１０であり、積層構造２０の外周を覆う銅めっき薄膜９をさらに備えており、銅めっき薄膜９の内部の残留応力が圧縮応力になっている。積層構造２０には銀スパッタ層６を備えていてもよいし、銅めっき薄膜９と積層構造２０との間に、積層構造２０の外周を覆う銀被覆層７をさらに備えていてもよい。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を向上させることが可能な薄膜の製造方法および薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程（Ｓ１０）と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程（Ｓ３０）と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程（Ｓ４０）とを備えている。このとき、基材において原料粉末を載置する表面は、原料粉末と同一材料からなっていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の形成の直前に配向金属基板を還元雰囲気下で熱処理を行うに際して、必要以上に熱処理時間を長くしてコストアップを招くことがなく、また、必要以上に熱処理温度を高くして品質の低下を招くことがない酸化物薄膜の成膜装置およびこのような装置を用いた酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の配向金属基板の表面の酸化層を除去する還元熱処理室の直後に、還元熱処理室より搬送された配向金属基板の表面に酸化物薄膜を成膜する成膜室を備えた酸化物薄膜の成膜装置であって、還元熱処理室と成膜室との間に、還元熱処理室および成膜室の互いの雰囲気を実質的に独立した雰囲気とする雰囲気遮断部が設けられ、さらに、還元熱処理室および成膜室のそれぞれにガス供給機構および排気機構が設けられている酸化物薄膜の成膜装置とそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】幅方向に複数のレーンを成すように配列した基材または幅広の基材に対しても、膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することが可能であり、また、良好な生産性で厚い膜の成膜が可能な成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】レーザー光Ｌによってターゲット６から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を帯状の基材３４の表面上に堆積させ、基材３４の表面上に薄膜を形成するにあたり、基材３４の移動方向を転向させる転向部材１１を囲んで加熱ボックス２０を設けるとともに、転向部材１１に接した状態にある基材３４の表面に対向するようにターゲット６を配し、転向部材１１に基材３４の裏面が接しつつ、基材３４を長手方向に移動させた状態で、加熱ボックス２０の中を均等加熱するヒーター２５により、基材３４を加熱し、ターゲット６にレーザー光Ｌを照射する位置を、基材３４の幅方向と同じ方向に振幅させる。 （もっと読む）

【課題】帯状の基材の幅方向において膜厚や特性が均一な薄膜を効率良く成膜することができ、構成粒子の収率及び生産性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜方法は、レーザ光Ｌをターゲット６の表面に照射して、このターゲット６の構成粒子６Ａを叩き出し若しくは蒸発させ、この構成粒子６Ａを帯状の基材上に堆積させることにより薄膜を形成する成膜方法であって、前記レーザ光Ｌが前記ターゲット６の表面に照射する位置を、前記基材の幅方向と同じ方向に振幅させ、前記基材を、転向部材に該基材の裏面が接しつつ長手方向に移動する状態として、前記構成粒子６Ａの堆積領域内を通過させることにより、前記基材の表面上に前記構成粒子６Ａを堆積させ、前記基材の表面上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】駆動の際にもターゲットがずれ動くのを抑制でき、かつターゲットの熱膨張にも対応して、ターゲットを確実に保持することが可能なターゲット保持装置、ならびにこれを用いた成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】板状のターゲット２から叩き出され若しくは蒸発した粒子を使用して薄膜を形成する成膜装置に用いられるターゲット保持装置１０であって、ターゲット２を保持するホルダ１１が、ターゲット２から粒子が叩き出され若しくは蒸発する面である表面２ａとは反対側の裏面２ｂに接する底部１１ｂと、ターゲット２の外周面２ｃを取り囲んで設けられた側壁部１１ｃとを有し、側壁部１１ｃには、ターゲット２の外周面２ｃに接触する位置がターゲット２の内側に向かって変位可能に設けられたバネ機構１３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】金属基板の配向性を保持した酸化物薄膜を形成することを可能とする酸化物薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】加熱された配向金属基板上に、酸素を含む雰囲気中で金属または金属酸化物からなる原料をエレクトロンビーム蒸着法により蒸着する工程を具備し、前記蒸着を、雰囲気中の水蒸気分圧を１×１０−４Ｐａ以下とし、かつ雰囲気中の酸素分圧及び成膜温度の少なくとも一方を制御して行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】被成膜面βが無配向である基材α上に設けられた六方晶系の面内配向を有する多結晶薄膜の製造方法であって、被成膜面β上に多結晶薄膜を成膜する際にイオンビームアシスト法を用い、成膜の温度を１００度から１２００度の範囲とすることを特徴とする。 （もっと読む）