表面上に金属含有フィルムを形成させる原子層蒸着法が提供される。これらの方法は、これらの方法の最も広い態様において、（ａ）表面を表面活性化剤にさらして表面上に表面活性化錯体の蒸着物を形成させる工程と、
ｂ）表面活性化錯体の蒸着物を金属前駆体にさらして表面上に金属錯体の蒸着物を形成させる工程と、
ｃ）蒸着させた金属錯体を還元剤と反応させて、表面上に酸化物を含まない金属含有フィルムを形成させる工程とを含んでなり、ここで、金属はＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＩｒおよびＷよりなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。
【解決手段】コバルト化合物、ルテニウム化合物及びタングステン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物の膜が形成された基体上の金属化合物を昇華させ、当該昇華気体を金属膜を形成するための基体に供給して分解し、それにより基体の表面に金属膜を形成する方法。 （もっと読む）

【課題】有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】当該有機金属前駆体は、次の式


（Ｍはコバルト、鉄、ニッケル、マンガン、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム、オスミウム、Ｒ^1-5は水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリール）により表されるＮ，Ｎ’−アルキル−１，１−アルキルシリルアミノ金属錯体である。 （もっと読む）

【課題】下地との密着性が高くて膜剥がれの発生を抑制でき、しかも、微細化が進んでもステップカバレジを十分に高くすることができ、更には合金種の元素を十分に拡散させることができる薄膜の積層構造の形成方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面に複数の薄膜を堆積して薄膜の積層構造を形成する方法において、合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第１の金属よりなる合金種膜１０４を形成する合金種膜形成工程と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第２の金属よりなる母材膜１０６を前記合金種膜よりも厚く形成する母材膜形成工程とを、それぞれ１回以上交互に行うようにする。 （もっと読む）

固相先駆体（３５０）の曝露された表面領域を増大させることによって、成膜速度を増大させるための、高コンダクタンスの蒸気分配システム（４０，１４０）と結合する、高コンダクタンスの、マルチトレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）について説明する。多重トレイの固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）は、１つ以上の上部トレイ（３４０）を有する底部トレイ（３３０）を有する。各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）を、固体の粉末状又は固体の錠剤状に支持及び維持するように備えられている。それに加えて、各トレイ（３３０，３４０）は、膜の先駆体（３５０）にわたって高コンダクタンスのガス流を供する一方で、膜の先駆体（３５０）は加熱される。たとえばキャリアガスは、膜の先駆体（３５０）上の内側を流れ、積層可能なトレイ（３４０）内部のフローチャネル（３１８）を垂直上方に流れ、かつ固相先駆体気化システム（５０，１５０，３００，３００’）内の排気口（３２２）を流れる。
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ルテニウムカルボニル（Ｒｕ_３（ＣＯ）_１２）またはレニウムカルボニル（Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０）などの特に蒸気圧の低い前駆体を用いる堆積装置において、前駆体蒸気圧を正確に測定するよう改善された測定方法を提供する。一の実施形態において、システム（１、１００）は、流量を測定するため、差圧マノメータを含んでいる。測定および較正の方法もまた提供される。
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固体前駆体表面の露出面積を増大することにより堆積速度を増加するため、高コンダクタンス気相原料供給システムと結合される、高コンダクタンス、マルチトレイの固体前駆体蒸発システム（５０、１５０、３００、３００’）とともに使用される交換式の前駆体トレイについて記載する。マルチトレイの固体前駆体蒸発システム（５０、１５０、３００、３００’）は、薄膜堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）と結合されるよう構成され、１又は２以上の積み重ね可能な上部トレイ（３４０）とともにベーストレイ（３３０）を有する。各トレイ（３３０、３４０）は、たとえば、固体パウダー状または固体タブレット状の膜前駆体（３５０）を支持し保持するよう構成される。また、各トレイ（３３０、３４０）は、膜前駆体（３５０）が加熱される間、キャリアガスが高コンダクタンスで膜前駆体（３５０）の上を流れるよう構成される。たとえば、キャリアガスは、膜前駆体（３５０）の上を内向きに流れ、積み重ね可能なトレイ（３７０、３７０’）内のフローチャネル（３１８）を通して垂直上向きに流れ、固体前駆体蒸発システム（５０、１５０、３００、３００’）の出口（３２２）を通って流れる。

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金属カルボニル前駆体（５２、１５２）の気相原料を一酸化炭素ガスと混合することにより、金属カルボニル前駆体（５２、１５２）からの金属層の堆積速度を増大する方法（３００）が開示される。この方法（３００）は、堆積システム（１、１００）のプロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（２５、１２５）を提供する工程と、金属カルボニル前駆体の気相原料を含むプロセスガスを生成する工程と、熱化学気相堆積プロセスによって基板（２５、１２５、４００、４０２）に金属層（４４０、４６０）を堆積するために基板（２５、１２５、４００、４０２）をプロセスガスに晒す工程とを含む。
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【課題】安定した放電を維持し、付着力の高い良質のダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。
【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 （もっと読む）

後に酸素含有環境に晒されるときに下地の金属層の特性及び形態を維持する不動態化された金属層を形成する方法が提供される。当該方法は、処理チャンバー（１）内に基板（５０、３０２、４０３、５１０）を設置する工程、化学的気相堆積法にて基板（５０、３０２、４０３、５１０）上にレニウム金属層（３０４、４０８、５８０）を堆積するために、レニウム−カルボニル前駆体を含有する処理ガスに基板（５０、３０２、４０３、５１０）を晒す工程、及びレニウム金属表面でのレニウム含有ノジュール（３０６）の酸素誘起成長を抑制するために、レニウム金属層（３０４、４０８、５８０）上にパッシベーション層（４１４、５９０）を形成する工程を有する。
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金属層を基板の表面に接着させるための方法及びそれにより得られた構造体が記載されている。該方法は、金属層を基板上に堆積する前に、該基板表面に犠牲酸性有機層を適用する工程を含む。金属層の堆積時、この犠牲酸性有機層はほぼ消費され、それにより優れた接着特性を有する金属／基板界面が残る。
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形態が向上した金属層を基材の上に形成する方法および処理ツールが提供される。本方法は、プラズマの中で励起された化学種に基材を曝すことによって基材を前処理するステップと、金属カルボニル前駆物質を含有するプロセスガスに前処理された基材を曝すステップと、金属層を前処理された基材の上に化学蒸着法で形成するステップとを含む。金属カルボニル前駆物質は、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、またはＲｕ_３（ＣＯ）_１２、もしくはこれらの任意の組合せを含み、金属層は、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ、またはＲｕ、もしくはこれらの任意の組合せをそれぞれ含み得る。
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【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】 シーケンシャル流量堆積を使用して金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 シーケンシャル流量堆積を使用して良好な表面モホロジを有する金属層を堆積させる方法は、処理チャンバ内の基板を交互に金属−カルボニル前駆ガスと、還元ガスとに曝すことを含む。金属−カルボニルプリカーサガスにさらされる間、薄い金属層は、熱分解によって基板上に堆積され、その後の還元ガスに金属層を曝すことは、金属層から反応副生成物の除去するのを助ける。所望の厚さを有する金属層が達成されるまで、金属−カルボニルプリカーサガスと、還元ガスとの曝露ステップは、繰り返されることができる。 （もっと読む）

総括的には本発明は、限定ではないが、高誘電率ゲート誘電体膜などの高誘電率誘電体膜又は層の堆積方法を提供する。１つの実施形態では、オゾンが別個のサイクルのチャンバに選択的に運ばれて、属酸化物層が最小厚さの界面酸化物層を有する基板の表面上に金属酸化物層を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）サイクルが実施される。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサからの金属層の低圧堆積を提供することである。
【解決手段】 半導体基板上に熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって金属層を堆積させる方法は、処理チャンバに金属カルボニルプリカーサを含むプロセスガスを導入することと、基板上に金属層を堆積させることとを含む。ＴＣＶＤプロセスは、低い抵抗率の金属層を形成するように、基板上方の処理ゾーン内のガス種の短い滞留時間を利用する。本発明の実施形態において、金属カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２のプリカーサの少なくとも１つから選ぶことができる。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサから金属層を堆積させる方法を提供することである。
【解決手段】 熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって半導体基板上に金属層を堆積させる方法を提供する。ＴＣＶＤプロセスは、金属層を堆積させるように金属−カルボニルプリカーサを含む希釈したプロセスガスの大流量を利用する。本発明の１つの実施形態では、金属−カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２の少なくとも１つから選ばれることができる。本発明の別の実施形態では、約４１０℃の基板温度および約２００ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力で、Ｗ（ＣＯ）_６プリカーサを含むプロセスガスよりＷ層を堆積させる方法は、提供される。 （もっと読む）