【課題】優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】この超格子半導体構造は、工程チャンバ１７０内のサセプター１３０上に基板１０１を搭載する段階Ｓ１と；上記工程チャンバ内の上記サセプター上に互いに異なる領域に第１ソースと第２ソースガスＡ、Ｂを同時に供給し、互いに分離された第１ソースガス領域１３４と第２ソースガス領域１３６を形成する段階Ｓ３と；上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第１ソースガス領域と上記第２ソースガス領域を通過する段階を含む。 （もっと読む）

マクロ多孔性の支持構造基板上に、犠牲層を成長させる。その後、上記支持構造基板の背面を部分的に除去し、該支持構造基板の背面において、該犠牲層の一領域を露出させる。上記支持構造基板の背面の表面、および、上記犠牲層の露出した領域に薄層を成長させ、細孔内の上記犠牲層を、該薄層に関して選択的に除去し、該薄層によって細孔底面を形成する。
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格子不整合基板における核生成およびひき続いてのエピタキシャル成長のための単一工程方法は、V族反応剤またはVI族反応剤の導入前に先立って、少なくとも１つのIII族反応剤または少なくとも１つのII族反応剤で基板表面を前処理することによって達成される。III族反応剤またはII族反応剤が、実際の結晶成長に先だって、上昇した成長温度の成長室へ導入されて、基板表面をぬらす。いったん表面の前処理が完了すると、V族反応剤またはVI族反応剤を成長室に導入して、核形成層の堆積を開始する。次いで、緩衝層を核形成層上で成長させ、エピタキシャル層が、好ましくはチャンバー(chamber)内での温度変化なしに成長する表面を供する。
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【課題】 本発明の目的は、エッチング性に優れ、低抵抗値、高い透過率、良好な表面平滑性を併せ持つ透明電極及び透明電極の製造方法を提供することである。
【解決手段】 透明基材上に透明高屈折率層と金属粒子とを交互に積層し、総膜厚が３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であって、かつ表面抵抗値が１Ω／□以上、１３Ω／□以下であることを特徴とする透明電極。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ単結晶層に基づく良質の結晶成長が可能な、新たな窒化物単結晶基板の製造方法及びこれを利用した窒化物半導体発光素子を提供すること
【解決手段】窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】
酸化インジウムＩｎ₂Ｏ₃をベースとした可視光応答可能な光触媒材料を提供する。
【解決手段】
本発明の光触媒は、窒化酸化インジウムＩｎＮ_1-xＯ_x（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなる。基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ_1-xＯ_x膜について、光吸収端は１.９〜２.７ｅＶであり、可視光を十分に吸収でき、可視光領域においても光触媒活性を有する。 （もっと読む）

【課題】下地に発生した転位をその上に形成する窒化物半導体層に伝播させずに、均一性と安定性に優れた窒化物半導体材料を提供する。
【解決手段】サファイア基板（０００１）面上に、ＭＯＶＰＥ装置でＧａＮ膜を極性が揃う程度の膜厚（約３μｍ）で製膜した。その表面にＰ−ＣＶＤ法によりＳｉＮｘ膜を約１００ｎｍ製膜し、開口部とマスク部の面積比がそれぞれ１：５になるように周期的なストライプ状のマスクを形成した。 そのウェハーをＨＶＰＥ装置に投入し、ガスが流れてくる方向とウェハー表面の法線との角度が８０°となるように設置し、１０５０℃でＧａＮを成長させた。ウェハーの断面をＴＥＭで観察した結果、第一窒化物半導体層のＧａＮの転位（欠陥）が第二窒化物半導体層に伝播していないことが確認された。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型伝導層をＣ添加のＩｎＧａＡｓを主成分とする化合物半導体層で構成したエピタキシャル結晶であって、ｐ型伝導層の結晶性及びｐｎ接合の急峻性に優れ、ＨＢＴ等の電子デバイス用基体として有用なエピタキシャル結晶を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板上に、ｐ型不純物として炭素が添加されたＩｎＧａＡｓを主成分とするｐ型伝導層を含む複数のエピタキシャル層が積層された化合物半導体エピタキシャル結晶において、前記ｐ型伝導層がアンチモンを０．５〜１０モル％含有するようにした。 （もっと読む）

【課題】 あらかじめ粒径を揃えた液滴を噴霧することが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、粒径の制御された液状微粒子を生成する手段Ａと、生成された液状微粒子を温度制御しながら誘導する空間からなる手段Ｂと、誘導された液状微粒子を噴霧する手段Ｃと、噴霧された液状微粒子を被処理体に塗着させて透明導電膜を形成する空間からなる手段Ｄと、を少なくとも具備する。本発明に係る成膜方法は、まず、手段Ａにより粒径の制御された液状微粒子を生成する。次に、生成された液状微粒子を、手段Ｂにより温度制御して粒径を揃えたまま後続する手段Ｃまで誘導する。その後、誘導された液状微粒子を手段Ｃにより被処理体としてのガラス基板１０に対して噴霧し、手段Ｄにおいて噴霧された液状微粒子２をガラス基板１０上に堆積させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム単結晶の成長速度を高め、従来より量産性に優れた窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 ＭＯＣＶＤ法により、加熱した基板上にIII族原料ガスとＶ族原料ガスをキャリアガスと同時に供給し、熱分解反応させて窒化ガリウム単結晶を成長させるに際し、III族原料ガスの導入量を１０〜１００ｓｃｃｍとし、キャリアガスとＶ族原料ガスの導入量の和がIII族原料ガスの導入量の１０００倍以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】アクセプタ不純物の添加された、少なくともアルミニウムを含むIII族窒化物系化合物半導体層の結晶性の向上。
【解決手段】サファイヤ基板101の上に、順にAlNから成るバッファ層102、ノンドープのGaNから成る層103、シリコン(Si)をドープしたGaNから成るｎ型コンタクト層104、多重層105、ノンドープGaNから成る障壁層1062とノンドープIn_0.2Ga_0.8Nから成る井戸層1061がくり返し形成された多重量子井戸層からなる発光層106、Mgをドープしたｐ型Al_0.2Ga_0.8Nから成るｐ型層107、ノンドープのAl_0.02Ga_0.98Nから成る層108、Mgをドープしたのｐ型GaNから成るｐ型コンタクト層109を形成した。ｐ型層107を窒素と水素の混合ガス(窒素濃度40〜80%)下でエピタキシャル成長させることで光強度が向上した。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】前駆体の循環堆積によって三成分金属ケイ素窒化物膜を製造するための改善された方法を提供する。
【解決手段】金属アミドと、ＮＨ及びＳｉＨ官能性の両方を有するケイ素源とを前駆体として使用することにあり、それによりこのような金属−ＳｉＮ膜が形成される。これらの前駆体は、循環堆積によって基材表面に逐次的に適用される。例示的なケイ素源は、以下の式、即ち、（Ｒ¹ＮＨ）_nＳｉＲ²_mＨ_4-n-m（ｎ＝１、２；ｍ＝０、１、２；ｎ＋ｍ≦３）；及び（Ｒ³₂Ｎ−ＮＨ）_xＳｉＲ⁴_yＨ_4-x-y（ｘ＝１、２；ｙ＝０、１、２；ｘ＋ｙ≦３）によって表されるモノアルキルアミノシラン及びヒドラジノシランであり、式中、Ｒ^1-4が同じであるか又は異なり、アルキル、ビニル、アリル、フェニル、環状アルキル、フルオロアルキル、シリルアルキルからなる群より独立して選択される。 （もっと読む）

大気圧もしくはその近傍の圧力下、高周波電界Ａを発生させた第１の放電空間に放電ガスを供給して励起し、前記励起した放電ガスのエネルギーを薄膜形成ガスに伝えて励起し、基材を、前記励起した薄膜形成ガスに晒すことにより、前記基材上に薄膜を形成する第１の工程と、高周波電界Ｂを発生させた第２の放電空間に酸化性ガスを含有するガスを供給して励起し、前記第１の工程で形成された前記薄膜を、前記励起した酸化性ガスを含有するガスに晒す第２の工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
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【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＩＳの更なる高集積化に伴って要求されている超微細化孔への埋め込み特性や、精密な段差被覆性の実現が可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって基体上に金属原子含有薄膜を製造する方法であり、基体にパルスバイアス電圧を印加しながら該金属原子含有薄膜を形成する薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ前駆体、その製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜を提供する。
【解決手段】下記式で表示されるＴｉ−含有薄膜製造用のＴｉ前駆体、該Ｔｉ前駆体の製造方法、該Ｔｉ前駆体を利用したＴｉ−含有薄膜の製造方法及び該Ｔｉ−含有薄膜である。
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【課題】ＧａＩｎＮ層などのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でＩｎを含まない別の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の劣化を防止し、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を高品質とする。
【解決手段】Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にこの層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でＡｌＧａＮからなる保護膜を成長させ、その上にＩｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる場合に、Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および保護膜を成長させる際のキャリアガスとしてＮ₂ を用い、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる際のキャリアガスとしてＨ₂ とＮ₂ との混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】所定の単結晶基板上において、高い結晶品質のＡｌ含有III族窒化物膜を形成する。
【解決手段】所定の単結晶基板の主面上に、高さが０．５ｎｍ〜５ｎｍのＡｌＮからなる針状構造を形成する。次いで、前記単結晶基板の前記主面上において、前記針状構造を介してＡｌ含有III族窒化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるＡｌＮ薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質（表面平坦性、配向性、転位密度）の劣化を極力抑止すること。
【解決手段】Ｓｉ基板１上にバッファー層としてＡｌＮ層２を形成し、その上にIII−Ｖ族窒化物半導体結晶を薄膜として積層する窒化物半導体結晶の製造方法において、上記ＡｌＮ層２の成長初期に、ＡｌＮの原料と共にＳｉ原料を流しながら成長することにより、Ｓｉ元素を１×１０²⁰cm^-3以上の濃度になるように添加してＡｌＮとＳｉの混晶層を形成する。 （もっと読む）