集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

本発明は、金属機械加工用の工具およびその製法に関し、該工具は、超硬合金、サーメット、セラミックス、または超硬質材料の基材、およびコーティングを含み、該コーティングは、内側アルミナ層および外側チタンホウ窒化物層を含み、ここで前記層が、アルミナ層以外の酸化物層を含む一以上の層によって分離されている。 （もっと読む）

【化１】


式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＭ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³）（Ｉ）の化合物であって：Ｍはバナジウム（Ｖ）またはニオブ（Ｎｂ）から独立して選択される金属でありｍ≦５であり；Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において選択される有機配位子である化合物。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化金属膜及び該窒化金属膜を作製する窒化金属膜作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】基板３を支持台２に載置して収容したチャンバ１の内部において、ヘリウムで希釈した塩素ガスプラズマにより、タンタルで形成した被エッチング部材１４をエッチングして塩化タンタルガスからなる前駆体１７を生成し、基板３の温度を被エッチング部材１４の温度よりも低くして前駆体１７を基板３に吸着させ、塩素ガスプラズマにより吸着した前駆体１７を還元してタンタル成分を基板３に成膜する際に、窒素ガスをプラズマ化して得られる窒素ガスプラズマによりタンタル成分を窒化して、基板３に窒化金属膜１８を成膜する窒化金属膜作製方法において、窒素ガスの供給量を制御して窒素ガス／ハロゲンガス流量比を０より大きく０．１以下とし、窒化金属膜１８の窒素原子と金属原子の原子組成比であるＮ／Ｍ比を０より大きく１以下となるようする。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶層の割れ（クラック）、結晶欠陥等の発生を抑制し、かつ、窒化物半導体単結晶層の結晶性の向上を図ることができる化合物半導体基板の提供。
【解決手段】結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００上に形成され、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａと、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＶＣ、ＶＮのうちいずれか一種で構成された金属化合物層１１０ｂとがこの順で互いに積層され、最上層αが３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層１１０ａまたは金属化合物層１１０ｂのいずれかで構成された第１の中間層１１０を備える。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】水素分離精製用膜材料としてバナジウムまたはバナジウム合金を、化学気相析出（CVD）法を用いて、基材に任意の形状で析出させる。
【解決手段】第１の反応容器１と、第１の反応容器１内に配置され、開口部において多孔質基板３で第１の反応容器１と仕切られた第２の反応容器２と、第１の反応容器１内にバナジウム原料９をキャリアガス１０により供給する原料ガス供給手段４と、第１の反応容器１内のガスを排気する第１の排気手段５と、第２の反応容器２内のガスを排気する第２の排気手段６とからなり、第２の排気手段６の排気力を第１の排気手段５の排気力より強くし、化学気相析出法により多孔質基板３表面および／または多孔質基板３中にバナジウムを析出させることを特徴とする化学気相析出法を用いた水素透過膜製造装置である。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができる方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
（もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

式(Ia)または式(Ib)の化合物：
【化１】


【化２】


これら新規な前駆体は、電極および/またはhigh k層、および/または銅拡散バリア層などを作るための、純金属、金属酸化物、酸窒化物、窒化物および/または珪化物膜の堆積のために有用である。
（もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

本発明は、金属基板への気相における化学的蒸着による、炭化クロム、チッ化クロム、または炭チッ化クロムあるいは化学的特性がクロムの化学的特性に近い金属元素を基材とする非酸化物セラミックタイプの被覆の蒸着方法であって、主として、ａ） ビス（アレン）群に属し分解温度が３００℃から５５０℃の間に含まれる、蒸着すべき金属の前駆分子化合物であって酸素原子のない溶媒に溶解された化合物を含む溶液を用意するステップと、ｂ） エアロゾルの形態の前記前駆体溶液を、溶媒の沸騰温度と前駆体の分解温度との間に含まれる温度に熱せられた蒸発装置（３）内に投入するステップと、ｃ）蒸発装置（３）およびＣＶＤ反応装置（１０）に大気圧がかかっている状態で、蒸発装置（３）の中性ガス束により、前駆体および気化エアロゾルを、被覆すべき基板を支持し前駆体の分解温度より高い温度であって最高でも５５０℃までの温度に熱せされたサセプタ（１３）を備える冷壁ＣＶＤ反応装置（１０）側に移動させるステップとを含むことを特徴とする方法を対象とする。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面にシード膜等の薄膜を均一に成膜できるようにする。
【解決手段】金属またはその化合物とカルボン酸とをカルボン酸蒸気を含む雰囲気下で加熱反応させ、金属またはその化合物とカルボン酸との反応生成物を飛散させて、金属またはその化合物からなる薄膜を基板の表面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜を作製するために使用される多座β−ケトイミナートの金属含有錯体を提供する。
【解決手段】例えば、ビス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナートーＮ，Ｏ，Ｎ’）ストロンチウムやトリス（２，２−ジメチルー５−（ジメチルアミノエチルーイミノ）ー３ーヘキサノナート）イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

本発明は、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素を被覆するための方法に関し、当該方法においては、基体が与えられ、１つ又は複数の層が当該基体に塗布され、少なくとも１つの層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、タンタル及び／又はクロムの金属のうちの１つ又は複数の金属炭窒化物から形成され、メタン、窒素及び１つ又は複数の金属化合物を含むガスを用いて堆積される。強い接着力によってさらなる層を上に堆積することができると共に高い耐磨耗性を有する金属炭窒化物層を得るために、本発明によれば、金属炭窒化物から成る層の堆積は、８５０℃〜９５０℃の基体の温度で開始し、その後、基体の温度は少なくとも４０℃だけ上昇し、堆積は、少なくとも一時的にその上昇温度において続くことが提案される。さらに本発明は、物体に塗布される金属炭窒化物層と、１つ又は複数の層が塗布される基体を備える、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素であって、少なくとも１つの層は、ナノコンポジット構造を有する金属炭窒化物層である、工具又は工具部品、特にブレードのような切削要素とを対象とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を
提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１０上にキャパシタ６０
の下部電極２０を形成する工程と、（Ｂ）上記（Ａ）工程の後、原子層蒸着装置内で、少
なくとも下部電極２０を含む下地層１に対して熱処理を行う工程と、（Ｃ）上記（Ｂ）工
程に続いて、原子層蒸着装置のチャンバを大気開放することなく、原子層蒸着法によって
下地層１上に誘電膜４０を形成する工程と、（Ｄ）誘電膜４０上にキャパシタ６０の上部
電極５０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）