多座配位β−ケトイミナート金属錯体
【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造産業は、原子層堆積を含む化学気相堆積処理用の金属源含有前駆体を常に必要としており、シリコン、金属窒化物、金属酸化物、及びこれらの金属含有前駆体を用いた他の金属含有層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するために使われる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、窒素又は酸素の官能基が多座配位β−ケトイミナートのイミノ基に組み込まれている、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液を対象とし、その多座配位β−ケトイミナートは、次の構造で表される群から選択される。
【０００４】
【化１】
【０００５】
式中、Ｍは価数が２〜５の金属である。金属の例として、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム及びオスミウムが挙げられる。様々な有機基が使用でき、例えば、Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。添字ｎは金属Ｍの価数と等しい整数である。
【０００６】
【化２】
【０００７】
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム及びハフニウムを含む、４族及び５族の金属から選択される金属イオンであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。Ｒ7は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計は金属の価数と等しい。
【０００８】
【化３】
【０００９】
式中、具体例として、Ｍはアルカリ土類金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バリウムであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、炭素原子２個のアルキレン架橋基であって、金属中心に配位して５員環を形成し；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、あるいはそれらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよく；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
【発明の効果】
【００１０】
これらの金属含有多座β−ケトイミナートを化学気相堆積又は原子層堆積用の前駆体として使用することによって、いくつかの利点が実現でき、例えば、
反応性錯体を良好な収率で形成する能力；
１種類の配位子が配位した、単量体錯体、特にストロンチウム錯体及びバリウム錯体を形成し、高い蒸気圧を実現できる能力；
幅広い電気的用途での使用に適した、高度にコンフォーマルな金属薄膜を製造する能力；
マイクロエレクトロニクスデバイスでの使用に適した、高度にコンフォーマルな金属酸化物薄膜を形成する能力：
錯体が高い化学反応性を有するために、金属含有多座β−ケトイミナートと基材表面との間の表面反応を促進する能力；及び
Ｒ1基〜Ｒ7基を変えることにより、これらの金属含有多座β−ケトイミナートの物理的特性を調節する能力
が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、金属含有多座β−ケトイミナート前駆体と、堆積処理、例えばＣＶＤ及びＡＬＤを介して、シリコン、金属窒化物、金属酸化物及び他の金属層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するのに有用である、それらの前駆体の溶液とに関する。そのようなコンフォーマル金属含有膜の用途は、コンピュータチップ、光学デバイス、磁気情報記憶装置から、支持材料に被着した金属触媒の範囲に及ぶ。従来の多座β−ケトイミナート前駆体と対照的に、この多座β−ケトイミナート配位子には、少なくとも１つのアミノ有機イミノ官能基が組み込まれており、報告されている文献とは対照的に、この官能基はアルコキシ基を供与性配位子とする。
【００１２】
気相堆積処理用の酸化剤として、酸素、過酸化水素及びオゾンが挙げられ、堆積処理用の還元剤として、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン及びアンモニアが挙げられる。
【００１３】
ある種類の金属前駆体構造が以下の構造１Ａに図示されており、次式の金属Ｍは２価である。
【００１４】
【化４】
【００１５】
式中、Ｍは２族、８族、９族、１０族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1は、金属がストロンチウム及びバリウムの場合はＣ1-10アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基、コバルト又はニッケルの場合はＣ1-5、Ｒ2及びＲ3はメチル基、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、鉄、コバルト及びニッケルである。
【００１６】
多座β−ケトイミナート配位子を含有する第１の種類の金属錯体の範囲で、別の種類の構造が以下の構造２Ａに図示されており、次式の金属Ｍは３価である。
【００１７】
【化５】
【００１８】
式中、Ｍは３族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1はＣ4-6アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ペンチル基、Ｒ2及びＲ3はメチル基、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、スカンジウム、イットリウムおよびランタンである。
【００１９】
第２の種類の金属含有前駆体は、式Ｂに示される多座β−ケトイミナート配位子から構成される。
【００２０】
【化６】
【００２１】
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのような、４族又は５族の金属である。示すように、錯体は、少なくとも１つのアルコキシ配位子と、少なくとも１つのアミノ有機イミノを有する多座β−ケトイミナート配位子とからなる。好ましいＲ1基〜Ｒ6基は式Ａと同様である。好ましいＲ7基は、直鎖又は分岐アルキル、例えばイソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルであり、ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計が金属の価数と等しい。
【００２２】
最後の種類の金属含有多座β−ケトイミナート前駆体を、式Ｃに示す。
【００２３】
【化７】
【００２４】
式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ1は、炭素原子を１〜１０個有する、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、Ｃ2-3のアルキレン架橋基、好ましくはエチレン基；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
【００２５】
多座β−ケトイミナート配位子は、周知の手順、例えば、ナトリウムアミド又は水素化ナトリウムのような強塩基の存在下、嵩高いケトンとエチルエステルとのクライゼン縮合の後に、他の既知の手順、例えばアルキルアミノアルキルアミンとのシッフ塩基縮合反応を行って調製できる。
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】
配位子は、液体については真空蒸留、固体については結晶化によって精製できる。
【００２９】
高収率で多座配位子を生成する好ましい方法として、嵩高いＲ1基、例えばケトン官能基と連結する炭素に水素が結合していないＣ4-10アルキル基を選択することが好ましく、最も好ましいＲ1基はｔｅｒｔ−ブチル又はｔｅｒｔ−ペンチルである。Ｒ1基は後のシッフ縮合で起こる副反応を防ぎ、後ほど金属中心を分子間相互作用から保護する。得られる金属含有錯体の分子量を低くし、高い蒸気圧を有する錯体を得ることを可能にするためには、競合する問題、すなわち多座配位子のＲ1基〜Ｒ7基はできる限り小さくなければならないといった問題が存在する。得られる錯体を、金属中心に配位した５員環又は６員環の形成を介してより安定にするため、好ましいＲ4基及びＲ5基は炭素原子を２〜３個含有する。
【００３０】
次に、この得られた３座配位子を、純粋な金属、金属アミド、金属水素化物及び金属アルコキシドと反応させて、金属含有錯体を調製できる。また、多座配位子をアルキルリチウム又は水素化カリウムと反応させて配位子のリチウム塩又はカリウム塩を得て、その後ハロゲン化金属、ＭＸ2（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）と反応させて、金属含有錯体を調製してもよい。４族及び５族の混合配位子錯体は、金属アルコキシドと多座配位子の比率を変えることによって作ることができる。
【００３１】
【化１０】
【００３２】
【化１１】
【００３３】
【化１２】
【００３４】
【化１３】
【００３５】
【化１４】
【００３６】
多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、５００℃未満の温度で、化学気相堆積（ＣＶＤ）法又は原子層堆積（ＡＬＤ）法のいずれかによって、金属薄膜又は金属酸化物薄膜を作るための、潜在的な前駆体として使用できる。ＣＶＤ処理は、還元剤又は酸化剤があってもなくても行うことができ、一方ＡＬＤ処理には、還元剤又は酸化剤のような他の反応剤を使用することが通常含まれる。
【００３７】
多成分金属酸化物については、錯体が同じ多座β−ケトイミナート配位子を有している場合、これらの錯体を予備混合できる。多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、周知のバブリング又はベーパードロー（vapor draw）技術によって、ＣＶＤ又はＡＬＤの反応器内に気相で供給できる。適当な溶媒又は混合溶媒に錯体を溶解し、使用した溶媒又は混合溶媒に応じてモル濃度が０．００１〜２Ｍの溶液を調製することによって、直接液体供給法も使用できる。
【００３８】
堆積処理に使用する前駆体を溶解する際に使用した溶媒は、任意の相溶性の溶媒又はそれらの混合物、例えば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、エステル、ニトリル及びアルコールを含んでもよい。好ましくは、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲はエーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲はエーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン、ポリアミン；及び有機アミドからなる群から選択される溶媒が、溶液の溶媒成分に含まれる。
【００３９】
別の種類の溶媒で有利なものは、ＲＣＯＮＲ’Ｒ’’の有機アミド類であり、式中、Ｒ及びＲ’は、炭素原子を１〜１０個有するアルキルであって、これらは連結して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは４〜６、好ましくは５）を形成してもよく、Ｒ’’は炭素原子を１〜４個有するアルキル、及びシクロアルキルから選択される。Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンが例である。
【００４０】
以下の例は、多座β−ケトイミナート配位子を有する金属含有錯体の調製に加えて、金属含有膜の堆積処理における、それら錯体の前駆体としての使用を説明する。
【実施例】
【００４１】
例１ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：５００ｍＬのシュレンクフラスコに、２，２−ジメチル−３，５−ヘキサンジオン ２９．３ｇ（２０６ｍｍｏｌ）と、無水Ｎａ2ＳＯ4 ２４ｇ（１７０ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ ２００ｍＬと一緒に入れた。そのフラスコに、３−（ジメチルアミノ）エチルアミン ２０．０８ｇ（２２８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに入れて、滴下して加えた。反応混合物を３日間撹拌した。完了時の反応混合物のＧＣ／ＭＳ分析は、痕跡量の３−（ジメチルアミノ）エチルアミンを伴って反応が完了したことを示した。全ての揮発分を１３０℃未満の温度で蒸留除去した。引き続き、得られた淡黄色溶液をショートパス装置によって真空蒸留した。ヘキサンから結晶化して、約３６ｇの白色結晶を収率８２％で得た。ヘキサンに溶解した結晶のＧＣ分析は、ヘキサン以外の観察可能なＧＣピークを１つだけ示した。固体結晶の融点は２８〜３０℃であることが分かった。
【００４２】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１５（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８０（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９５（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５０（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００４３】
例２ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（５．０７ｇ、３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（３．５ｇ、２４．６６ｍｍｏｌ）、及び３−（ジエチルアミノ）エチルアミン（５．２５ｇ、４５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によってオレンジ／黄色の液体が得られた。収率は７８％である。
【００４４】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．２７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１６（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），２．２６（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．２０（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５５（ｓ，３Ｈ），１．２５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
【００４５】
例３ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（１９．２７ｇ、１３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１３ｇ、９２ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン（１５．７２ｇ、１５４ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によって黄色の液体が得られた。収率は８９％である。
【００４６】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９４（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５４（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），１．２７（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００４７】
例４ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（３．５０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（４．８１ｇ、３４ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン（３．５７ｇ、２７ｍｍｏｌ）を出発原料とした。ショートパス装置によって真空蒸留して得られた淡黄／緑色の液体の収率は６７％である。
【００４８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．４１（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．２８（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．１９（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５３（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３３（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．２８（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
【００４９】
例５ ４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，４−ペンタジオン（８．００ｇ、８０．７ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１４ｇ、９８．６４ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）エチルアミン（７．８３ｇ、８８．８ｍｍｏｌ）を出発原料とした。１５０ｍＴｏｒｒの減圧下、９５〜１０５℃の油浴で真空蒸留して、緑色の液体を得た。収率は８３％で、ＧＣ分析はピークを１つ示した。
【００５０】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．１１（ｂｒ，ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），４．８８（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．７８（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０１（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），２．００（ｓ，３Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」3），１．９３（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．４７（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3）
【００５１】
例６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ４０．０ｇ（０．０６６ｍｏｌ）を、ＴＨＦ１００ｍＬと一緒に５００ｍＬのシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、ワックス状の２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン２９．０ｇ（０．１４ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに入れて滴下した。得られた淡黄色の透明溶液を室温で一晩撹拌した。次に、全ての揮発分を真空下で除去して黄色の固体を得て、その固体を熱ヘキサン１００ｍＬに溶解した。トラップされた揮発性液体をＧＣ／ＭＳ分析すると、ＴＨＦ及び副生成物のヘキサメチルシリルアミンを含有していることが示された。ＴＨＦに溶解した黄色固体のＧＣ／ＭＳから、ＴＨＦ以外は、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンのみであることが明らかとなり、このことは、固体が３座β−ケトイミナート配位子を含有していることを示唆する。その後、ヘキサン溶液を約３０ｍＬに濃縮すると、底に白い結晶が析出した。フラスコを−２０℃に保って、より多くの無色の結晶を得た。結晶を２６．１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で７７％であった。
【００５２】
元素分析：Ｃ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５６．４９；Ｎ，１０．９８；Ｈ，９．０９：検出値 Ｃ，５６．３４；Ｎ，１１．３２；Ｈ，８．９１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１６（ｓ，２Ｈ），２．９７（ｔ，４Ｈ），２．２６（ｂ，４Ｈ），１．８９（ｓ，１２Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）
【００５３】
ビス（２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチレン）イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図１参照）。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチレン）イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６１４〜２．６９０Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３５３Åである。図２は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性であるが、より高温で分解することを示す。
【００５４】
例７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：例６と同様の手順で、Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ（２．６６ｇ、０．００５ｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０ｇ、０．００８ｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去してワークアップした後、結晶を１．９１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で８４％である。
【００５５】
元素分析：Ｃ28Ｈ54Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５９．３８；Ｎ，９．８９；Ｈ，９．６１：検出値 Ｃ，５８．９９；Ｎ，９．９０；Ｈ，９．５１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，２Ｈ），２．１１（ｔ，４Ｈ），２．６７（ｂ，４Ｈ），２．５４（ｂ，８Ｈ），１．７６（ｓ，６Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），０．７４（ｔ，１２Ｈ）
【００５６】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６０４〜２．６７７Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３７４Åである。
【００５７】
例８ トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｙ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）3（２．００ｇ、３．９ｍｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．４１ｇ、１１．３５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。白色固体を１．５７ｇ収集し、収率はイットリウム基準で５７％である。
【００５８】
元素分析：Ｃ36Ｈ69Ｎ6Ｏ3Ｙの計算値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．６３；Ｈ，１１．６３：検出値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．３７；Ｈ，１１．８３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，３Ｈ），３．４７（ｔ，６Ｈ），２．４９（ｔ，６Ｈ），２．２２（ｓ，１８Ｈ），１．８１（ｓ，９Ｈ），１．２７（ｓ，２７Ｈ）
【００５９】
トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図３参照）ところ、イットリウム原子に、３つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが明らかとなった。
【００６０】
例９ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：この化合物を製造するための手順（ａ）及び（ｂ）を示す。（ａ）無水ＣｏＣｌ2 ２ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を、ＴＨＦ ３０ｍＬと一緒に５００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（６．４ｇ、０．０３ｍｏｌ）を２．５Ｍ nＢｕＬｉヘキサン溶液（１２ｍＬ、０．０３ｍｏｌ）とヘキサン ４０ｍＬ中、−７８℃で反応させてその場で調製した、（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）リチウムを加え、室温で３０分撹拌した。混合物を室温で一晩撹拌した。反応完了後、全ての揮発分を真空下で除去して暗茶色の固体を得た。抽出及び濾過して、暗茶色の溶液と茶色の固体を得た。この茶色の固体は、痕跡量のＣｏ化合物が混ざったＬｉＣｌであった。その後、茶色の溶液を５０℃で乾燥して、暗茶色の固体を得た。この暗茶色の固体を１０５℃、５０ｍＴｏｒｒで昇華して、緑がかった茶色の微結晶を得た。収率はコバルト基準で５０％である。
【００６１】
元素分析：ＣｏＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８６；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，５９．７３；Ｎ，１１．６２；Ｈ，９．７７
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１９．０４，２５．３８，１１．８６，３．４２，１．３６，０．４３，−１６．００，−９７．００
【００６２】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定した（図４参照）ところ、ゆがんだ８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００６３】
（ｂ）ＮａＨ（０．３４ｇ、１４ｍｍｏｌ）を、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０７ｇ、１２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ７０ｍＬに溶解した溶液にゆっくりと加えた。バブリングを止めた後、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、８ｍｍｏｌ）を反応フラスコに加えた。ワークアップ後に茶色の結晶を２．２５ｇ収集し、収率は６９％であった。
【００６４】
例１０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピレン−イミノ）−３−ヘキサノン（１．５０ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．２２ｇ、０．００９ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（０．３８ｇ、０．００３ｍｏｌ）を加えた。ワークアップ後、得られた茶色の固体を昇華して、オレンジ色の結晶が得られた。収率は８２％である。
【００６５】
元素分析：ＣｏＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．２７；Ｎ，１０．９９；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．４２；Ｎ，１１．１９；Ｈ，９．４３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１４．４０，８．８３，１．４２，−１．４５，−５．５４，−２１．４９，−３１．９１
【００６６】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００６７】
例１１ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−へキセノン（２．０７ｇ、０．０１２ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３４ｇ、０．１４ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。結晶はヘキサン溶液から成長させ、収率は６９％である。
【００６８】
元素分析：ＣｏＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４０；Ｎ，１４．８３；Ｈ，８．６２：検出値 Ｃ，５４．７２；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝２５．４７，１７．４４，８．６９，１．３５，−９．４７，−１２．００，−２１．４０，−１１６．００，１２０．０４
【００６９】
例１２ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．４８ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．５ｍＬ、０．０１６ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０２ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。昇華して明るい緑色の固体を収率６６％で得た。
【００７０】
元素分析：ＮｉＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８９；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，６０．８０；Ｎ，１１．６２；Ｈ，８．８０
【００７１】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図５参照）、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００７２】
例１３ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．６６ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．３ｍＬ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０１ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。緑色の結晶をヘキサン溶液から収集した。
【００７３】
元素分析：ＮｉＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．３０；Ｎ，１１．５２；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．５２；Ｎ，１１．０６；Ｈ，９．３４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝６０．００，３６．５６，３．５７，１．４７，−２．８４，１４．７０，１６．１０，−７６．００
【００７４】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００７５】
例１４ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノン（２．１５ｇ、０．０１３ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３６ｇ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（０．７４ｇ、０．００６ｍｏｌ）を加えた。生成物を昇華して、ヘキサンから結晶化した。収率は７４％である。
【００７６】
元素分析：ＮｉＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４３；Ｎ，１４．１０；Ｈ，８．６３：検出値 Ｃ，５４．２１；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
【００７７】
例１５ トリス（イソプロポキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）チタン（ＩＶ）の合成：Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．００ｇ、０．００７ｍｏｌ）、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．４５ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びヘキサン １５ｍＬを１００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。混合物を４０℃で１６時間撹拌した。真空下で全ての揮発分を除去し、黄色の粉末状固体をヘキサンで洗って乾燥した。昇華すると収率９０％で淡緑色の結晶が得られる。
【００７８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１８（ｓ，１Ｈ），５．００（ｂ，３Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４８（ｓ，６Ｈ），２．２８（ｔ，２Ｈ），１．５３（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
【００７９】
例１６ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）チタンの合成：例１５と同様の手順で、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．０８ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート（１．１９ｇ、０．００７ｍｏｌ）を撹拌した。粘着質の黄色固体を昇華すると、収率７４％で淡緑色の結晶が生成した。
【００８０】
元素分析：Ｃ18Ｈ38Ｎ2Ｏ4Ｔｉの計算値 Ｃ，５４．８２；Ｎ，９．７１；Ｈ，７．１０：検出値 Ｃ，５２．５０；Ｎ，９．５０；Ｈ，７．３９
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．９２（ｂ，３Ｈ），４．８３（ｓ，１Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），２．２７（ｔ，２Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
【００８１】
トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）チタンの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、チタン原子に、３つのイソプロポキシ基と、１つの５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。
【００８２】
例１７ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ハフニウム（ＩＶ）の合成：例１５の同様の手順で、Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．７３ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０１ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。揮発分をＧＣ／ＭＳで調べると、２−メチル−２−プロパノールが観察された。白色固体を収率９５％で収集した。ペンタン／ヘキサン溶液から結晶化して、無色のブロック状結晶が得られる。
【００８３】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８１（ｓ，１Ｈ），２．８９（ｔ，２Ｈ），２．４４（ｓ，８Ｈ），１．５５（ｓ，９Ｈ），１．４２（ｓ，３Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ）
【００８４】
例１８ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（１．８１ｇ、０．００５ｍｏｌ）、及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０５ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。ワークアップして淡黄色固体を収率９５％で得た。
【００８５】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＢｕＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９１（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３９（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３９（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．５５（ｓ，９Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）3ＣＣＯ），１．４９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＣＨＣＮ（Ｃ「Ｈ」3）），１．３１（ｓ，２７Ｈ，（ＯＣ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００８６】
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。
【００８７】
例１９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．２ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０ｇ、０．００６ｍｏｌ）をＴＨＦ中で撹拌して、ワークアップ後に、淡黄色固体を収率８２％で得た。
【００８８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９０（ｓ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３６（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３６（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．８９（ｓ，３Ｈ，Ｃ「Ｈ」3ＣＯＣＨＣＮ），１．５１（ｓ，９Ｈ，Ｃ「Ｈ」3（ＣＨ3）2ＣＯＣＨ），１．４１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣＨＣＮＣＨ3），１．３５（ｓ，１８Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）2（ＣＨ3）ＣＯＣＨ）
【００８９】
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図６参照）、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。図７は、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）のＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性で残渣が２％未満であることを示す。
【００９０】
例２０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｂａ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ、及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンを出発原料とした。全ての揮発分を除去すると、非常に粘ちょうなオレンジ色の油が得られた。ＮＭＲは、未反応の２，２−ジメチルー５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンがいくらかあることを示唆する。遊離した配位子をショートパス蒸留で除去して、オレンジ色の固体を得た。
【００９１】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１１（ｂｒ，ｓ），３．１０（ｂｒ，ｓ），２．２１（ｂｒ，ｓ），１．９５（ｂｒ，ｓ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ）
【００９２】
例２１ テトラキス（エトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）タンタル（Ｖ）の合成：２，２−ジメチル−（５−（ジメチルアミノ）プロピル−イミノ）−３−へキセノン（０．６４ｇ、３．８ｍｍｏｌ）を、Ｔａ2（ＯＥｔ）10（１．５０ｇ、１．８５ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにゆっくりと加えた。フラスコを８０℃で３時間加熱し、次に副生成物のエタノールを真空下で除去して、透明なオレンジ色の液体を１．６ｇ得た。収率は９８％である。
【００９３】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．７９（ｓ，１Ｈ），４．７６（ｑ，２Ｈ），４．７１（ｑ，２Ｈ），４．３１（ｑ，２Ｈ），４．２８（ｑ，２Ｈ），３．７４（ｔ，２Ｈ），２．６０（ｔ，２Ｈ），２．１３（ｓ，６Ｈ），１．８５（ｓ，３Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｔ，３Ｈ），１．３８（ｔ，３Ｈ），１．２０（ｔ，６Ｈ）
【００９４】
例２２ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン ８ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で３日間撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を９．７ｇ得た。
【００９５】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１１．０５（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），３．５０（ｔ，２Ｈ），３．３７（ｑ，２Ｈ），２．４２（ｔ，２Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ）
【００９６】
例２３ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．２５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ３．１５ｇ、及び無水ＴＨＦ ３０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。セライトを通して曇った琥珀色の溶液を濾過し、生成物を熱ヘキサンから白色結晶として結晶化した。
【００９７】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝４．６４（ｓ，１Ｈ），３．９４（ｔ，２Ｈ），３．７１（ｔ，２Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），２．４９（ｔ，２Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．１０（ｓ，９Ｈ）
【００９８】
例２４ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン １．９ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で一晩撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を２．７ｇ得た。
【００９９】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１０．９９（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｑ，２Ｈ），２．５３（ｔ，２Ｈ），２．４８（ｔ，２Ｈ），２．３７（ｔ，２Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ），２．１５（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０６（ｓ，９Ｈ）
【０１００】
例２５ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた５０ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．０５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ２．７２ｇ、及び無水ＴＨＦ ２０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。曇った灰色の懸濁液を濃縮し、熱ヘキサン中に懸濁し、セライトを通して濾過した。生成物を熱ヘキサンから数回再結晶化して、無色の結晶を０．４ｇ得た。
【０１０１】
元素分析：Ｃ30Ｈ60ＢａＮ6Ｏ2の計算値 Ｃ，５３．４５；Ｎ，１２．４７；Ｈ，８．９７：検出値 Ｃ，５３．３３；Ｎ，１２．７１；Ｈ，９．４４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．０７（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｂｒ，ｓ，２Ｈ），２．４９（非常にブロード，６Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），２．２２（ｓｈ，３Ｈ），１．８４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｓ，９Ｈ）
【０１０２】
ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、４座配位の状態で、バリウム原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【０１０３】
例２６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム ０．２５ｇを含む１ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ） ０．４９ｍＬを加えたところ、薄黄色の透明溶液になった。溶液を一晩室温で保持し、その後真空下で乾燥して薄黄色の固体を得た。図９は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＮＭＰへの溶解前後のＴＧＡ／ＤＳＣを示し、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムとＮＭＰとが相溶性であって、得られた溶液をＣＶＤ又はＡＬＤ処理に使用できることを示唆している。
【０１０４】
例２７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１．０Ｍ Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム（０．１０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン ０．１９ｍＬを加えたところ、淡緑色の透明溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【０１０５】
例２８ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）チタンの、０．９Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）チタン（０．１ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２７ｍＬを加えたところ、明るいオレンジ色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【０１０６】
例２９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の、０．７５Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）（０．１０ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２８ｍＬを加えたところ、黄緑色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの結晶構造を表す図である。
【図２】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ図であり、錯体が揮発性で、より高温では分解することを示す。
【図３】トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの結晶構造を表す図である。
【図４】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの結晶構造を表す図である。
【図５】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの結晶構造を表す図である。
【図６】トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の結晶構造を表す図である。
【図７】トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）のＴＧＡ図であり、錯体が揮発性で、残渣が２％未満であることを示す。
【図８】ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの結晶構造を表す図である。
【図９】ＮＭＰに溶解する前（破線）及び溶解した後（実線）の、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ／ＤＳＣ図であり、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムとＮＭＰとが相溶性であることを示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造産業は、原子層堆積を含む化学気相堆積処理用の金属源含有前駆体を常に必要としており、シリコン、金属窒化物、金属酸化物、及びこれらの金属含有前駆体を用いた他の金属含有層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するために使われる。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、窒素又は酸素の官能基が多座配位β−ケトイミナートのイミノ基に組み込まれている、金属含有多座配位β−ケトイミナート及びその溶液を対象とし、その多座配位β−ケトイミナートは、次の構造で表される群から選択される。
【０００４】
【化１】
【０００５】
式中、Ｍは価数が２〜５の金属である。金属の例として、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム及びオスミウムが挙げられる。様々な有機基が使用でき、例えば、Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。添字ｎは金属Ｍの価数と等しい整数である。
【０００６】
【化２】
【０００７】
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム及びハフニウムを含む、４族及び５族の金属から選択される金属イオンであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基、好ましくは炭素原子を２又は３個含有する基であって、金属中心に配位して５員環又は６員環を形成し；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、それらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよい。Ｒ7は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計は金属の価数と等しい。
【０００８】
【化３】
【０００９】
式中、具体例として、Ｍはアルカリ土類金属、例えばカルシウム、ストロンチウム、バリウムであり；Ｒ1は、好ましくは炭素原子を１〜６個含有する基である、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、炭素原子２個のアルキレン架橋基であって、金属中心に配位して５員環を形成し；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され、あるいはそれらが連結して炭素原子、酸素原子又は窒素原子を含有する環を形成してもよく；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
【発明の効果】
【００１０】
これらの金属含有多座β−ケトイミナートを化学気相堆積又は原子層堆積用の前駆体として使用することによって、いくつかの利点が実現でき、例えば、
反応性錯体を良好な収率で形成する能力；
１種類の配位子が配位した、単量体錯体、特にストロンチウム錯体及びバリウム錯体を形成し、高い蒸気圧を実現できる能力；
幅広い電気的用途での使用に適した、高度にコンフォーマルな金属薄膜を製造する能力；
マイクロエレクトロニクスデバイスでの使用に適した、高度にコンフォーマルな金属酸化物薄膜を形成する能力：
錯体が高い化学反応性を有するために、金属含有多座β−ケトイミナートと基材表面との間の表面反応を促進する能力；及び
Ｒ1基〜Ｒ7基を変えることにより、これらの金属含有多座β−ケトイミナートの物理的特性を調節する能力
が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、金属含有多座β−ケトイミナート前駆体と、堆積処理、例えばＣＶＤ及びＡＬＤを介して、シリコン、金属窒化物、金属酸化物及び他の金属層のような基材上に、コンフォーマル金属含有膜を作製するのに有用である、それらの前駆体の溶液とに関する。そのようなコンフォーマル金属含有膜の用途は、コンピュータチップ、光学デバイス、磁気情報記憶装置から、支持材料に被着した金属触媒の範囲に及ぶ。従来の多座β−ケトイミナート前駆体と対照的に、この多座β−ケトイミナート配位子には、少なくとも１つのアミノ有機イミノ官能基が組み込まれており、報告されている文献とは対照的に、この官能基はアルコキシ基を供与性配位子とする。
【００１２】
気相堆積処理用の酸化剤として、酸素、過酸化水素及びオゾンが挙げられ、堆積処理用の還元剤として、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン及びアンモニアが挙げられる。
【００１３】
ある種類の金属前駆体構造が以下の構造１Ａに図示されており、次式の金属Ｍは２価である。
【００１４】
【化４】
【００１５】
式中、Ｍは２族、８族、９族、１０族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1は、金属がストロンチウム及びバリウムの場合はＣ1-10アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基又はｔｅｒｔ−ペンチル基、コバルト又はニッケルの場合はＣ1-5、Ｒ2及びＲ3はメチル基、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、鉄、コバルト及びニッケルである。
【００１６】
多座β−ケトイミナート配位子を含有する第１の種類の金属錯体の範囲で、別の種類の構造が以下の構造２Ａに図示されており、次式の金属Ｍは３価である。
【００１７】
【化５】
【００１８】
式中、Ｍは３族の金属原子から選択される。この前駆体において好ましくは、Ｒ1はＣ4-6アルキル基、好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ペンチル基、Ｒ2及びＲ3はメチル基、Ｒ5及びＲ6はそれぞれ低級Ｃ1-3、好ましくはメチル基、Ｒ4はＣ2-3アルキレン架橋基、好ましくはエチレン基である。好ましい金属は、スカンジウム、イットリウムおよびランタンである。
【００１９】
第２の種類の金属含有前駆体は、式Ｂに示される多座β−ケトイミナート配位子から構成される。
【００２０】
【化６】
【００２１】
式中、Ｍは、チタン、ジルコニウム又はハフニウムのような、４族又は５族の金属である。示すように、錯体は、少なくとも１つのアルコキシ配位子と、少なくとも１つのアミノ有機イミノを有する多座β−ケトイミナート配位子とからなる。好ましいＲ1基〜Ｒ6基は式Ａと同様である。好ましいＲ7基は、直鎖又は分岐アルキル、例えばイソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルであり、ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計が金属の価数と等しい。
【００２２】
最後の種類の金属含有多座β−ケトイミナート前駆体を、式Ｃに示す。
【００２３】
【化７】
【００２４】
式中、Ｍはアルカリ土類金属であり、Ｒ1は、炭素原子を１〜１０個有する、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、Ｃ2-3のアルキレン架橋基、好ましくはエチレン基；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。
【００２５】
多座β−ケトイミナート配位子は、周知の手順、例えば、ナトリウムアミド又は水素化ナトリウムのような強塩基の存在下、嵩高いケトンとエチルエステルとのクライゼン縮合の後に、他の既知の手順、例えばアルキルアミノアルキルアミンとのシッフ塩基縮合反応を行って調製できる。
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】
配位子は、液体については真空蒸留、固体については結晶化によって精製できる。
【００２９】
高収率で多座配位子を生成する好ましい方法として、嵩高いＲ1基、例えばケトン官能基と連結する炭素に水素が結合していないＣ4-10アルキル基を選択することが好ましく、最も好ましいＲ1基はｔｅｒｔ−ブチル又はｔｅｒｔ−ペンチルである。Ｒ1基は後のシッフ縮合で起こる副反応を防ぎ、後ほど金属中心を分子間相互作用から保護する。得られる金属含有錯体の分子量を低くし、高い蒸気圧を有する錯体を得ることを可能にするためには、競合する問題、すなわち多座配位子のＲ1基〜Ｒ7基はできる限り小さくなければならないといった問題が存在する。得られる錯体を、金属中心に配位した５員環又は６員環の形成を介してより安定にするため、好ましいＲ4基及びＲ5基は炭素原子を２〜３個含有する。
【００３０】
次に、この得られた３座配位子を、純粋な金属、金属アミド、金属水素化物及び金属アルコキシドと反応させて、金属含有錯体を調製できる。また、多座配位子をアルキルリチウム又は水素化カリウムと反応させて配位子のリチウム塩又はカリウム塩を得て、その後ハロゲン化金属、ＭＸ2（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）と反応させて、金属含有錯体を調製してもよい。４族及び５族の混合配位子錯体は、金属アルコキシドと多座配位子の比率を変えることによって作ることができる。
【００３１】
【化１０】
【００３２】
【化１１】
【００３３】
【化１２】
【００３４】
【化１３】
【００３５】
【化１４】
【００３６】
多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、５００℃未満の温度で、化学気相堆積（ＣＶＤ）法又は原子層堆積（ＡＬＤ）法のいずれかによって、金属薄膜又は金属酸化物薄膜を作るための、潜在的な前駆体として使用できる。ＣＶＤ処理は、還元剤又は酸化剤があってもなくても行うことができ、一方ＡＬＤ処理には、還元剤又は酸化剤のような他の反応剤を使用することが通常含まれる。
【００３７】
多成分金属酸化物については、錯体が同じ多座β−ケトイミナート配位子を有している場合、これらの錯体を予備混合できる。多座β−ケトイミナート配位子を有するこれらの金属含有錯体は、周知のバブリング又はベーパードロー（vapor draw）技術によって、ＣＶＤ又はＡＬＤの反応器内に気相で供給できる。適当な溶媒又は混合溶媒に錯体を溶解し、使用した溶媒又は混合溶媒に応じてモル濃度が０．００１〜２Ｍの溶液を調製することによって、直接液体供給法も使用できる。
【００３８】
堆積処理に使用する前駆体を溶解する際に使用した溶媒は、任意の相溶性の溶媒又はそれらの混合物、例えば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エーテル、エステル、ニトリル及びアルコールを含んでもよい。好ましくは、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲はエーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲はエーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン、ポリアミン；及び有機アミドからなる群から選択される溶媒が、溶液の溶媒成分に含まれる。
【００３９】
別の種類の溶媒で有利なものは、ＲＣＯＮＲ’Ｒ’’の有機アミド類であり、式中、Ｒ及びＲ’は、炭素原子を１〜１０個有するアルキルであって、これらは連結して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは４〜６、好ましくは５）を形成してもよく、Ｒ’’は炭素原子を１〜４個有するアルキル、及びシクロアルキルから選択される。Ｎ−メチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンが例である。
【００４０】
以下の例は、多座β−ケトイミナート配位子を有する金属含有錯体の調製に加えて、金属含有膜の堆積処理における、それら錯体の前駆体としての使用を説明する。
【実施例】
【００４１】
例１ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：５００ｍＬのシュレンクフラスコに、２，２−ジメチル−３，５−ヘキサンジオン ２９．３ｇ（２０６ｍｍｏｌ）と、無水Ｎａ2ＳＯ4 ２４ｇ（１７０ｍｍｏｌ）を、ＴＨＦ ２００ｍＬと一緒に入れた。そのフラスコに、３−（ジメチルアミノ）エチルアミン ２０．０８ｇ（２２８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ２０ｍＬに入れて、滴下して加えた。反応混合物を３日間撹拌した。完了時の反応混合物のＧＣ／ＭＳ分析は、痕跡量の３−（ジメチルアミノ）エチルアミンを伴って反応が完了したことを示した。全ての揮発分を１３０℃未満の温度で蒸留除去した。引き続き、得られた淡黄色溶液をショートパス装置によって真空蒸留した。ヘキサンから結晶化して、約３６ｇの白色結晶を収率８２％で得た。ヘキサンに溶解した結晶のＧＣ分析は、ヘキサン以外の観察可能なＧＣピークを１つだけ示した。固体結晶の融点は２８〜３０℃であることが分かった。
【００４２】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１５（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８０（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９５（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５０（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００４３】
例２ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（５．０７ｇ、３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（３．５ｇ、２４．６６ｍｍｏｌ）、及び３−（ジエチルアミノ）エチルアミン（５．２５ｇ、４５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によってオレンジ／黄色の液体が得られた。収率は７８％である。
【００４４】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．２７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１６（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），２．２６（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．２０（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５５（ｓ，３Ｈ），１．２５（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
【００４５】
例３ ２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（１９．２７ｇ、１３６ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１３ｇ、９２ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン（１５．７２ｇ、１５４ｍｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去した後、ショートパス真空蒸留装置によって黄色の液体が得られた。収率は８９％である。
【００４６】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．３０（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０５（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），１．９４（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．５４（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３２（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），１．２７（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００４７】
例４ ２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，２−ジメチルヘキサ−３，５−ジオン（３．５０ｇ、２５ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（４．８１ｇ、３４ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン（３．５７ｇ、２７ｍｍｏｌ）を出発原料とした。ショートパス装置によって真空蒸留して得られた淡黄／緑色の液体の収率は６７％である。
【００４８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．４１（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），５．１７（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．８４（ｑ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．２８（ｑ，４Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」2ＣＨ3）2），２．１９（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2ＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．５３（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3），１．３３（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2），１．２８（ｓ，９Ｈ，Ｃ（Ｃ「Ｈ」3）3），０．８６（ｔ，６Ｈ，Ｎ（ＣＨ2Ｃ「Ｈ」3）2）
【００４９】
例５ ４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ペンタノンの合成：２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンと同様の手順で、２，４−ペンタジオン（８．００ｇ、８０．７ｍｍｏｌ）、Ｎａ2ＳＯ4（１４ｇ、９８．６４ｍｍｏｌ）、及び３−（ジメチルアミノ）エチルアミン（７．８３ｇ、８８．８ｍｍｏｌ）を出発原料とした。１５０ｍＴｏｒｒの減圧下、９５〜１０５℃の油浴で真空蒸留して、緑色の液体を得た。収率は８３％で、ＧＣ分析はピークを１つ示した。
【００５０】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１．１１（ｂｒ，ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）ＣＨＣ（Ｎ「Ｈ」）），４．８８（ｓ，１Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」Ｃ（ＮＨ）），２．７８（ｍ，２Ｈ，ＨＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）2），２．０１（ｔ，２Ｈ，ＨＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2Ｎ（ＣＨ3）2），２．００（ｓ，３Ｈ，Ｃ（Ｏ）Ｃ「Ｈ」3），１．９３（ｓ，６Ｈ，Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），１．４７（ｓ，３Ｈ，Ｃ（ＮＨ）Ｃ「Ｈ」3）
【００５１】
例６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ４０．０ｇ（０．０６６ｍｏｌ）を、ＴＨＦ１００ｍＬと一緒に５００ｍＬのシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、ワックス状の２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン２９．０ｇ（０．１４ｍｏｌ）をＴＨＦ１００ｍＬに入れて滴下した。得られた淡黄色の透明溶液を室温で一晩撹拌した。次に、全ての揮発分を真空下で除去して黄色の固体を得て、その固体を熱ヘキサン１００ｍＬに溶解した。トラップされた揮発性液体をＧＣ／ＭＳ分析すると、ＴＨＦ及び副生成物のヘキサメチルシリルアミンを含有していることが示された。ＴＨＦに溶解した黄色固体のＧＣ／ＭＳから、ＴＨＦ以外は、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンのみであることが明らかとなり、このことは、固体が３座β−ケトイミナート配位子を含有していることを示唆する。その後、ヘキサン溶液を約３０ｍＬに濃縮すると、底に白い結晶が析出した。フラスコを−２０℃に保って、より多くの無色の結晶を得た。結晶を２６．１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で７７％であった。
【００５２】
元素分析：Ｃ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５６．４９；Ｎ，１０．９８；Ｈ，９．０９：検出値 Ｃ，５６．３４；Ｎ，１１．３２；Ｈ，８．９１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１６（ｓ，２Ｈ），２．９７（ｔ，４Ｈ），２．２６（ｂ，４Ｈ），１．８９（ｓ，１２Ｈ），１．７７（ｓ，６Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ）
【００５３】
ビス（２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチレン）イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図１参照）。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（（ジメチルアミノエチレン）イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６１４〜２．６９０Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３５３Åである。図２は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性であるが、より高温で分解することを示す。
【００５４】
例７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの合成：例６と同様の手順で、Ｓｒ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ（２．６６ｇ、０．００５ｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０ｇ、０．００８ｍｏｌ）を出発原料とした。全ての揮発分を除去してワークアップした後、結晶を１．９１ｇ収集し、真空下で乾燥した。収率はストロンチウム基準で８４％である。
【００５５】
元素分析：Ｃ28Ｈ54Ｎ4Ｏ2Ｓｒの計算値 Ｃ，５９．３８；Ｎ，９．８９；Ｈ，９．６１：検出値 Ｃ，５８．９９；Ｎ，９．９０；Ｈ，９．５１
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，２Ｈ），２．１１（ｔ，４Ｈ），２．６７（ｂ，４Ｈ），２．５４（ｂ，８Ｈ），１．７６（ｓ，６Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），０．７４（ｔ，１２Ｈ）
【００５６】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ストロンチウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した。以下の構造は、ゆがんだ８面体環境で、ストロンチウムに、２つの２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることを示す。Ｓｒ−Ｎの距離は２．６０４〜２．６７７Åの範囲で、Ｓｒ−Ｏの平均は２．３７４Åである。
【００５７】
例８ トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｙ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）3（２．００ｇ、３．９ｍｍｏｌ）及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．４１ｇ、１１．３５ｍｍｏｌ）を出発原料とした。白色固体を１．５７ｇ収集し、収率はイットリウム基準で５７％である。
【００５８】
元素分析：Ｃ36Ｈ69Ｎ6Ｏ3Ｙの計算値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．６３；Ｈ，１１．６３：検出値 Ｃ，５９．８１；Ｎ，９．３７；Ｈ，１１．８３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１４（ｓ，３Ｈ），３．４７（ｔ，６Ｈ），２．４９（ｔ，６Ｈ），２．２２（ｓ，１８Ｈ），１．８１（ｓ，９Ｈ），１．２７（ｓ，２７Ｈ）
【００５９】
トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって構造的に特定した（図３参照）ところ、イットリウム原子に、３つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが明らかとなった。
【００６０】
例９ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：この化合物を製造するための手順（ａ）及び（ｂ）を示す。（ａ）無水ＣｏＣｌ2 ２ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を、ＴＨＦ ３０ｍＬと一緒に５００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。このフラスコに、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（６．４ｇ、０．０３ｍｏｌ）を２．５Ｍ nＢｕＬｉヘキサン溶液（１２ｍＬ、０．０３ｍｏｌ）とヘキサン ４０ｍＬ中、−７８℃で反応させてその場で調製した、（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）リチウムを加え、室温で３０分撹拌した。混合物を室温で一晩撹拌した。反応完了後、全ての揮発分を真空下で除去して暗茶色の固体を得た。抽出及び濾過して、暗茶色の溶液と茶色の固体を得た。この茶色の固体は、痕跡量のＣｏ化合物が混ざったＬｉＣｌであった。その後、茶色の溶液を５０℃で乾燥して、暗茶色の固体を得た。この暗茶色の固体を１０５℃、５０ｍＴｏｒｒで昇華して、緑がかった茶色の微結晶を得た。収率はコバルト基準で５０％である。
【００６１】
元素分析：ＣｏＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８６；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，５９．７３；Ｎ，１１．６２；Ｈ，９．７７
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１１９．０４，２５．３８，１１．８６，３．４２，１．３６，０．４３，−１６．００，−９７．００
【００６２】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定した（図４参照）ところ、ゆがんだ８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００６３】
（ｂ）ＮａＨ（０．３４ｇ、１４ｍｍｏｌ）を、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（２．０７ｇ、１２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ ７０ｍＬに溶解した溶液にゆっくりと加えた。バブリングを止めた後、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、８ｍｍｏｌ）を反応フラスコに加えた。ワークアップ後に茶色の結晶を２．２５ｇ収集し、収率は６９％であった。
【００６４】
例１０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピレン−イミノ）−３−ヘキサノン（１．５０ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．２２ｇ、０．００９ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（０．３８ｇ、０．００３ｍｏｌ）を加えた。ワークアップ後、得られた茶色の固体を昇華して、オレンジ色の結晶が得られた。収率は８２％である。
【００６５】
元素分析：ＣｏＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．２７；Ｎ，１０．９９；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．４２；Ｎ，１１．１９；Ｈ，９．４３
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝１４．４０，８．８３，１．４２，−１．４５，−５．５４，−２１．４９，−３１．９１
【００６６】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、コバルト原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００６７】
例１１ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）コバルトの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−へキセノン（２．０７ｇ、０．０１２ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３４ｇ、０．１４ｍｏｌ）を出発原料として、ＣｏＣｌ2（１．０７ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。結晶はヘキサン溶液から成長させ、収率は６９％である。
【００６８】
元素分析：ＣｏＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４０；Ｎ，１４．８３；Ｈ，８．６２：検出値 Ｃ，５４．７２；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝２５．４７，１７．４４，８．６９，１．３５，−９．４７，−１２．００，−２１．４０，−１１６．００，１２０．０４
【００６９】
例１２ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．４８ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．５ｍＬ、０．０１６ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０２ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。昇華して明るい緑色の固体を収率６６％で得た。
【００７０】
元素分析：ＮｉＣ24Ｈ46Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５９．８９；Ｎ，１１．６３；Ｈ，９．６３：検出値 Ｃ，６０．８０；Ｎ，１１．６２；Ｈ，８．８０
【００７１】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図５参照）、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００７２】
例１３ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノン（３．６６ｇ、０．０１６ｍｏｌ）、及び２．５Ｍブチルリチウム（６．３ｍＬ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（１．０１ｇ、０．００８ｍｏｌ）を加えた。緑色の結晶をヘキサン溶液から収集した。
【００７３】
元素分析：ＮｉＣ26Ｈ50Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，６１．３０；Ｎ，１１．５２；Ｈ，９．８９：検出値 Ｃ，６１．５２；Ｎ，１１．０６；Ｈ，９．３４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝６０．００，３６．５６，３．５７，１．４７，−２．８４，１４．７０，１６．１０，−７６．００
【００７４】
ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、８面体環境で、ニッケル原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノプロピル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【００７５】
例１４ ビス（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ニッケルの合成：例９と同様の手順で、４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノン（２．１５ｇ、０．０１３ｍｏｌ）、及びＮａＨ（０．３６ｇ、０．０１５ｍｏｌ）を出発原料として、ＮｉＣｌ2（０．７４ｇ、０．００６ｍｏｌ）を加えた。生成物を昇華して、ヘキサンから結晶化した。収率は７４％である。
【００７６】
元素分析：ＮｉＣ18Ｈ34Ｎ4Ｏ2の計算値 Ｃ，５４．４３；Ｎ，１４．１０；Ｈ，８．６３：検出値 Ｃ，５４．２１；Ｎ，１４．０４；Ｈ，１０．１０
【００７７】
例１５ トリス（イソプロポキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）チタン（ＩＶ）の合成：Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．００ｇ、０．００７ｍｏｌ）、２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．４５ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及びヘキサン １５ｍＬを１００ｍＬシュレンクフラスコに入れた。混合物を４０℃で１６時間撹拌した。真空下で全ての揮発分を除去し、黄色の粉末状固体をヘキサンで洗って乾燥した。昇華すると収率９０％で淡緑色の結晶が得られる。
【００７８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１８（ｓ，１Ｈ），５．００（ｂ，３Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４８（ｓ，６Ｈ），２．２８（ｔ，２Ｈ），１．５３（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｓ，９Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
【００７９】
例１６ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）チタンの合成：例１５と同様の手順で、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4（２．０８ｇ、０．００７ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート（１．１９ｇ、０．００７ｍｏｌ）を撹拌した。粘着質の黄色固体を昇華すると、収率７４％で淡緑色の結晶が生成した。
【００８０】
元素分析：Ｃ18Ｈ38Ｎ2Ｏ4Ｔｉの計算値 Ｃ，５４．８２；Ｎ，９．７１；Ｈ，７．１０：検出値 Ｃ，５２．５０；Ｎ，９．５０；Ｈ，７．３９
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．９２（ｂ，３Ｈ），４．８３（ｓ，１Ｈ），２．９６（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），２．２７（ｔ，２Ｈ），１．９５（ｓ，３Ｈ），１．４５（ｓ，６Ｈ），１．３０（ｓ，１８Ｈ）
【００８１】
トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）チタンの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、チタン原子に、３つのイソプロポキシ基と、１つの５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。
【００８２】
例１７ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ハフニウム（ＩＶ）の合成：例１５の同様の手順で、Ｈｆ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．７３ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０１ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。揮発分をＧＣ／ＭＳで調べると、２−メチル−２−プロパノールが観察された。白色固体を収率９５％で収集した。ペンタン／ヘキサン溶液から結晶化して、無色のブロック状結晶が得られる。
【００８３】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８１（ｓ，１Ｈ），２．８９（ｔ，２Ｈ），２．４４（ｓ，８Ｈ），１．５５（ｓ，９Ｈ），１．４２（ｓ，３Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ）
【００８４】
例１８ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（１．８１ｇ、０．００５ｍｏｌ）、及び２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０５ｇ、０．００５ｍｏｌ）を出発原料とした。ワークアップして淡黄色固体を収率９５％で得た。
【００８５】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＢｕＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９１（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３９（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３９（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．５５（ｓ，９Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）3ＣＣＯ），１．４９（ｓ，３Ｈ，ＣＯＣＨＣＮ（Ｃ「Ｈ」3）），１．３１（ｓ，２７Ｈ，（ＯＣ（Ｃ「Ｈ」3）3）
【００８６】
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。
【００８７】
例１９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の合成：例１５と同様の手順で、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4（２．２ｇ、０．００６ｍｏｌ）、及び５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノン（１．０ｇ、０．００６ｍｏｌ）をＴＨＦ中で撹拌して、ワークアップ後に、淡黄色固体を収率８２％で得た。
【００８８】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．８６（ｓ，１Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣ「Ｈ」ＣＮ），２．９０（ｓ，２Ｈ，ＮＣ「Ｈ」2ＣＨ2ＮＭｅ2），２．３６（ｂ，ｓ，６Ｈ，ＣＨ2Ｎ（Ｃ「Ｈ」3）2），２．３６（ｂ，ｔ，２Ｈ，ＮＣＨ2Ｃ「Ｈ」2ＮＭｅ2），１．８９（ｓ，３Ｈ，Ｃ「Ｈ」3ＣＯＣＨＣＮ），１．５１（ｓ，９Ｈ，Ｃ「Ｈ」3（ＣＨ3）2ＣＯＣＨ），１．４１（ｓ，３Ｈ，ＣＨ3ＣＯＣＨＣＮＣＨ3），１．３５（ｓ，１８Ｈ，（Ｃ「Ｈ」3）2（ＣＨ3）ＣＯＣＨ）
【００８９】
トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の無色の結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ（図６参照）、ジルコニウム原子に、３つのｔｅｒｔ−ブトキシ基と、置換された１つの４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート配位子とが配位していたことが示された。図７は、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）のＴＧＡ図を示し、錯体が揮発性で残渣が２％未満であることを示す。
【００９０】
例２０ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：例６と同様の手順で、Ｂａ（Ｎ（ＳｉＭｅ3）2）2・２ＴＨＦ、及び２，２−ジメチル−５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンを出発原料とした。全ての揮発分を除去すると、非常に粘ちょうなオレンジ色の油が得られた。ＮＭＲは、未反応の２，２−ジメチルー５−（ジエチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノンがいくらかあることを示唆する。遊離した配位子をショートパス蒸留で除去して、オレンジ色の固体を得た。
【００９１】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．１１（ｂｒ，ｓ），３．１０（ｂｒ，ｓ），２．２１（ｂｒ，ｓ），１．９５（ｂｒ，ｓ），１．８０（ｓ，６Ｈ），１．３８（ｓ）
【００９２】
例２１ テトラキス（エトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）タンタル（Ｖ）の合成：２，２−ジメチル−（５−（ジメチルアミノ）プロピル−イミノ）−３−へキセノン（０．６４ｇ、３．８ｍｍｏｌ）を、Ｔａ2（ＯＥｔ）10（１．５０ｇ、１．８５ｍｍｏｌ）を入れたフラスコにゆっくりと加えた。フラスコを８０℃で３時間加熱し、次に副生成物のエタノールを真空下で除去して、透明なオレンジ色の液体を１．６ｇ得た。収率は９８％である。
【００９３】
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝４．７９（ｓ，１Ｈ），４．７６（ｑ，２Ｈ），４．７１（ｑ，２Ｈ），４．３１（ｑ，２Ｈ），４．２８（ｑ，２Ｈ），３．７４（ｔ，２Ｈ），２．６０（ｔ，２Ｈ），２．１３（ｓ，６Ｈ），１．８５（ｓ，３Ｈ），１．７０（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｔ，３Ｈ），１．３８（ｔ，３Ｈ），１．２０（ｔ，６Ｈ）
【００９４】
例２２ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン ８ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で３日間撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を９．７ｇ得た。
【００９５】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１１．０５（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），３．５０（ｔ，２Ｈ），３．３７（ｑ，２Ｈ），２．４２（ｔ，２Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０５（ｓ，９Ｈ）
【００９６】
例２３ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．２５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ）エトキシ）エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ３．１５ｇ、及び無水ＴＨＦ ３０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。セライトを通して曇った琥珀色の溶液を濾過し、生成物を熱ヘキサンから白色結晶として結晶化した。
【００９７】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝４．６４（ｓ，１Ｈ），３．９４（ｔ，２Ｈ），３．７１（ｔ，２Ｈ），３．５１（ｔ，２Ｈ），２．４９（ｔ，２Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），１．７８（ｓ，３Ｈ），１．１０（ｓ，９Ｈ）
【００９８】
例２４ ２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノンの合成：磁気撹拌装置を備えた１００ｍＬ丸底フラスコに、２，２−ジメチルヘキサン−３，５−ジオン １．９ｇを、１．１当量の２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチルアミン、無水硫酸ナトリウム及び無水ジエチルエーテルと合わせて入れ、窒素下で一晩撹拌した。エーテルをロータリーエバポレーターで除去し、ビグルー管を通して残渣を真空蒸留して、生成物を２．７ｇ得た。
【００９９】
1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦd8）：δ＝１０．９９（ｓ，１Ｈ），５．０６（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｑ，２Ｈ），２．５３（ｔ，２Ｈ），２．４８（ｔ，２Ｈ），２．３７（ｔ，２Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ），２．１５（ｓ，６Ｈ），１．９２（ｓ，３Ｈ），１．０６（ｓ，９Ｈ）
【０１００】
例２５ ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの合成：グローブボックス内で、磁気撹拌装置を備えた５０ｍＬシュレンクフラスコに、昇華したバリウム金属 １．０５ｇを、２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノン ２．７２ｇ、及び無水ＴＨＦ ２０ｍＬと合わせて入れた。フラスコをシュレンクラインに配置し、コールドフィンガー凝縮器を取り付けた。無水アンモニアをフラスコ内で凝縮させ、コールドフィンガー凝縮器を用いて４時間還流した。フラスコ及び凝縮器は放置して室温まで一晩で戻し、ガスバブラーを通してアンモニアを逃がした。曇った灰色の懸濁液を濃縮し、熱ヘキサン中に懸濁し、セライトを通して濾過した。生成物を熱ヘキサンから数回再結晶化して、無色の結晶を０．４ｇ得た。
【０１０１】
元素分析：Ｃ30Ｈ60ＢａＮ6Ｏ2の計算値 Ｃ，５３．４５；Ｎ，１２．４７；Ｈ，８．９７：検出値 Ｃ，５３．３３；Ｎ，１２．７１；Ｈ，９．４４
1ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ，Ｃ6Ｄ6）：δ＝５．０７（ｓ，１Ｈ），３．２８（ｂｒ，ｓ，２Ｈ），２．４９（非常にブロード，６Ｈ），２．２３（ｓ，６Ｈ），２．２２（ｓｈ，３Ｈ），１．８４（ｓ，３Ｈ），１．４０（ｓ，９Ｈ）
【０１０２】
ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの単結晶を、Ｘ線単結晶解析によって特定したところ、４座配位の状態で、バリウム原子に、２つの２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート配位子が配位していることが示された。
【０１０３】
例２６ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム ０．２５ｇを含む１ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ） ０．４９ｍＬを加えたところ、薄黄色の透明溶液になった。溶液を一晩室温で保持し、その後真空下で乾燥して薄黄色の固体を得た。図９は、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＮＭＰへの溶解前後のＴＧＡ／ＤＳＣを示し、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムとＮＭＰとが相溶性であって、得られた溶液をＣＶＤ又はＡＬＤ処理に使用できることを示唆している。
【０１０４】
例２７ ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの、１．０Ｍ Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン溶液の調製：ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウム（０．１０ｇ、０．２０ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン ０．１９ｍＬを加えたところ、淡緑色の透明溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【０１０５】
例２８ トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）チタンの、０．９Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（イソプロポキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキセノナート）チタン（０．１ｇ、０．２５ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２７ｍＬを加えたところ、明るいオレンジ色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【０１０６】
例２９ トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の、０．７５Ｍ Ｎ−メチル−２−ピロリジノン溶液の調製：トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）（０．１０ｇ、０．２１ｍｍｏｌ）を含む２ｍＬバイアルに、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ０．２８ｍＬを加えたところ、黄緑色の溶液になった。この溶液のＴＧＡは、この混合物が揮発性であることを示す。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムの結晶構造を表す図である。
【図２】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ図であり、錯体が揮発性で、より高温では分解することを示す。
【図３】トリス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）イットリウムの結晶構造を表す図である。
【図４】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）コバルトの結晶構造を表す図である。
【図５】ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）ニッケルの結晶構造を表す図である。
【図６】トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）の結晶構造を表す図である。
【図７】トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（４−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−２−ヘキサノナート）ジルコニウム（ＩＶ）のＴＧＡ図であり、錯体が揮発性で、残渣が２％未満であることを示す。
【図８】ビス（２，２−ジメチル−５−（２−（２−（ジメチルアミノ−エチル）（メチルアミノ））エチル−イミノ）−３−ヘキサノナート）バリウムの結晶構造を表す図である。
【図９】ＮＭＰに溶解する前（破線）及び溶解した後（実線）の、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムのＴＧＡ／ＤＳＣ図であり、ビス（２，２−ジメチル−５−（ジメチルアミノエチル−イミノ）−３−ヘキサノナート−Ｎ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムとＮＭＰとが相溶性であることを示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下からなる群から選択される構造によって表される、金属含有錯体。
【化１】
（式中、Ｍは価数が２〜５の金属族であり、Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基であり；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子のいずれかを含有する複素環からなる群から選択され、ｎは金属Ｍの価数と等しい整数である。）；
【化２】
（式中、Ｍは４族及び５族の金属から選択される金属イオンであり；Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基であり；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環からなる群から選択され、Ｒ7は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計は金属Ｍの価数と等しい。）；並びに
【化３】
（式中、Ｍはアルカリ土類金属であり；Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、Ｃ2-3アルキレン架橋基であり；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環からなる群から選択され；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。）
【請求項２】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム及びオスミウムからなる群から選択される、請求項１の構造Ａの金属含有錯体。
【請求項３】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムからなる群から選択される、請求項２に記載の金属含有錯体。
【請求項４】
Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル及びｔｅｒｔ−ペンチルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項５】
Ｍがストロンチウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項６】
Ｍがストロンチウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がエチルである、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項７】
Ｍが、鉄、コバルト及びニッケルからなる群から選択される、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項８】
Ｒ1がＣ1-6アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項９】
Ｍがコバルト、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１０】
Ｍがコバルト、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１１】
Ｍがコバルト、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１２】
Ｍがコバルト、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１３】
Ｍがニッケル、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１４】
Ｍがニッケル、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１５】
Ｍがニッケル、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１６】
Ｍがニッケル、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１７】
Ｍが、イットリウム、ランタン、プラセオジム、セリウム、サマリウム、エルビウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される、請求項２に記載の金属含有錯体。
【請求項１８】
Ｒ1がＣ1-5アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項１９】
Ｍがイットリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２０】
Ｍがイットリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２１】
Ｍがランタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２２】
Ｍがランタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１５に記載の金属含有錯体。
【請求項２３】
Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルからなる群から選択される、請求項１の構造Ｂで表される金属含有錯体。
【請求項２４】
Ｒ1がＣ1-5アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ7が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選択される、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２５】
Ｍがチタン、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２６】
Ｍがハフニウム、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２７】
Ｍがジルコニウム、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２８】
Ｍがチタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２９】
Ｍがハフニウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項３０】
Ｍがジルコニウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項３１】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムからなる群から選択される、請求項１の構造Ｃで表される金属含有錯体。
【請求項３２】
Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル及びｔｅｒｔ−ペンチルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がメチルであり、Ｒ4及びＲ5がそれぞれＣ2アルキレン架橋基であり、Ｒ6及びＲ7がそれぞれ、メチル及びエチルからなる群から選択され、Ｘが酸素及びＮＣＨ3からなる群から選択される、請求項３１に記載の金属含有錯体。
【請求項３３】
Ｍがバリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4及びＲ5がそれぞれＣ2アルキレン架橋基、Ｒ6及びＲ7がメチル、ＸがＮＣＨ3である、請求項３１に記載の金属含有錯体。
【請求項３４】
１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の金属含有錯体。
【請求項３５】
前記溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンからなる群から選択される有機アミドである、請求項３４に記載の前駆体源。
【請求項３６】
コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、請求項１に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項３７】
前記気相堆積方法が化学気相堆積及び原子層堆積からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記酸素含有化学物質が、水、Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、オゾン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、請求項１に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項４０】
前記還元剤が、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、アンモニア及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項４２】
コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項１】
以下からなる群から選択される構造によって表される、金属含有錯体。
【化１】
（式中、Ｍは価数が２〜５の金属族であり、Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基であり；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子のいずれかを含有する複素環からなる群から選択され、ｎは金属Ｍの価数と等しい整数である。）；
【化２】
（式中、Ｍは４族及び５族の金属から選択される金属イオンであり；Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2は、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ3は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4は、アルキレン架橋基であり；Ｒ5及びＲ6はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環からなる群から選択され、Ｒ7は、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；ｍ及びｎは少なくとも１であって、ｍ＋ｎの合計は金属Ｍの価数と等しい。）；並びに
【化３】
（式中、Ｍはアルカリ土類金属であり；Ｒ1は、炭素原子が１〜１０個の、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ2及びＲ3はそれぞれ、水素、アルキル、アルコキシ、環状脂肪族及びアリールからなる群から選択され；Ｒ4及びＲ5はそれぞれ、Ｃ2-3アルキレン架橋基であり；Ｒ6及びＲ7はそれぞれ、アルキル、フルオロアルキル、環状脂肪族、アリール、及び酸素原子又は窒素原子を含有する複素環からなる群から選択され；Ｘは、酸素、又は水素、アルキル基もしくはアリール基で置換された窒素のいずれかである。）
【請求項２】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、チタン、ジルコニウム、バナジウム、タングステン、マンガン、コバルト、鉄、ニッケル、ルテニウム、亜鉛、銅、パラジウム、白金、イリジウム、レニウム及びオスミウムからなる群から選択される、請求項１の構造Ａの金属含有錯体。
【請求項３】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムからなる群から選択される、請求項２に記載の金属含有錯体。
【請求項４】
Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル及びｔｅｒｔ−ペンチルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項５】
Ｍがストロンチウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項６】
Ｍがストロンチウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がエチルである、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項７】
Ｍが、鉄、コバルト及びニッケルからなる群から選択される、請求項３に記載の金属含有錯体。
【請求項８】
Ｒ1がＣ1-6アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項９】
Ｍがコバルト、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１０】
Ｍがコバルト、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１１】
Ｍがコバルト、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１２】
Ｍがコバルト、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１３】
Ｍがニッケル、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１４】
Ｍがニッケル、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１５】
Ｍがニッケル、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１６】
Ｍがニッケル、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項７に記載の金属含有錯体。
【請求項１７】
Ｍが、イットリウム、ランタン、プラセオジム、セリウム、サマリウム、エルビウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される、請求項２に記載の金属含有錯体。
【請求項１８】
Ｒ1がＣ1-5アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択される、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項１９】
Ｍがイットリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２０】
Ｍがイットリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２１】
Ｍがランタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１７に記載の金属含有錯体。
【請求項２２】
Ｍがランタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ3アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項１５に記載の金属含有錯体。
【請求項２３】
Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ及びタンタルからなる群から選択される、請求項１の構造Ｂで表される金属含有錯体。
【請求項２４】
Ｒ1がＣ1-5アルキルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ4がＣ2-3アルキレン架橋基であり、Ｒ5及びＲ6がそれぞれメチル及びエチルからなる群から選択され、Ｒ7が、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルからなる群から選択される、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２５】
Ｍがチタン、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２６】
Ｍがハフニウム、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２７】
Ｍがジルコニウム、Ｒ1がメチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２８】
Ｍがチタン、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項２９】
Ｍがハフニウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項３０】
Ｍがジルコニウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4がＣ2アルキレン架橋基、Ｒ5及びＲ6がメチルである、請求項２３に記載の金属含有錯体。
【請求項３１】
Ｍが、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムからなる群から選択される、請求項１の構造Ｃで表される金属含有錯体。
【請求項３２】
Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル及びｔｅｒｔ−ペンチルからなる群から選択され、Ｒ2及びＲ3がメチルであり、Ｒ4及びＲ5がそれぞれＣ2アルキレン架橋基であり、Ｒ6及びＲ7がそれぞれ、メチル及びエチルからなる群から選択され、Ｘが酸素及びＮＣＨ3からなる群から選択される、請求項３１に記載の金属含有錯体。
【請求項３３】
Ｍがバリウム、Ｒ1がｔｅｒｔ−ブチル、Ｒ2及びＲ3がメチル、Ｒ4及びＲ5がそれぞれＣ2アルキレン架橋基、Ｒ6及びＲ7がメチル、ＸがＮＣＨ3である、請求項３１に記載の金属含有錯体。
【請求項３４】
１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の金属含有錯体。
【請求項３５】
前記溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリジノン及びＮ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンからなる群から選択される有機アミドである、請求項３４に記載の前駆体源。
【請求項３６】
コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、請求項１に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項３７】
前記気相堆積方法が化学気相堆積及び原子層堆積からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記酸素含有化学物質が、水、Ｏ2、Ｈ2Ｏ2、オゾン及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、請求項１に記載の前記金属含有錯体を該前駆体源として用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項４０】
前記還元剤が、水素、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、アンモニア及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
コンフォーマル金属酸化物薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び酸素含有化学物質を堆積室に導入して金属酸化物膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【請求項４２】
コンフォーマル金属薄膜を基材上に形成するための気相堆積方法であって、前駆体源の溶液及び還元剤を堆積室に導入して金属膜を基材に堆積するものであり、１〜２０個のエトキシ（−Ｃ2Ｈ4Ｏ−）繰り返し単位を有するグライム溶媒；Ｃ2-12アルカノール；Ｃ1-6アルキル部位を含むジアルキルエーテル、Ｃ4-8環状エーテル、Ｃ12−Ｃ60クラウンＯ4−Ｏ20エーテル（接頭のＣiの範囲は該エーテル化合物中の炭素原子数ｉであり、接尾のＯiの範囲は該エーテル化合物中の酸素原子数ｉである）からなる群から選択される有機エーテル；Ｃ6−Ｃ12脂肪族炭化水素；Ｃ6−Ｃ18芳香族炭化水素；有機エステル；有機アミン；及びポリアミン；並びに有機アミドからなる群から選択される溶媒に溶解した、請求項１に記載の前記金属含有錯体から構成される溶液を用いることが改良点に含まれる、気相堆積方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００７−３０２６５６（Ｐ２００７−３０２６５６Ａ）
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００７−１１５８１９（Ｐ２００７−１１５８１９）
【出願日】平成１９年４月２５日（２００７．４．２５）
【出願人】（５９１０３５３６８）エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド (452)
【氏名又は名称原語表記】ＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】７２０１ Ｈａｍｉｌｔｏｎ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ， Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ， Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ １８１９５−１５０１， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月２２日（２００７．１１．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１１５８１９（Ｐ２００７−１１５８１９）
【出願日】平成１９年４月２５日（２００７．４．２５）
【出願人】（５９１０３５３６８）エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド (452)
【氏名又は名称原語表記】ＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】７２０１ Ｈａｍｉｌｔｏｎ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ， Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ， Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ １８１９５−１５０１， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
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