【課題】良好でかつ要求された特性を維持することができ、膜堆積の間停止状態にある温度制御性の良好なウェハーホルダを有するプラズマ支援スパッタ成膜装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ支援スパッタ成膜装置は次の構成からなる。プラズマの生成のため使用されるプロセスガスが導入される反応容器１と、プラズマによってスパッタされる物質で作られるドーナツ型電極であって、その下面はウェハーの表面に対し傾斜されているドーナツ型電極２と、ドーナツ型電極の上方の円の上を移動しながらその中心軸で回転する回転プレートであって、その下面に取付けられかつドーナツ型電極の表面に平行なマグネット配列４を含む回転プレート３と、ドーナツ型電極に接続された電力源１０と、そして膜堆積のためウェハー９を配置するためのウェハーホルダ５であって、膜堆積の間停止状態にあるウェハーホルダとから構成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング方法及び装置において、ターゲットへの再付着膜の堆積量を減少可能とすることを目的とする。
【解決手段】基板に所望の膜を成膜するスパッタリング方法において、ターゲットの表面に平行な磁場が、前記基板に対して実際に成膜処理を行う成膜モード中はスパッタリングされる前記ターゲットの他の部分の第１の強度と比較して弱い第２の強度であるターゲットの部分を、前記成膜処理を行わない待機モード中は前記第１の強度以上の磁場に制御することで、前記成膜モード中に前記ターゲットの部分に付着した再付着膜を前記待機モード中のスパッタリングにより除去する。 （もっと読む）

本発明は、ＤＣスパッタリング法によって、超硬材料、サーメット、鋼、またはセラミックで構成される基材を少なくとも１つのＴｉ_１−ｘＡｌ_ｘＮ層で被覆する方法に関する。本発明はさらに、上記方法によって被覆された工作物または工具、ならびにその使用に関する。本発明の目的の１つは、スパッタリング法およびアーク法の利点を併せ持つ被膜の形成が可能となる方法、すなわち小さい粗さおよび好ましい（２００）組織を有する被膜を得ることが可能となる方法を提供することである。本発明のさらに別の目的は、上記性質を有する被膜を有する工作物を提供することである。本発明のさらに別の目的は、金属の機械加工に特に適した工具を使用することである。本発明の方法によって実現される目的は、プラズマ密度を増加させるためにイオン化促進が使用されることを特徴とする。
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【課題】ターゲット材の摩損を均一にさせ、ターゲット材の耐久性を向上させる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造及び設備を提供する。
【解決手段】本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット構造は、伝動装置と、少なくとも２つの回転軸と、複数の磁気バーとを備え、前記伝動装置は前記回転軸に巻き付かれて伝動装置式の伝動構造を形成し、前記磁気バーは前記伝動装置に並列に設けられている。本発明にかかる磁気制御スパッタリング・ターゲット設備は、前記磁気制御スパッタリング・ターゲット構造のほかに、前記伝動装置式の伝動構造の外側に位置するターゲット材を更に備える。 （もっと読む）

【課題】回転式マグネトロンによって得られるコーティング品質に匹敵するコーティング品質と効率とを有する平面のターゲットを使用するためのスパッタコーティング装置を提供する。
【解決手段】壁を備えた少なくとも１つのコーティングチャンバ３と、前記コーティングチャンバ３内側に配置された少なくとも第１ターゲットユニット９とを備え、前記ターゲットユニット９は、少なくとも１つの実質的に平面であるスパッタターゲット６を備え、前記ターゲットユニット９は、前記ターゲットユニット９の内部空間１０´を規定する筐体１０を備え、前記ターゲットユニット９は、基板２のコーティング面に面する、コーティングチャンバ３の壁３ｃから距離を置いて配置されているため、筐体１０の背後には、筐体１０とコーティングチャンバ３の壁との間に若干の自由空間があることを特徴するスパッタコーティング装置１。 （もっと読む）

マグネトロン（７２）をターゲット（３８）の裏面の近傍で、半径方向成分を有する複雑な選択経路（１５０）で走査する場合、ターゲットエロージョン分布は、選択される複数の経路によって変わる形状を有する。所定のマグネトロンに対応する半径方向エロージョン速度分布（１６０）を測定する。走査中、定期的に、エロージョン分布（１６８）を、測定エロージョン速度分布（１６０）及び当該測定エロージョン速度分布から得られる分布（１６２，１６４，１６６）、マグネトロンが異なる半径方向位置で消費した時間、及びターゲット電力に基づいて計算する。計算エロージョン分布を使用することにより、エロージョン量がいずれかの位置で過剰になった時点を通知してターゲット交換を催促することができ、またターゲット上方のマグネトロンの高さを繰り返し走査に対応して調整することができる。本発明の別の態様によれば、マグネトロンの高さを、走査中に動的に調整する（２０６）ことによりエロージョン特性を補正する。当該補正は、計算エロージョン分布に基づいて行なうことができ、または定電力ターゲット電源（１１０）のターゲット電圧（１２４）の現在値をフィードバック制御することにより行なうことができる。
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【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２のうち、一方又は両方のマグネトロン磁石装置は、中心磁石４５と第一のリング磁石４６に加え、第二のリング磁石４７を有している。中心磁石４５は第一のリング磁石４６のリング内側に位置し、第一のリング磁石４６は第二のリング磁石４７のリング内側に位置する。一つのマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２がターゲット表面に形成するエロージョン領域の数が多く、また、第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２が形成するエロージョン領域は重なり合わないから、ターゲットの使用効率が高い。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】 可視及び紫外域で吸収のないＭｇＦ_２，ＬａＦ_３，ＹＦ_３，ＡｌＦ_３等のフッ化物薄膜や、Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ｔａ_２Ｏ_５，ＴｉＯ_２等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。
【解決手段】 一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、
該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット−基板に挟まれる空間であって基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。
また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法による成膜時において、ノジュールの発生を抑制することができる成膜方法及びスパッタ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ターゲット２２の表面２２ａ側であって、リング状磁石３３ａ，３３ｂと中心磁石３４ａ，３４ｂとの間には、磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場のうち垂直成分が０となる磁場ｐがリング状に形成され、各磁気回路３２ａ，３２ｂから発生するリング状の磁場ｐの短手方向における径をＡ、隣接する磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場ｐ間のＸ方向における距離をＢ、磁場ｐにより生成されるプラズマのエロージョンエリアをγとすると、磁場印加手段２６の片道移動距離Ｌを、Ｌ＝Ａ＋Ｂ±γ／２に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

スパッタチャンバ（１０）のスパッタリングターゲット（１８）の後方でスパッタチャンバ（１０）の中心軸（１４）の周りで回転するマグネトロン（４２）の方位角位置および円周位置を決定し、例えば遊星歯車機構を用いてほぼ任意の走査経路を可能にする、２つのモータ（３２、３６）を制御するための制御システムおよび方法が提供される。システムコントローラ（８８）が、複数のコマンドをモーションコントローラ（１５０）に周期的に送出し、モーションコントローラがモータを密に制御する。各コマンドは、コマンドチケットを含む。モーションコントローラは、直前のコマンドとは異なる値のコマンドチケットを有するコマンドだけを受領する。あるコマンドは、モーションコントローラ内に格納された走査プロファイルを選択するものであり、別のコマンドは、センサに問い合わせて、アームが期待位置にあるかを判定する、動的帰着コマンドを命令するものである。
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磁石／ターゲットアセンブリ（１）は、横並びに配置された、それぞれがターゲット（２）の縦軸ｘに沿って延びる複数の（仮想）セグメント（２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６）から成るターゲット（２）を備える。複数のターゲットセグメント（２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６）のそれぞれは、それぞれのターゲットセグメントに帰属する磁石システム（３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６）を有する。本発明のターゲット／磁石アセンブリ（１）の実施形態において、磁石システム（３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６）は、ターゲットセグメント（２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６）をそれぞれ走査する間、それぞれが隣接する磁石システム（３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６）に相対して互いにずらして配置される。特に、第１の磁石システム（３．１）、第３の磁石システム（３．３）及び第５の磁石システム（３．５）は、互いに平行に且つ同期して移動する第１の磁石システム群であり、第２の磁石システム（３．２）、第４の磁石システム（３．４）及び第６の磁石システム（３．６）は、互いに平行して且つ同期して移動する第２の磁石システム群である。第１、第３及び第５の磁石システム（３．１、３．３、３．５）は、ターゲット（２）の横方向ｙに、第２、第４及び第６の磁石システム（３．２、３．４、３．６）とそれぞれ交互に配置される。磁石システムの移動経路は、平行に配置される。第１及び第２の磁石システム群（３．１、３．２、３．３、３．４、３．５、３．６）は、ターゲット（２）の縦方向ｘにずれて配置される。即ち、これらの磁石システムは、２つの磁石システム群の間にターゲット２の縦方向ｘに距離ｄを置いて配置される。
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【要 約】
【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】
長方形の第一、第二のターゲット２１ａ，２１ｂの裏面に、大きさが異なる第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁，２０₂を周回移動させ、四本のエロージョン領域が形成されるようにする。第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁，２０₂が第一、第二のターゲット２１ａ，２１ｂの短辺を横切って、裏面位置に出入りするようにすると、エロージョン領域は長辺に沿った直線状になり、広い面積がスパッタリングされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ノジュールの発生に起因する薄膜の欠陥を減少できる、薄膜の製造方法および薄膜製造装置を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、ターゲット下部に配置した磁石を揺動させながらスパッタリングを行う薄膜の製造方法において、磁石の揺動範囲を段階的に狭める揺動範囲変更を行うことにより、ノジュールの発生に起因する薄膜の欠陥を減少させることを特徴とする薄膜の製造方法、および、ターゲット下部に配置した磁石を揺動させながらスパッタリングを行う薄膜製造装置において、前記磁石の揺動範囲を変更できる変更手段を有することを特徴とする薄膜製造装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、炭素などの粒子状母材の表面に安定的に粒径が２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の微粒子元素を担持させた合金粒子を得る合金微粒子担持装置を提供することである。
【解決手段】 粒子状母材を収容する容器と、この容器と対峙して配置され、白金を含有する矩形状の第１のスパッタ源と、この第１のスパッタ源に隣接して配置され、前記第１のスパッタ源と異なる元素を含有する第２のスパッタ源と、前記第１のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第１の磁石と、前記第２のスパッタ源の前記容器と対峙する側とは反対側に配置された第２の磁石と、を具備する合金微粒子担持装置において、前記第１或いは第２のスパッタ源とこれに応じた前記第１或いは第２の磁石間の距離、または、前記第１或いは第２の磁石の磁力を調整することにより、前記第１或いは第２のスパッタ源の表面近傍の磁場の磁束密度を変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのエロージョンを均一化することができるマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】反応室に基板とターゲットを互いに対向させ、バッキングプレートの裏面側にターゲットに対して磁界を形成する磁界発生手段を移動可能に配置し、基板とターゲットとの間に高電圧を印加して放電を発生させ、ターゲット材の構成原子を基板上に付着させて薄膜を形成するマグネトロンスパッタ装置において、バッキングプレートの裏面に沿って駆動操作される磁界発生手段を、磁極の向きが逆極性で、かつ磁化方向がバッキングプレートの裏面に向くようにして配置された第１の永久磁石２１Ａと第２の永久磁石２１Ｂとで構成し、かつ、磁界発生手段の駆動方向と交差する方向に磁界を形成する永久磁石の厚みを、駆動方向に沿って磁界を形成する永久磁石の厚みよりも小さくして、第１の永久磁石と第２の永久磁石の磁界強度を部分的に弱くなるように設定した。 （もっと読む）

【課題】 基板全面に亘って反応ガスを略均等に供給し、膜厚分布や比抵抗値などの膜質を基板全面で略均一にできる簡単な構成のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ室１１ａ内に所定の間隔を置いて並設した複数枚のターゲット４１と、各ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源Ｅと、スパッタ室へのスパッタガス及び反応ガスの導入を可能とするガス導入手段８とを備え、反応ガスを導入するガス導入手段は、少なくとも１本のガス供給管８４を有し、このガス供給管は、並設した各ターゲットの背面側で各ターゲットから離間させて配置されると共に、反応ガスを噴射する噴射口８４ａが形成されている。ターゲット相互間の各間隙を通って流れる前記反応ガス流量の調整を可能とする調節手段９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】非エロージョン部の発生を防止する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、磁界形成手段２０を横方向ｄａに往復移動しながら、縦方向ｄｂに往復移動し、ターゲット１５をスパッタリングしている。横方向ｄａの往復移動の速度は、基板７の移動速度の１／１０以下、かつ、１５０ｍｍ／分以上にされ、縦方向ｄｂの往復移動の速度は、基板７がターゲット１５の表面と対向しながら１００ｍｍ移動する間に、０．３往復以上する大きさにされており、このような移動速度では、非エロージョン部の発生が少なく、基板７に形成される薄膜の面内分布も向上する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い膜を成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット２２の第１面側に配置された磁気回路３０を備え、ターゲット２２の第２面側に成膜対象物５を配置して、マグネトロンスパッタ法により成膜を行う成膜装置１０において、磁気回路３０は、中心磁石３１と、中心磁石３２の外周を囲むように配置された外周磁石３２とを備え、磁気回路３０は、成膜対象物５の表面における垂直磁場の絶対値が磁気回路３０の幅内で１０ガウス以上となる磁場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜質が均一な膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ターゲット１５がスパッタリングされるときに、各ターゲット１５が基板１０に対して移動するので、スパッタリングのときに基板１０の全ての領域がターゲット１５と対向することになり、基板１０の表面に膜質均一な膜を形成することができる。また、スパッタリングのときには、ターゲット１５だけではなく、磁界形成装置２５もターゲット１５に対して相対的に移動するので、ターゲット１５の広い領域がスパッタリングされる。更に、磁界形成装置２５を基板１０に対しても移動するようにすれば、ターゲット１５が多くスパッタリングされる領域が基板１０に対して移動することになり、基板１０に形成される膜の膜厚分布がいっそう均一になる。 （もっと読む）