【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、ターボ機械の金属部品の高温での酸化から保護する気相堆積のアルミ被覆方法に関し、上記部品は外側からアクセスすることのできる開口部を備える空洞を含み、
この方法によれば、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーとの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、上記金属ドナーは少なくとも部分的に上記空洞に置かれ、
金属ドナーは金属粉の混合物の圧力下の高温焼結によって得られるペレットの形である。 （もっと読む）

【課題】微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。 （もっと読む）

無機多孔質基材、及びベース基板に堆積させたナノ粒子を用いた無機多孔質基材の製造方法である。無機多孔質基材は生物学的応用、例えば、ＤＮＡ、ＲＮＡ、蛋白質等の生体分子の固定に有益である。また、無機多孔質基材は細胞増殖の分野でも有益である。
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1つ以上の基板上にコバルト含有膜を堆積させるための方法および組成物がここに開示される。熱安定性のためにコバルトに結合された少なくとも1つのペンタジエニル配位子を含むコバルト前駆体が、1つ以上の基板を収容する反応チャンバー中に導入され、該コバルト前駆体は該基板上にコバルト含有膜を形成するために堆積される。 （もっと読む）

【課題】気相原料を使った金属膜の成膜技術であって、半導体ウェハ周辺部への金属膜の堆積を確実に抑制できる技術を提供する。
【解決手段】被処理基板表面に金属カルボニル原料の気相分子を供給し、前記被処理基板表面近傍において分解させることにより、前記被処理基板表面に金属膜２１を堆積する成膜方法において、前記処理基板表面に金属層を堆積する際に、前記被処理基板の外周部に隣接する領域において前記金属カルボニル原料を優先的に分解させ、前記被処理基板外周部近傍において、雰囲気中のＣＯ濃度を局所的に増大させ、前記外周部への金属膜の堆積を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の良好なＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板の製造方法では、多結晶半導体膜５を形成し、次に多結晶半導体膜５上に金属性導電膜６を形成する。そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体プロセスに関する。より具体的には、本発明は、化学気相成長法によって形成される金属含有膜を半導体素子に集積する方法に関する。
【解決手段】 たとえばゲートスタックのような、半導体素子中の金属含有膜を集積する方法。一の実施例では、当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する手順、その基板をタングステンカルボニル含有ガスに曝露することによって、その基板上に、第１基板温度でタングステン含有膜を成膜する手順、第１基板温度よりも高温である第２基板温度でタングステン含有膜を熱処理することで、そのタングステン含有膜から一酸化炭素を除去する手順、及びその熱処理されたタングステン含有膜上にバリヤ層を形成する手順、を有する。タングステン含有膜の例には、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉ、及びＷＣが含まれる。他の実施例は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ又はＲｕを含む金属含有膜を、各金属元素に対応した金属カルボニル先駆体から堆積する手順を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 耐熱温度が比較的低い樹脂製基板に微細かつ膜厚が均一な薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 加熱手段２によって密閉容器１の内部を反応温度まで上昇させる。次に、薄膜の原料となる金属錯体または酸化物の錯体と、２００℃以下の沸点を有する溶媒と、を混合した反応液４を加熱雰囲気によって加熱して前記錯体を含む原料ガス発生させて飛散させる。原料ガス中に基板５を供給し、錯体を分解させて金属または酸化物を基板上に析出させ、薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニル前駆体を用いて基板上に形成される金属薄膜のＣＯ中毒を抑制する方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属薄膜８４０、８６０は、薄膜堆積システム１、１００の基板ホルダー２０、１２０上に載せられた基板２５、１２５上に形成される。基板ホルダー２０、１２０は、基板ホルダー２０、１２０の周辺端部に位置付けられて基板２５、１２５の周辺端部を取り囲む防御リング２１、１２４を有する。防御リング２１、１２４は基板２５、１２５の周辺端部でのＣＯ副生成物の生成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高堆積レートで膜の均一性の良好な堆積システムを提供する。
【解決手段】供給ガスとして金属カルボニル先駆体（５２）及びＣＯを利用する堆積プロセスの初期化方法及びシステムについて説明する。プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。ＣＯガス及び蒸気先駆体が排気系へ流れる間、たとえば不活性ガス、ＣＯ又はこれらを混合させたガスのようなパージガスが、プロセスチャンバ（１０）に導入されて良い。一旦安定したＣＯガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、ＣＯガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ（１０）に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 （もっと読む）

【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

【課題】膜前駆体（３５０）の露出表面積を向上させることにより成膜速度を向上するため、高伝導性の気相供給システム（４０）に結合された、高伝導性のマルチトレー膜前駆体蒸発システム（５０、３００）を示した。
【解決手段】マルチトレー膜前駆体蒸発システムは、１または２以上のトレー（３３０、３４０）を有する。各トレーは、例えば、固体粉末状または固体タブレット状の膜前駆体を支持し、保持するように構成される。また、膜前駆体が加熱されている間、各トレーは、膜前駆体の上部に流れるキャリアガスに、高い導電性が提供されるように構成されても良い。例えば、キャリアガスは、膜前駆体の上方から内方に流れ、積層可能なトレー内の流束溝を介して垂直に上方に流れ、固体前駆体蒸発システム（３００）の出口（３２２）から排出される。 （もっと読む）

ガス貯蔵コンテナーの内部にコーティングする方法であって、上記方法は化学蒸着のための前駆物質を上記貯蔵コンテナーに供給する工程、および金属コーティングを上記コンテナーの内部表面上に形成する工程を含み、上記コーティングは化学蒸着のための前駆物質より形成される、方法。また、内部表面を有するガス貯蔵容器を含むガス貯蔵コンテナーであって、上記貯蔵容器の上記内部表面上に形成されたライナーを有する、ガス貯蔵コンテナー。上記ライナーは約９９重量％またはそれ以上の純度のタングステン金属を含み得る。さらに、化学蒸着前駆物質発生器および上記前駆物質をガス貯蔵コンテナー中に輸送するための前駆物質注入アセンブリを含み得る金属ライニングされたガス貯蔵コンテナーを作製するためのシステム。上記システムは、上記ガス貯蔵容器からガス状の蒸着生成物を除くための排気出口も含み得る。
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【課題】層形成に際して高真空および大きなチャンバを必要としない層形成方法および装置を提供する。
【解決手段】層形成装置は、０．０１Ｐａから常圧までの範囲における圧力下において固体または液体の有機金属材料を加熱し気化させることで該有機金属材料を含む原料ガスを生成する材料気化部１０８と、基材Ｗを保持する基材保持部１００と、基材Ｗの表面を、材料気化部１０８により気化させた有機金属材料の分解温度よりも高い温度に加熱する基材加熱部１０４と、原料ガスからなる雰囲気を基材Ｗの表面上に局所的に形成する材料供給部１０９とを備える。材料供給部１０９は、基材の表面の少なくとも一部を原料ガス雰囲気に暴露させることで基材Ｗの表面に金属層または金属化合物層を形成する。 （もっと読む）