【課題】 高い成膜速度と基材上の段差に対して十分なカバレッジ性を有する成膜方法及び装置構成が簡素で低コストな成膜装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ内に、その周面に基材を配置することができるように構成された回転可能な回転ドラムと、前記基材に対向して配置されるマグネトロン磁気回路とを備え、前記マグネトロン磁気回路は、前記回転ドラムの接線方向に移動可能に構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石５２の周囲を囲うように設けた周辺磁石５３とから構成される磁石組立体５を設ける。そして、中央磁石の延長線上に位置させて中央磁石と周辺磁石との間に、中央磁石及び周辺磁石を含むターゲット側の極性を交互にかえて少なくとも一対の補助磁石５４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内のスパッタ室に、所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット３１ａ乃至３１ｄと、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅ１、Ｅ２と、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段６ａ、６ｂとを設ける。反応ガスを導入するガス導入手段６ｂは、各ターゲットの並設方向に延びる少なくとも１本のガス管６１ｂを有し、このガス管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、ターゲットに向かって反応ガスを噴射する噴射口６１０を有する。 （もっと読む）

本発明は概して、半導体膜及びこの半導体膜の堆積に使用する反応性スパッタ法を含む。スパッタリングターゲットは純粋な亜鉛（すなわち、９９．９９５原子百分率以上）を含み、アルミニウム（約１原子百分率〜約２０原子百分率）又はその他のドープ金属でドープしてもよい。亜鉛ターゲットは、窒素及び酸素をチャンバに導入することにより反応的にスパッタされる。窒素の量は、酸素及びアルゴンガスの量よりはるかに多い。酸素の量は、窒素含有ガスを使用しない堆積で得られた測定値に基づく膜構造の転換点、膜透過率、ＤＣ電圧変化又は膜導電性を踏まえたものである。反応性スパッタは、室温前後から数百度にのぼる温度で行われる。堆積後、半導体膜をアニールすることにより、膜の移動度を更に改善してもよい。
（もっと読む）

【課題】使用効率が高く、ノジュールが形成されない成膜源を提供する。
【解決手段】ターゲット２２の裏面に複数の磁気回路２５₁、２５₂が配置され、ターゲット２２の表面では、各磁気回路２５₁、２５₂に対応する位置に、磁場の垂直成分のゼロ点ｐがリング状に形成されている。マグネトロン磁石装置２４の片道移動距離Ｌを、ゼロ点ｐのリングの往復移動方向に沿った径Ｄ₁以上にし、また、隣接する磁気回路２５₁、２５₂のリング間の距離Ｄ₂以上にすると、リング内周の領域や、隣接する磁気回路２５₁、２５₂の領域上をゼロ点ｐが通過し、スパッタされる。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法において、カソードマグネットの構成の変更を容易にする。
【解決手段】本発明のマグネットセットは、マグネトロンスパッタリング装置のカソードマグネット１４２に使用するマグネットセットであって、入れ子式で嵌め合わせて前記カソードマグネット１４２として使用可能な複数のマグネットリング１４２１ａを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ装置による成膜においては、ターゲットに付着したスパッタ粒子が成長して塊となり、ターゲットから剥離し、パーティクルとして基板上に落下する場合がある。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１０１は、ターゲット１０７と、基板ホルダ１０３と、磁界形成器１１１ｂと、駆動装置１３０ｂとを具備する。基板ホルダ１０３は、ターゲット１０７の表側に配置され、ターゲット１０７と対向する。磁界形成器１１１ｂは、ターゲット１０７の裏側に配置される。駆動装置１３０ｂは、磁界形成器１１１ｂを、ターゲット１０７から遠い第１位置とターゲットに近い第２位置との間で移動する。磁界形成器１１１ｂは、成膜時には第１位置に配置され、ターゲットのクリーニング時には第２位置に配置されて塊を取り除くための磁界を形成する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの中心部に再堆積された材料物質が、該ターゲットから剥がれて、集積回路に欠陥をもたらさない、再堆積物質を洗浄する装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング用デュアルマグネトロンにおいて、該マグネトロンの位置は、スパッタ堆積とターゲット洗浄の間で、相補的半径方向に動かすことができる。該マグネトロンは、異なる特徴のサイズ、強度及び不平衡を有する。該ソースマグネトロンは、より小さく、より強く、かつアンバランスのソースマグネトロン６２であり、スパッタ堆積及びエッチングにおいて、ウェーハのエッジ近くに位置している。該補助マグネトロン６４は、より大きく、弱く、かつより平衡しており、該ターゲットの中心を洗浄し、スパッタ堆積において、スパッタイオンを該ソースマグネトロンからガイドするのに使用される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を高めながら、γ電子、反跳Ａｒイオンなどによる基板へのダメージを抑えたマグネトロンスパッタリング装置の提供。
【解決手段】ターゲット２の裏面と対向した支持プレート１１と、支持プレート１１の中心を通る法線から中心が離れて位置する支持プレート１１に支持されたカソードマグネット１２とを含んだマグネットプレート１０と、ターゲット２と対向する基板３との間に設置され、マグネット１２に対応して法線からずれた位置に中心を有する開口２２が設けられた遮蔽板２１と、開口２２の周囲に同極性の磁極が開口の中心を向くように放射状に配置された複数のトラップマグネット２３とを含んだトラップ２０と、開口２２のマグネット１２に対する相対位置を一定に保ちながら、マグネットプレート１０とトラップ２０とを法線の周りでターゲット２に対して相対的に回転させる駆動機構とを含む装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面の黒化がなく、安定して低抵抗の膜が得られ、かつターゲットの使用効率の高い透明導電膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング法によるインジウムと亜鉛を含む酸化物の透明導電膜の製造方法であって、酸化インジウムと酸化亜鉛を主成分とするターゲットの表面の平行磁場強度を４００Ｏｅ（エルステッド）未満に保持してスパッタすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。
【解決手段】 処理基板に対向して配置されるターゲット４２の後方に磁石組立体５を備え、この磁石組立体５は、長手方向に沿って線状に配置した中央磁石５２と、中央磁石の周囲を囲うように配置した周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて有する。その際、この磁石組立体の長手方向端部において中央磁石と周辺磁石との間でトンネル状に発生した各磁束のうち磁場の垂直成分が０となる位置を、一定の範囲で中央磁石側に局所的にシフトさせる。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して配置されるターゲット４１の後方に磁石組立体５を、長手方向に沿って線状に配置した中央磁石５２と、中央磁石の両側で平行に延びる直線部及び両直線部相互間を橋し渡す折り返し部から構成される周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて設ける。中央磁石と周辺磁石の各直線部とが等間隔で、かつ、前記磁石組立体の長手方向両端部で中央磁石と各直線部との間隔が磁石組立体の中央領域におけるものより狭くする。 （もっと読む）

【課題】出力密度を上げることでコーティング処理の効率を向上したマグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング源はコーティング用プラズマを発生させるための手段と、磁場を発生させることでコーティング用プラズマに影響を与え、少なくとも１つのプラズマチャネル８をターゲット４の一部４´上方で発生させるための少なくとも１つの磁石配列７を備える。磁石配列７及びターゲット４の表面４´は相互に運動可能となるように配置され、これによりプラズマチャネル８はターゲット４の表面４´上方を横断可能となる。プラズマチャネル８をターゲット４の表面領域上方で移動させる場合、マグネトロンスパッタリング源を調節し、磁石配列７とターゲット４と間の相対速度ｖを上昇させることで表面領域をプラズマに曝露する総時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）

【課題】パルスｄｃ物理気相堆積プロセスにより、固体再充電可能Ｌｉ電池のカソード層として利用しうるＬｉＣｏＯ_２膜の低温高速度堆積方法を提供する。
【解決手段】ＬｉＣｏＯ_２層を堆積する前に、基板１６を約２００℃までの温度に予備加熱する。次にＬｉＣｏＯ_２を含むスパッタターゲット１２にパルスＤＣ電力を印加し、ターゲット１２と対向する位置に配置された基板１６上にＬｉＣｏＯ_２層を形成する。さらに、短時間の急速熱アニールプロセスを行う。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０〜１００ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット（１２４）のスパッタ面状に閉鎖プラズマループをそれぞれ形成する１つ以上のマグネトロン（１１２）を含むマグネトロンアセンブリを提供する。
【解決手段】ターゲットは、その上で各帯状マグネトロンが転動（１２６）し、バネ機構（１１４）を介して共通の支持プレート（３２）に部分的に支持されている複数の帯状ターゲットを含んでいてもよい。帯状マグネトロンは二段式褶曲マグネトロン（２００）であってもよく、ここで各マグネトロンが帯状ターゲットの側部の間に延びる褶曲プラズマループを形成し、またその端部はターゲットの中央で接する（２２０）。マグネトロンを形成する磁石は湾曲部により連結された概して均一な直線部分を有するパターンに配置してもよく、ここでプラズマ軌道を操作するためにコーナー部付近では追加の磁石位置が利用可能である。 （もっと読む）

【課題】物理気相蒸着（ＰＶＤ）装置とＰＶＤ法を開示する。
【解決手段】ターゲットと基板との間の処理空間にアノードを延ばすことで、基板への堆積の均一度が上昇する。アノードはプラズマ内で励起される電子の接地経路となり、プラズマ内の電子をチャンバ壁部に集めるのではなく、処理空間全体にわたって均一に分散させる。プラズマ内で電子を均一に分散させることで、基板上に材料が均一に堆積される。アノードを冷却液で冷却してアノードの温度を制御し、剥離を軽減してもよい。アノードは処理空間全体にわたって、スパッタリングターゲットの背面全体を二次元方向に走査するマグネトロンの長辺に直角に配置してもよい。走査マグネトロンによりアノードの局所的な加熱が軽減される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、ターゲットのエロージョンを均一化して、ターゲットの利用効率を高めることのできるマグネトロンスパッタリング用のターゲットホルダーを提供する。
【解決手段】ターゲットホルダー１０は、保持したターゲット１の背面側に複数の永久磁石３を配置し、ターゲット１の外側表面に磁界を作って、ターゲットの蒸発を促進する。永久磁石３は、ターゲット１の外側表面の中心からずらして配置する。スパッタリングに伴ってターゲット１蒸発減耗すると、ターゲットまたは永久磁石３を、それらの相対位置を変えて取り付けることにより、ターゲット１の蒸発減耗する領域を変更して、固体蒸発原料の使用時間を延長する。 （もっと読む）