【課題】従来と同様な装置寸法で、低ダメージと高速成膜の両立を可能とするスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット材料１１側が開口で、基板側が閉止面内にスパッタリング粒子を通過させるスリットを有する可動式シールド電極１３内にマグネトロンプラズマ２０を閉じ込め、可動式シールド電極１３とマグネトロン１７を同時に走査して、下層膜に対するダメージの少ない成膜を行い、その後、マグネトロン１７のみ走査してマグネトロンプラズマによる高速の成膜を行う。これによって、下層膜に対してダメージが少なく、かつ、高速の成膜を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用効率を向上し、ターゲットとマグネットとを近接に配置しても異常放電の発生を低減可能なスパッタ成膜装置および膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置は、真空容器２０６と、真空容器２０６内に配置されたマグネトロンカソードとを備える。該マグネトロンカソードは、ターゲットＴを支持するためのターゲット支持面を有する裏板２０２、マグネットユニット２０９と、マグネットユニット２０９を裏手前方向（第１の方向）に揺動させる第１揺動機構と、マグネットユニット２０９を左右方向（第２の方向）に揺動させる第２揺動機構とを有する。さらに、マグネットユニット２０９とターゲット支持面（すなわち、ターゲットＴ）とを電気的に同電位としている。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ室で相互に対向配置されるターゲットから基板に向う方向を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニットを、スパッタ装置から取り外すことなく、簡単にターゲットの侵食領域を変更できるようにする。
【解決手段】 本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃ用の磁石ユニット５は、ターゲットの長手方向に沿って線状に配置された中央磁石５２と、中央磁石両側で平行にのびる直線部５３ａ及び各直線部両端をそれぞれ橋し渡すコーナー部５３ｂからなる無端状の周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて有する。中央磁石と周辺磁石の直線部とを相対移動させて、中央磁石及び周辺磁石相互の間隔を変更可能とする変更手段５１ｂ、５５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを取り付け可能な冷却部材であって、必要な強度を確保するとともに薄型化することでターゲットの冷却能力とターゲット表面での最適な磁場強度を得ることができる裏板を提供する。
【解決手段】裏板２０２は、冷却媒体を流通させる冷媒流路２１４ａ，２１４ｂが内部に形成されるとともに、カソードマグネットに対向する薄型化されたターゲット取り付け部１と、ターゲット取り付け部１を周囲から支持する締結部２とを有しており、冷媒流路２１４ａ，２１４ｂに冷却媒体を給排出する供給口２１５ａ，２１５ｂと排出口２１６ａ，２１６ｂはターゲット取り付け面の法線に対して所定角度傾斜した方向に冷却媒体を流通させるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングカソードの装着作業性と成膜の均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。これにより、ターゲットユニット２１の着脱の際、ターゲット部３１とリブ１８との干渉を防止でき、良好な作業性を確保することができる。また、空間部１９に収容された基板の表面に対してターゲット部３１〜３３の連続性あるいは配置対称性が確保されるため、基板全面に対する成膜の均一性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】被スパッタリング面が平面状に形成されたターゲットを用いる場合に比べて、ターゲットの有効利用率を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るスパッタリング装置１は、成膜対象となる基板３を支持するステージ４と、一方の面を被スパッタリング面５ａとし、ステージ４に支持される基板３に被スパッタリング面５ａを対向させた状態で設けられたターゲット５とを備え、ターゲット５の被スパッタリング面５ａがすり鉢状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの周縁領域に形成される絶縁膜の影響を受けずに、高いスパッタレートを維持したまま薄膜形成ができる反応性スパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 スパッタ室１１内に反応ガスを導入しつつ、このスパッタ室内で処理基板Ｓに対向させて配置した導電性のターゲット４１に電力投入し、スパッタ室内にプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングし、反応性スパッタリングにより前記処理基板表面に所定の薄膜を形成するスパッタリング方法において、前記ターゲットに電力投入するスパッタ電源Ｅにより積算投入電力をモニターし、この積算値が所定値に達すると、反応ガスの導入を停止し、スパッタガスのみを導入して所定時間ターゲットをスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット部材の片減りを防止しつつ、簡易な構造で、基板に平行で基板中心に向く磁界を基板上に形成し、膜厚分布を向上させることのできるマグネトロンカソードを提供する。
【解決手段】基板に対向して配される環状のターゲット６と、ターゲット背面にターゲットに対して移動可能且つ回転可能に配置され、不均一な磁界を発生させるマグネット組立１５によって構成されるマグネトロンカソードにおいて、ターゲットの中心開口部周縁に中央シールド部が設けられ、中央シールド部は複数の磁性体部品による積層構造を有する中央カバー１０が設けられるとともに、ターゲット外周側保持リング１１は、複数の磁性体部品からなる積層構造を有し、これら磁性体部品の少なくとも一つが、マグネット組立によって生じる磁界に対応して基板上に磁気異方性を構築する。 （もっと読む）

【課題】 基体に対するターゲットの角度を調整する。
【解決手段】
スパッタリング装置は、ターゲット１２ａ，１２ｂ，１２ｃが取り付けられる回転自在な回転部材２０と、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃと、給電端子２２と、を有している。接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃは、回転部材２０の回転軸１０に沿った方向における回転部材２０の端部に配置し、ターゲットと電気的に接続される。給電端子２２は、接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃを介してターゲット１２ａ，１２ｂ，１２ｃに電力を供給する。そして、給電端子２２が回転部材２０の端部に接触した状態で、回転部材２０が回転することで、給電端子２２と接続端子２５ａ，２５ｂ，２５ｃとの導通または絶縁が切り替わる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置の大型化に伴った磁石構成体の揺動幅調整の困難さ（揺動幅の設定値からのずれ）に起因する不具合を防止できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】表面上に平板ターゲット４０を配置するバッキングプレート１０の裏面１０ｂ側に、揺動する磁石構成体２０を配設してマグネトロンカソード電極としたスパッタ装置において、磁石構成体２０の揺動によってバッキングプレート１０がスパッタリングされるのを低減するためのシールド３０を、平板ターゲット４０の側面周囲に配設し、シールド３０が平板ターゲット４０と同じ材質であるか、あるいはシールド３０がその最表層部に平板ターゲット４０と同じ材質をコーティングしたものである。 （もっと読む）

【課題】遮蔽体を利用して容易に膜厚分布の制御が可能なマグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタ装置は、基板保持部１１と、基板保持部１１に対向して設けられる板状のターゲット１２の被スパッタ面１２ａの反対面に対向しつつ回転可能に設けられ、その回転中心Ｃ１に対して偏心した位置に中心Ｃ２を有する電子の周回軌道２０を被スパッタ面１２ａの近傍に生じさせるマグネット１３と、ターゲット１２と基板１０との間に設けられ、基板１０側からターゲット１２を見た平面視で電子の周回軌道２０の一部を遮蔽しつつ電子の周回軌道２０との相対位置は変えずに、マグネット１３と同期して回転する遮蔽体１４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】有効成膜領域および装置サイズを変更することなく、ターゲットの使用効率および寿命の改善を図る。
【解決手段】表面上にターゲットを配置するバッキングプレートの裏面側に、磁石構成体１０を揺動可能に配設してカソード電極とし、磁石構成体１０は、一定幅Ｗ１の棒状の中心磁石２と、中心磁石２を囲むように配置された一定幅Ｗ２の略楕円形状の周囲磁石３と、両磁石によってターゲット表面に生じる磁界を局部的に弱くするシャント４とを有し、シャント４は、中心磁石２をその長さ方向に周囲磁石３まで延ばしたと仮想した場合に占有する領域ＦＥ０内に埋め込み配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明のスパッタリング装置によれば、プレスパッタ時に比べてメインスパッタ時のエロージョン領域を縮小することができ、プレスパッタ時に非エロージョン領域に堆積したターゲット粒子をメインスパッタ時に剥離し難くし、当該粒子の基板への堆積を抑制することができる。
【解決手段】本発明は、複数の磁性体が、ターゲット支持体の中心部に位置する第１の磁性体と、第１の磁性体に対してターゲット支持体の外周側に位置する第２の磁性体とを含み、第２の磁性体が、ターゲット支持体の基板支持体とは反対側の面内で第１の位置から第２の位置まで移動自在であり、上記第１の位置は基板への成膜を行わない場合の位置であり、上記第２の位置は前記第１の位置に対して上記ターゲット支持体の中心側であって、基板への成膜を行う場合の位置であるスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

【課題】時間の経過に伴なってターゲット部材の一定のスパッタ速度を提供し、かつ変動しないプロセス条件を作ることのできるプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上部電極２、下部電極３、ガス導入口、真空排気口を有する反応容器１と、ターゲット２ａと、複数のマグネット４と、マグネット支持金属シート９と、金属シートを上部電極の中心軸に沿う方向に移動させる移動機構（１３，１４，２２）と、ｒｆ電源（１５）と、移動機構の移動条件を決める電気回路（２５）とを備える。電気回路は、上部電極の自己バイアス電圧をモニタし、複数のマグネットを、スパッタプロセスによる時間の経過に伴ってエロージョンを受けるターゲット部材の表面上で一定磁界を維持するようターゲット平面に垂直に移動させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリングカソードは、ターゲット１の裏面に対向する位置に配置される複数の磁石ユニット７と、ターゲット１と磁石ユニット７との間の距離を各々の磁石ユニット７ごとに個別に調節する距離調節機構とを有する。また、スパッタリングカソードは、複数の磁石ユニット７をターゲットの裏面に平行に往復移動させる往復移動機構を有する。複数の磁石ユニット７、距離調節機構及び往復移動機構を、真空排気することが可能な磁石室に収容しても良い。 （もっと読む）

プラズマ促進物理蒸着反応器において、ワークピース全体にわたる堆積速度の半径方向分布の均一性を、ＲＦおよびＤＣ電力の両方をターゲットに印加し、ＲＦおよびＤＣ電力の電力レベルを別個に調整することによって向上させる。さらなる最適化は、ターゲットの上の磁石の高さを調整すること、ターゲットの上の磁石の軌道運動の半径を調整すること、および角度をつけたターゲットのエッジ面を設けることによって得られる。
（もっと読む）

【課題】 スパッタソースのターゲット有効期間に亘っての分布変化を補整可能にする、絶縁材料の被覆方法を実現することである。
【解決手段】
被覆さるべき基板上において、さらにスパッタさるべきターゲット（９）の全有効期間に亘り再現可能な方法で優れた分布が達成さるべき絶縁層を製造するための、真空スパッタ方法に関し、この発明では、高周波でスパッタされる絶縁ターゲット（９）の厚さにならい削りが施され、しかも浸食率が高い領域でのターゲット厚さはより厚く、かつ／または浸食率の低い領域ではターゲット厚さがより薄く選択されるように、ならい削りが選択されるよう、提案される。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法において短冊形ターゲットを使用して半導体ウエハにスパッタ成膜を効率的かつ均一に行えるようにする。
【解決手段】被成膜体の半導体ウエハをウエハ配置面Ｐ上の円形基準領域Ａにぴったり重ねて配置する。そして、円形基準領域Ａの中心Ａ_Oを通る法線を回転中心軸として半導体ウエハを所定の回転数で同軸回転させる。そうすると、半導体ウエハ表面の各部は、一回転毎に、半径Ｒ／２よりも内側のウエハ中心部は短冊形堆積領域Ｂ₁のみを通過する間に短冊形ターゲット１０(1)からのスパッタ粒子を浴び、半径Ｒ／２よりも外側のウエハ周辺部では両短冊形堆積領域Ｂ₁，Ｂ₂を通過する間に両短冊形ターゲット１０(1)，１０(2)からのスパッタ粒子を浴びるという形態のスパッタ成膜処理を受ける。 （もっと読む）

【課題】第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂが、それぞれ基板６及び他のターゲットに対して斜めに対向して配置され、基板６を搬送経路１５に沿って搬送しながら成膜する連続方式のスパッタリング装置において、高品質の膜が得られるようにすると共に、粒子のチャンバー３内拡散を防止できるようにする。
【解決手段】第一ターゲット１７ａと第二ターゲット１７ｂとの間の空間の搬送経路１５側への延長領域を挟んで、搬送経路１５と、第一ターゲット１７ａ及び第二ターゲット１７ｂとの間に、少なくとも基板６の搬送方向に対向するシールド１９ａ，１９ｂを設ける。 （もっと読む）