【課題】ターゲットのエロージョンの均一化を図ったマグネトロンカソード及びそのスパッタ装置の提供。
【解決手段】円形の内ターゲット５と、その外側に内ターゲット５と同心状の外ターゲット４を具備するマグネトロンカソード１において、外ターゲット４の背面側に位置して外ターゲット４を保持する外ターゲット用裏板部６２に対して不動であり、外ターゲット用マグネット群及びマグネット群が固定される外ヨーク１０からなる外マグネットユニット９と、内ターゲット５の背面側に位置して内ターゲット５を保持する内ターゲット用裏板部７２に回転可能及び移動可能とし、内ターゲット用マグネット群８１及びマグネット群が固定される内ヨーク１１からなる内マグネットユニット８と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して移動させる移動制御手段と、内マグネットユニット８を内ターゲット５に対して回転させる回転制御手段を具備する。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜する際に、迅速にアーク放電発生を検出して交流電源からの出力を遮断し、アーク放電発生時のエネルギーを小さくしてパーティクルやスプラッシュの発生などを効果的に防止できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、一対のターゲットへの出力電圧波形を検出し、この出力電圧波形の電圧降下時間が正常なグロー放電時よりも短時間であると判断した場合、交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリング装置を、その設置場所と交流電源の設置場所との間の距離に依存せず、精度の良く電力投入できるように構成する。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に、一対のターゲット４１ａ、４１ｂと、この一対のターゲットに対し所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加する交流電源Ｅとを設ける。交流電源Ｅを、電力の供給を可能とする電力供給部６と、この電力供給部からの電力ラインに接続された発振用スイッチ回路７２を有する発振部７とに分けて構成し、この発振部と各ターゲットとをブスバー８によって連結する （もっと読む）

【課題】 交流電源を用いたスパッタリングにより成膜するときに、容量結合した部分を通して発生したアーク放電を効果的に検出できるようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。その際、前記各ターゲットとグランドレベルとの間の電圧をそれぞれ検出し、この検出した電圧が所定値を超えると、前記交流電源からの出力を遮断する。 （もっと読む）

【課題】マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。
【解決手段】ターゲット１８表面に略平行にマグネット２４を揺動させつつ成膜を行うスパッタリング成膜装置において、スパッタリング電力密度Ｐ（ワット／平方センチメートル）と、マグネット２４の平均揺動速度Ｖ（センチメートル／秒）の比Ｐ／Ｖが０．２（ワット・秒／立方センチメートル）以上となる条件で成膜する。 （もっと読む）

長手方向端領域におけるスパッタターゲットの利用改善のための装置および方法が提供される。端領域の腐食の集中は広げられ、これによりターゲットの有用寿命が延びる。これは、より広い中央領域においてより大きな比率のターゲット材料が取り入れられ、ターゲットはより長期間利用されるので、効率の改善をもたらし、無駄を低減する。
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【課題】 マグネトロンスパッタ電極のおいて、磁石組立体の磁石相互間で発生するトンネル状の磁束のプロファイルを容易に調節できるようにする。
【解決手段】 磁石組立体５を、ターゲット４１の前方にトンネル状の磁束を形成すべく支持板５１上に中央磁石５２と周辺磁石５３とを配置して構成する。中央磁石と周辺磁石とを含む支持板の相互に対向する両側を分割し、この分割した中央部分５ａをベース板５４に固定すると共に、分割部分５ｂ、５ｃを、中央部分に対し前後方向、左右方向及び上下方向に移動自在とする位置変更手段を介してベース板に取付る。 （もっと読む）

【課題】 基板の全領域で高精度な膜厚分布の均一性を得ることのできるスパッタリング方法及び装置を実現する。
【解決手段】 成膜処理対象の基板９と成膜材料からなるターゲット２とを容器１内に対向配置し、ターゲット２の基板９側とは反対側に配置されたマグネット５をターゲット２の面に対して平行に往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて基板９に成膜を行う。また、基板９に成膜される薄膜のマグネット５の長手方向Ｂに沿う膜厚分布が、基板９の両端部よりも中央部が厚くなるように設定した後に、マグネット５を往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 処理基板に対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく中央磁石と周辺磁石とを有する磁石組立体を複数個並設してマグネトロンスパッタ電極を構成し、これを用いて反応性スパッタリングにより成膜する際に、処理基板面内で比抵抗値などの膜質が略均一になるようにする。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲット３１の後方に磁石組立体４ａ〜４ｈを少なくとも４個並設する場合に、並設した磁石組立体のうち処理基板の中央領域に対向する磁石組立体相互の並設方向の間隔Ｄ３を、その両端における磁石組立体相互の間隔Ｄ１より大きく設定する。 （もっと読む）

マグネトロン（３２６）が頭上の走査機構内の支持プレート（２６８）からマグネトロン上の異なる水平位置に連結された複数のバネ（３３０）を介して部分的に支持され、下からはターゲット上の複数の位置で摺動子又はローラ（２８２）上で部分的に支持されているマグネトロン走査・支持機構を開示する。一実施形態において、ヨークプレートは連続的かつ均一である。別の実施形態において、マグネトロンの磁気ヨークは２つの可撓性ヨーク（２２０、２２４）に分割され、例えば補完型の蛇行形状であり、それぞれが各極性の磁石を支持している。別の実施形態において、ターゲットとマグネトロンはその他の構造によって隔てられた各条片（２６２、２６４）へと分割される。各マグネトロン条片は共通の走査プレートから上から部分的に支持され、各ターゲット条片によって部分的に支持される。センタリング機構（３５０、３５８、３６２、３６８）は異なるマグネトロン条片を整列する。
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【課題】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置で、従来の、ターゲットプレートの非エロージョン部分に、該ターゲットプレートから飛散したものが付着し、厚くなり、付着したものが剥れて、処理基板への異物付着となり、処理基板に異物欠陥やＰＨ等の欠陥を発生させるという問題を、解決できるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 処理基板の成膜する側の面とターゲットプレートとを、平行に対向させ、マグネトロンスパッタ方式でスパッタを行うスパッタ装置であって、前記ターゲットプレートは、バッキングプレートに沿い保持された状態でスパッタ処理に供されるもので、前記ターゲットプレートの前記処理基板面側をエロージョン部分のみとしている。更に、該ターゲットの外周に沿い防着板を設けている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハにおける配線層間の接続抵抗を低減する。
【解決手段】 表面に凸部４ａが形成されたターゲット４を用い、このターゲット４の凸部４ａにプラズマイオン７を衝突させて金属原子８をはじき出して半導体ウェハ上のスルーホールの内壁に金属膜を堆積することにより、ターゲット４の凸部４ａ付近から飛び出してくる金属原子８の飛び出しの方向を狭めることなく金属原子８をはじき出すことが可能になる。これにより、配線層間の前記スルーホール内に形成される金属膜のステップカバレージを向上させることができ、その結果、配線層間の接続抵抗を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット及びそのバッキングプレートにシールされた真空排気マグネトロンチャンバを有するスパッタリアクタの真空ポンプシステム及び方法を提供する。
【解決手段】主スパッタチャンバはターゲットの前面に真空シールされており、クライオポンプで排気される。バイパス導管とバルブがマグネトロンチャンバと主チャンバを連結する。マグネトロンチャンバに連結された機械式粗引ポンプは、バイパスバルブを閉鎖し、クライオポンプを開口するに前に、バイパス導管を介して主チャンバを１Ｔｏｒｒより低く減圧し、続いてマグネトロンチャンバを継続して減圧することでターゲットを介した圧力差を低減する。バイパスバルブにわたって連結された圧力差スイッチは、漏れ又は電気的不全により圧力差が許容限度、例えば２０Ｔｏｒｒを超えたら速やかにバイパスバルブを開口する。バイパス導管は通気工程でも使用される。 （もっと読む）

【課題】下層の薄膜にダメージを与えず、エロージョン領域を広くできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの表面を対向させ、裏面に第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを配置し、第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂをマグネトロンスパッタしながら成膜対象物５を第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの側方を通過させ、少ないダメージで成膜した後、第三のターゲット２１ｃと正対する位置を通過させ、大きな堆積速度で薄膜を積層する。第一、第二の磁石部材１５ａ、１５ｂを第一、第二のターゲット２１ａ、２１ｂの裏面で動かし、エロージョン領域を広くする。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー２１内に所定の間隔を置いて並設した３枚以上のターゲット２４１と、各ターゲット２４１に対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加する交流電源Ｅ１〜Ｅ３とを備え、交流電源Ｅ１〜Ｅ３からの出力の少なくとも一つを分岐して２枚以上のターゲット２４１に接続し、この分岐した出力に接続された各ターゲット２４１の間で、交流電源から電位が印加されるターゲットを切替える切替手段としてのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３を設けたことを特徴とするスパッタリング装置２。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット上に非侵食領域が残らず、かつ、反応性スパッタリングを行う場合には、均一な膜質の膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリング装置２は、真空チャンバー内２１に所定の間隔を置いて並設した少なくとも４枚以上のターゲット２４１と、並設されたターゲットのうち２枚のターゲットに対して負電位及び正電位又は接地電位を交互に印加するように１個ずつ接続された交流電源Ｅとを備え、各交流電源Ｅを相互に隣接しない２枚のターゲット２４１に接続したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一般に、大面積の基板の堆積の均一性を高めるために陽極の表面積を増やした物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバで、基板の表面を処理する装置及び方法を提供する。
【解決手段】一般に、本発明の様々な側面はフラットパネルディスプレイ処理、半導体処理、太陽電池処理、又はその他あらゆる基板処理に使用できる。１の態様において、処理チャンバは、陽極の表面積を増やして、それを処理チャンバの処理領域全体により均一に分布させるために使う１又は複数の陽極アセンブリを含む。１の態様において、陽極アセンブリは、導電部材と導電部材支持部とを含む。１の態様において、処理チャンバは、処理チャンバから大型の要素を取り外さなくても、導電部材を処理チャンバから取り出せるようになされている。 （もっと読む）

【課題】 Pb量の面内分布が変動するのを防止することが可能な成膜方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ１０１と、チャンバ１０１の内部に設けられた鉛を含むスパッタターゲット１０４と、チャンバ１０１の外側に回転可能な状態で設けられてスパッタターゲット１０４の表面１０４ａの磁場を時間的に変動させる磁石ユニット１０６とを有するマグネトロンスパッタ装置を用い、マグネトロンスパッタ法による鉛を含んだ膜の成膜が所定枚数のシリコン基板１０に対して終了するたびに、スパッタターゲット１０４と磁石ユニット１０６のそれぞれの表面同士の距離Dを最適距離に戻す成膜方法による。 （もっと読む）

【課題】 装置本体のチャンバー部大きくなるか又は、２室以上の真空槽必要となる為、装置が大型化したり、装置費用が高額になるというコストの問題が発生していた。
【解決手段】 円筒状のターゲットユニットにおいて２種以上の膜形成を行なう為に、円筒状のターゲットを連なって配置し、円筒状のカソード電極及び、アノード電極を共にスムースさせてプラズマを発生させる事により、従来１元ごとに構成していたターゲットユニットを簡略化することで、装置コストを大幅に削減する事が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、平板状ターゲット（２０）と平板状磁石システム（１）とを有するマグネトロンに関する。平板状磁石システムは、端部が拡大された棒状の第１の磁極（２６）と枠状の第２の磁極（２）とを有し、ターゲットが定置された場合は、可動磁石システムの各点が円軌道上を移動する。磁石システムが定置された場合は、ターゲットの各点が同様の円軌道上を移動する。磁石システムとターゲットは互いに相対運動をする間、平行な面上にある。この場合、円軌道の直径（Ｄ）は、スパッタリングプロセスで第１の磁極と第２の磁極との間に形成されるプラズマチューブの２本の平行な腕の平均間隔に相当する。プラズマチューブの曲線領域で極線が円弧又は円形面を形成するように、磁石が同領域に配置されていることにより、ターゲット内に孔の生じることが回避される。

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