比較的幅の広いマグネトロンスパッタカソード電極を実現するために、支持体（２）の真空側に、背面プレート（３）を伴ったスパッタターゲット（４）が配置される。この背面プレートは支持体（２）に対して隙間（１４）を有している。背面プレート（３）は冷却プレートとして構成されている。この冷却プレート内には冷却チャネル（１５）が存在する。この冷却チャネルは給水部（１６）を介して支持体（２）を通って、冷却液体を供給する。ここでこの冷却液体は、帰り管（１７）を介して支持体（２）内を再び流れ出る。雰囲気側には磁石装置（５）が設けられている。
（もっと読む）

【課題】第１の磁極が第２の磁極を囲んでいる平面マグネトロン用のマグネット装置を提供すること。
【解決手段】このマグネット装置は、特定の値だけターゲットに対して長さ方向に直線的に移動し、同じ値だけ反対方向に戻る。ある態様の場合には、その他に垂直方向にも移動する。このマグネット装置は、Ｎ極とＳ極がインターロックし、波形のレーストラックが形成されるように設計されている。これにより全ターゲット面から均一なスパッタを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ハンドオーバ時に短時間および小消費電力でスキャンを行うことができる移動機を提供する。
【解決手段】 スパッタリング装置１０は、真空容器１２内に、基板支持部１８、ターゲット２０、磁石２２が配置されている。基板Ｗに対向して配置された平板状のターゲット２０が設けられている。ターゲット２０の基板Ｗに対向する面とは反対側の面に対向して複数の磁石２２が配置されている。それぞれの磁石２２はその外郭がターゲット２０に対向する面において正方形をなしている。これにより、ドリフトする電子３０が加速される距離が同等になり、電子３０の速度に不均一が生じ難い。そのため、ターゲット２０がスパッタされる度合いも均一となり、成膜もより均一に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】長尺にスパッタリングで成膜を行うに際し、密着性および強度に優れ、かつ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を安定して成膜することができる成膜方法、および、これに最適な成膜装置を提供する。
【解決手段】パルス電力を印加できる複数の放電電源とターゲットを有するカソードを複数組み合わせて、前記基板を長手方向に搬送しつつ、少なくとも２以上のカソードを２つ以上のグループに分割し、各カソードのターゲットに対応させて所定の周波数のパルス電圧を印加して前記基板に薄膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、簡易な構造で、現在要求される膜厚分布及びカバレージ分布を達成することのできるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 この発明は、基板を保持して自転する基板ホルダと、前記基板に薄膜を形成するためのターゲットが搭載されるスパッタカソード部と、該スパッタカソード部を前記基板に対して円弧状に移動させる駆動アームとを具備し、前記スパッタカソード部が、前記ターゲットに囲設され、前記基板側に開口部を有するノズル部を具備するスパッタ装置において、前記ノズル部の開口部に、前記スパッタカソード部の移動方向の両端から前記開口部の中央方向に延出して、前記スパッタカソード部の移動方向前後におけるスパッタ粒子を制限する延出部を形成することにある。 （もっと読む）

マグネトロンスパッタリング機構（２）であって、スパッタリング表面の形状が、相互に垂直であって且つスパッタリング表面の少なくとも凡そ鏡面対称軸である第１（Ａ１）および第２の軸（Ａ２）を規定するスパッタリング表面（４）を有するターゲット（３_ａ１）を有するターゲット機構（３）と、前記スパッタリング表面の上で磁場を発生させるマグネット機構（４０）と、前記マグネトロン磁場と前記スパッタリング表面との間で実質的に過渡的な相対移動を成立させることに適した駆動装置（７０）とを備える、マグネトロンスパッタリング機構（２）。前記相対移動は、相互に垂直であって且つ経路（８０）の少なくとも凡そ鏡面対称軸である第３（Ａ３）および第４の軸（Ａ４）を規定する経路（８０）を描く。前記第３の軸は、前記第１の軸（Ａ３）に対し少なくとも凡そ平行であり、前記経路（８０）は、少なくとも２つの尖ったコーナー（８１）を有し、各コーナーは、前記第３の軸（Ａ３）と前記第４の軸（Ａ４）の内一方の上に位置する。相対移動は好ましくは反復移動であり、経路は好ましくは実質的に菱形を描く。マグネトロンスパッタリング機構（２）は、前記ターゲット機構（３）、マグネット機構（４０）、および駆動装置（７０）の内少なくとも２つを備えてよい。
（もっと読む）

【課題】 スパッタリング成膜においてプラズマダメージを低減させて、ターゲット材の利用効率良くする。
【解決手段】 円筒状のカソード電極（ターゲットを含む）を用い、又、円板状のアノード電極及び、リング状マグネットをスムージングさせる。更には電場・磁場の形成を自由に形成可能にする。 （もっと読む）

【課題】超電導体からの強い磁場をプレートの前面側に発生させることができる超電導磁場発生装置、スパッタガン及びスパッタリング成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】超電導磁場発生装置は、超電導遷移温度以下で外部に磁場を発する超電導体３と、超電導体３を冷却する冷却装置４と、超電導体３を収容する断熱容器５とを有する中央磁極２を有する。超電導体３の周囲に配置された強磁性体で形成された周縁磁極６と、中央磁極２と周縁磁極６とが存在する空間と磁場作用空間とを仕切るプレート７とを有する。プレート７のうち超電導体３に対面する中央部７１は、窪み７０を有するように、当該中央部７１の周囲よりも厚みが薄く設定されている。 （もっと読む）

【課題】マグネトロン蒸発源が１種類のマグネトロン磁場構成で済み、マグネトロン蒸発源の数、配置に関係なく所望の閉じ込め磁場を形成でき、また閉じ込め磁場形状が簡単に変えられるようにする。
【解決手段】基板２の外周に設けられた複数のマグネトロン蒸発源３より蒸発した金属原子又はイオンを、基板２に付着させて基板２に薄膜を形成するようにしたマグネトロンスパッタ装置において、隣合うマグネトロン蒸発源３の中間位置に、マグネトロン蒸発源３の外側磁極４の極性と同一の極性を持った補助磁極９が配置され、各々のマグネトロン蒸発源３の外側磁極４の極性がすべて同一とされることにより、各マグネトロン蒸発源３の外側磁極４と該外側磁極４に隣接する前記補助磁極９との中間付近で反発し合う磁場を生じさせると共に、各マグネトロン蒸発源３の内側磁極５と該内側磁極５に隣接する前記補助磁極９とを相互に結ぶ磁力線を生じさせる。 （もっと読む）

スパッタ動作中にスパッタ率分布をスパッタ面（３_Ｓ）に沿ってマグネトロン源で調節するために、ターゲット裏面（３_Ｒ）にある磁石構造（７_ａ，７_ｂ）の１つの部分（７_ａ１，７_ｂ１）からターゲット裏面までの間隔が変更される。
（もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、歩留まりを向上させる。
【解決手段】非滑面領域１８ｂ近傍で電離したアルゴンイオンは、ターゲット９表面の非滑面領域１８ｂに衝突し、ターゲット９からスパッタ粒子を放出させて非滑面領域１８ｂを削る。非滑面領域１８ｂから放出され、ガラス基板１３に向かずに中央部の滑面領域１８ａに向かい、滑面領域１８ａに衝突したスパッタ粒子は、滑面領域１８ａが、その表面粗さが、少なくともアンカー効果が無視できる所定値以下の値とされているために、滑面領域１８ａに再付着せずに、このまま落下する。したがって、滑面領域１８ａに堆積して突起部を形成して、ある程度の大きさに成長した後に落下したり、異常放電の原因となることもない。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、スパッタターゲット材が円錐台側面形状をなし、前記円錐台側面形状に沿った磁力線を得るように配されたマグネット機構を有するスパッタ電極構造において、簡易な構造でマグネット機構によって生じる磁界を変化させて、膜厚分布を向上させると共にスパッタターゲットのエロージョンを均一化させることにある。
【解決手段】 この発明のスパッタ電極構造は、電圧が印加されて、真空容器内に配された基板に対し、スパッタ粒子を飛び出させるスパッタ電極において、前記基板に対して傾斜して配される円錐台側面形状をなすスパッタターゲット材と、該スパッタターゲット材の背後に設けられ、前記スパッタターゲット材の表面に沿った磁力線を生じさせるマグネット機構と、該マグネット機構によって生じる磁界を変動させる磁界変動手段とを少なくとも具備することにある。 （もっと読む）

【課題】永久磁石を回転させる機構を備えても、カソードを冷却する冷却水漏れのないマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、真空チャンバ２内にあって、表面にはターゲット３及び側部にターゲット３をスパッタリングした際に発生する熱を冷やすための冷却水用の給排水口８、９を有し、更に中空内部には回転又は往復運動する支持台１１上に固定された永久磁石１２を有するカソード４と、カソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板を保持するアノード６と、からなるマグネトロンスパッタリング装置１において、支持台１１の永久磁石１２が固定された以外の部分に給水口８から導入されて排水口９側に排水される冷却水の水圧によって支持台１１を永久磁石１２と共に回転又は往復運動させる冷却水受け部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 従来のスパッタリング装置用のマグネトロンカソード電極では、処理基板の周囲に設けたアノードの影響を受けて、処理基板全面に亘って比抵抗値などの膜質が均一な薄膜を得ることが困難であった。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲットＴの後方に、中央磁石３５ｂと周辺磁石３５ｃとから構成される磁石組立体３５を設ける。中央磁石の同磁化に換算したときの体積を各周辺磁石の同磁化に換算したときの体積と比較して小さく設定して前記磁石組立体を構成し、処理基板中央領域での磁場強度を局所的に高める。 （もっと読む）

いくつかの実施例においては、本発明は、略円筒形のターゲットと、スパッタリング工程において、ターゲットをその軸を中心として回転させる手段と、ターゲットの外部においてこれに隣接してプラズマを閉じ込める磁界を生成するべくターゲット内に保持されている細長い磁石と、ターゲット内において回転に抗して磁石を支持するフレーム構造と、磁石を同期することなしにターゲット内においてその軸方向に振動させることにより、その長さに沿って略均一なターゲットの利用を促進するパワートレインと、を有する基板上にターゲット材料をスパッタリングする際に使用される円筒形の陰極ターゲットアセンブリと、その使用法と、を含んでいる。いくつかの実施例においては、磁石は、ターゲットの回転に応答して振動している。
（もっと読む）

【課題】簡単な構成で使用効率の高いターゲットを有するマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、真空チャンバ２内にあって、ターゲット３を保持するカソード４と、カソード４の上方にあって、カソード４のターゲット３側と対向するようにした基板５を保持するアノード６と、カソード４の下方にあって磁界１２を発生させるための永久磁石と、を有するマグネトロンスパッタリング装置１において、永久磁石７は、磁石を固定するベース８と、ベース８の中央部に固定された第１永久磁石９と、ベース８の端部に固定され、第１永久磁石９を取り囲み、磁極の極性が第１永久磁石７と反対でかつ磁界強度が第１永久磁石７より弱い、角状の第２永久磁石１０とからなり、更に、永久磁石７をカソード４に対して、上下動及び水平移動させる移動制御部１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】コストを低減すると共に、ガラス基板上に成膜される膜厚を一定に保つ。
【解決手段】コントローラ２の制御部は、板状のターゲットＴの残膜厚が所定値まで減少したと判断すると、モータ３１を所定の回転量回転させて、ターゲットＴを所定量変位させる。ターゲットＴは、磁界の強さが所定値以上で、プラズマが集中する領域に、ターゲットＴのうち、残膜厚が初期ターゲット膜厚に略等しい領域が重なるうように移動し、スパッタリングが継続して実施される。ターゲットＴが移動しても、ガラス基板Ｓに対して磁界分布は変動しないために、磁界の強さが所定値以上でターゲットＴ近傍のプラズマが集中する領域は、ガラス基板Ｓに対して変動せず、したがって、スパッタされる粒子が比較的多数放出される箇所は変動せず、ガラス基板Ｓに成膜される膜厚の分布は均一に保たれる。 （もっと読む）

真空室内で材料を飛散させる装置であって、−平面内で可動な、平らでかつカソードとして接続可能な少なくとも１つのターゲットを有するターゲット装置を有し、
定置のターゲット環境と、ターゲット装置に対応配置された駆動装置と、ターゲット
に対応配置された少なくとも１つのアノードを有するアノード装置と、
ターゲットの飛散表面からの材料の遊離を助けるための磁場を発生させるための磁気
装置と
を備えている形式のものにおいて、少なくとも１つの非回転対称的な有利には方形のターゲットプレートとして構成されたターゲットが設けられ、該ターゲットがターゲット装置で−平面内で可動であることが提案されている。さらに本発明は材料を飛散させる方法にも関する。
（もっと読む）

スパッタチャンバ（７０）及びそれが可能にするマルチステッププロセス。チャンバ軸と同軸な四重電磁石矩形アレー（７２）はチャンバ内のＲＦコイル（４６）の裏側にあることが好ましい。異なる磁場分布を生成するために、例えば、ターゲット材料をウエハ（３２）上にスパッタするためにスパッタターゲット（３８）が給電されるスパッタ堆積モードとＲＦコイルがアルゴンスパッタリングプラズマをサポートするスパッタエッチングモードとの間でコイル電流を個別に制御できる。ターゲット材料のＲＦコイルにおいては、コイルにＤＣバイアスをかけることができ、コイルアレーがマグネトロンとしての機能を果たす。このようなプラズマスパッタチャンバ内で行なわれるマルチステッププロセスは、様々な条件下でのターゲットからのバリア材料のスパッタ堆積と、基板のアルゴンスパッタエッチングとを含んでいてもよい。ターゲット電力及びウエハバイアスの減少を伴うフラッシュステップが適用される。 （もっと読む）

プラズマスパッタリアクタ(30)におけるマグネトロン(70)のための及びその対応的使用のためのリフトメカニズム(124)。ターゲット軸(76)の周りで回転するマグネトロンは、スパッタ浸食を補償するためにターゲット(34)の後部から離すように制御可能に持ち上げられる。装置は、駆動源(84)、ハウジング(94)、タンク(118)、水槽(116)、固定ギア(92)、駆動プレート(96)、キャリア(81)、磁気ヨーク(80)、アイソレータ(38)、アダプタ(36)、シールド(52)、真空ポンプシステム(44)、ＲＦ電源(58)、容量性結合回路(60)、ガス源(46)、質量流量コントローラ(48)、リアクタ壁(32)、磁石リング(114)、ＤＣ電源(54)、ペデスタル電極(40)、ウェハ(42)、クランプリング(50)、内側磁極(74)、外側磁極(78)、ホロワシャフト(102)、ホロワギア(100)、アイドラーギア(98)、及び遊星スキャニングメカニズム(90)を備えている。 （もっと読む）