【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】３００℃以上かつガラスの歪点より低い第１加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して１層目の膜を形成する第１成膜工程と、第１加熱温度より高い第２加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して２層目の膜を形成する第２成膜工程とを備える。また、第２成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの濃度の低下を抑制する。
【解決手段】原料ガス発生装置１０１は、容器１１１内の固体原料１０２を加熱し、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生させる。通気管１１３を介して容器１１１内に導入されたキャリアガスは、ガス拡散部材１１５の拡散体１３１により拡散され、開口部１１５Ａから鉛直下方向に噴出される。固体原料１０２から発生した原料ガスは、キャリアガスとともに固体原料１０２の上方から、通気管１１６を介して容器１１１の外に排出される。本発明は、例えば、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生する原料ガス発生装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる回収装置を提供する。
【解決手段】気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置３に、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部５と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管５１と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管５２と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管６１と、前記流入管に設けられた第１弁と、前記流入管を加熱する加熱部７と前記排出管に設けられた第２弁と、前記迂回管に設けられた第３弁とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても，高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し，そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ２００Ｂと，それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ３００との間のゲートバルブ装置は，トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は，そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第１シール部材３３０Ａとその外側の第２シール部材３３０Ｂにより囲んで２重シール構造とし，これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔４０８を筐体の側壁に設け，トランスファチャンバとの基板搬出入口を，筐体内を昇降自在な弁体４１０によって開閉するようにした。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、下地との密着性を良好にすることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、処理容器１内に気体状のコバルトカルボニルを供給し、基板Ｗ上でコバルトカルボニルを熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜するにあたり、基板ＷのＣｏ膜の下地が、Ｃｏ膜との界面近傍に混合層を形成する材料で構成されており、基板Ｗの加熱温度を１９０〜３００℃とする。 （もっと読む）

【課題】めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】炭素含有コバルト膜の成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内にウエハＷを搬入し、ステージ３上に配置する工程と、処理容器１内の圧力及びウエハＷの温度を調節する工程と、処理容器１内にＣｏ_２（ＣＯ）_８とアセチレンとをそれぞれ供給して処理容器１内で混合し、ＣＶＤ法によりウエハＷの表面に炭素含有コバルト膜を堆積させる工程と、成膜原料の供給を停止し、処理容器１内を真空引きする工程と、処理容器１内からウエハＷを搬出する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを基板Ｗに至るまでＣｏ_４（ＣＯ）_１２が生成されないようにして基板Ｗに供給し、前記基板上で熱分解によりＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、Ｃｏ膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、基板Ｗの温度を１６０〜３００℃とし、処理容器１内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜８１中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ｔｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ１）、Ｔｉ膜上にＣｏ膜を形成する工程（ＳＴＥＰ２）、Ｔｉ膜及びＣｏ膜を熱処理してＣｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜を形成する工程（ＳＴＥＰ３）を備えている。Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に単一原料として気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_４（ＣＯ）_１２を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。このとき、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させ、これにより生成された気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８をＣｏ_４（ＣＯ）_１２が安定に存在する温度にして気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２に変化させ、処理容器１内に供給する。または、成膜原料として固体原料であるＣｏ_４（ＣＯ）_１２を用い、これを気化させて処理容器１内に供給する。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】 真空に保持され、基板が配置されて、配置された基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第１の処理容器１０１と、真空に保持され、第１の処理容器内でカルボン酸塩膜が堆積された基板が配置されて、配置された基板にエネルギーを与えて基板上のカルボン酸塩を分解し、基板上に金属膜を形成する第２の処理容器１０２と、第１の処理容器１０１から第２の処理容器１０２へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構１１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物の原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空排気が可能になされた処理容器２２と、加熱ヒータ３４が設けらた載置台２８と、載置台に対向させて設けられており、原料ガスの分解を促進させる分解促進ガスを導入させるために載置台上の被処理体に対向するように配置された複数の分解促進ガス導入口８０Ａと原料ガスを導入させるために複数の分解促進ガス導入口が形成された領域を囲むようにして配置された原料ガス導入口８０Ｂとを有するガス導入手段８０とを備える。これにより膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くする。 （もっと読む）

【課題】ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体Ｗを載置する載置台構造２２において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータ２６が設けられた載置台本体１１４と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路２８が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台１１６とを備える。これにより、ドライクリーニング処理自体をなくすなどして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に行う。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給すると共に原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】２価のカルボン酸金属塩と一酸化炭素又はアンモニアとを反応させて１価のカルボン酸金属塩ガスを生成する工程と、基板１上に１価のカルボン酸金属塩ガスを供給して１価のカルボン酸金属塩膜２を堆積させる工程と、１価のカルボン酸金属塩膜２が堆積した基板１にエネルギーを与えて１価のカルボン酸金属塩膜２を分解し、金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 各膜の組成が異なる積層膜を、極めて効率よく、しかも酸化等の不都合が生じることなく形成することができる積層膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 処理室内に基板１を配置し、処理室に、少なくとも、金属カルボニルを含有する原料を含む成膜原料を導入し、ＣＶＤにより基板１上に金属カルボニル中の金属を含む複数の膜６ａ、６ｂを含む積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、上記積層膜に含まれる膜は、同一処理室内で、原料種および／または成膜条件を異ならせて連続成膜され、上記膜の組成が異なる積層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）