マイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法
【課題】微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【解決手段】基板本体３１と、この基板本体３１を厚さ方向に貫通する貫通孔３２と、この貫通孔３２内に埋め込まれ且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線３７とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルネットワーク情報社会の発展に伴い、半導体を多機能化あるいは高性能化する要求が高まり、１チップに高度なシステム機能を詰め込んだシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）の他、複数のＬＳＩを単一のパッケージに封止してシステム化したシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）が注目されている。また、このようなＳｉＰの中で、複数の基板をウェハレベルで多層化したものがあり、この場合、上下の基板間の電気的な接続が問題となる。このように上下の基板間で電気的な接続を行う方法として、例えば、ワイヤボンディング方式が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
一方、ＳｉＰの高密度化・小型化に伴って、上述したワイヤボンディングを用いた電気的な接続方式を採用するのが困難となってきている。このような背景において、１チップに高度なシステム機能を詰め込んだＳｏＣや多層基板のＳｉＰを実現する上では、基板を厚さ方向に貫通する貫通配線が重要となる。すなわち、例えば、半導体基板に、まず、貫通配線を設け、その後、半導体プロセスを実施した後、裏面で他のチップや配線との接続を行ったり、基板を多層化したりする場合があるが、貫通配線を形成する技術自体に問題があった。
【０００４】
従来においては、銅メッキなどのメッキ法により貫通配線を形成する場合が一般的であるが、微細径又はアスペクト比の大きな貫通配線を形成する上で製造上の問題があった。また、メッキ液を使用するので、設備や排水処理においても問題があった。一方、ポリシリコンで貫通配線を形成する場合もあるが、抵抗が多きすぎるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２２８３２３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑み、微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成する本発明の第１の態様は、基板本体と、この基板本体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、この貫通孔内に形成され且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【０００８】
かかる第１の態様では、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることにより、微細径で且つ高アスペクト比であっても比較的容易に貫通配線を具備するマイクロデバイス用基板とすることができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線によって前記貫通孔が埋め込まれていることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１０】
かかる第２の態様では、貫通配線により貫通孔が埋め込まれたマイクロデバイス基板とすることができる。
【００１１】
本発明の第３の態様は、第１の態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が前記貫通孔の内周面に沿って形成され、前記貫通孔内には前記貫通配線で囲まれ且つ前記基板の厚さ方向に貫通する連通孔を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１２】
かかる第３の態様では、貫通孔の内周面に貫通配線が形成され、中心に連通孔を有するマイクロデバイス基板とすることができる。
【００１３】
本発明の第４の態様では、第１〜３の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、前記ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて形成されたものであることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１４】
かかる第４の態様では、ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることができる。
【００１５】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１６】
かかる第５の態様では、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種からなる金属を含む貫通配線を形成することができる。
【００１７】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１８】
かかる第６の態様では、ＩＶ族元素としてシリコン、ゲルマニウム又は炭素を含む金属ＩＶ族元素を含む貫通配線を形成することができる。
【００１９】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２０】
かかる第７の態様では、貫通配線がニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなり、それぞれの特性を有する貫通配線を形成できる。
【００２１】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２２】
かかる第８の態様では、基板本体の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔の内径が５〜２０μｍという比較的高アスペクト比の貫通孔に対して貫通配線を形成することができる。
【００２３】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層が設けられていることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２４】
かかる第９の態様では、貫通配線を覆う絶縁層を設けられたマイクロデバイス用基板となり、半導体プロセス等に使用することができる。
【００２５】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通孔の前記貫通配線の下地に酸化物膜を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２６】
かかる第１０の態様では、酸化物層がストップ層として働き、酸化物膜の内側に貫通配線が比較的容易に形成される。
【００２７】
本発明の第１１の態様は、第１〜８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２８】
かかる第１１の態様は、シリコン基板又はガラス基板に貫通配線を形成したマイクロデバイス用基板となる。
【００２９】
本発明の第１２の態様は、貫通孔を有すると共に前記貫通孔内にＩＶ族元素からなるＩＶ族元素材料が設けられた基板本体の前記ＩＶ族元素薄膜に対して、前記ＩＶ族元素と化合物を形成する金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて、前記貫通孔内にＩＶ族元素と金属との化合物を含む貫通配線を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３０】
かかる第１２の態様では、ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることができる。
【００３１】
本発明の第１３の態様は、第１２の態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素材料からなるＩＶ族元素薄膜を形成する工程を具備し、前記貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を設ける際に、当該ＩＶ族元素薄膜の内側に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて前記貫通配線を形成しつつ当該貫通配線で埋め込むことができる空隙を有するようにすることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３２】
かかる第１３の態様では、貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を形成する際に空隙を設けて前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、貫通配線を形成しつつ貫通孔を貫通配線で埋め込むことができる。
【００３３】
本発明の第１４の態様は、第１２の態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の深さ方向の少なくとも一部を前記ＩＶ族元素材料で埋め込む工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３４】
かかる第１４の態様では、貫通孔をＩＶ族薄膜で埋め込んで前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、貫通孔を埋め込むように貫通配線を形成できる。
【００３５】
本発明の第１５の態様は、第１２〜１４の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体は、絶縁材料で形成されると共に前記貫通孔の開口を塞ぐ補助基板を一方面側に当接した状態で処理されることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３６】
かかる第１５の態様では、貫通孔の一方側の開口を塞ぐ補助基板を基板本体に当接させた状態で処理することにより、作業性よく処理を行うことができる。
【００３７】
本発明の第１６の態様は、第１２〜１５の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３８】
かかる第１６の態様では、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種からなる金属を含む貫通配線を形成することができる。
【００３９】
本発明の第１７の態様は、第１２〜１６の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４０】
かかる第１７の態様では、ＩＶ族元素としてシリコン、ゲルマニウム又は炭素を含む金属ＩＶ族元素を含む貫通配線を形成することができる。
【００４１】
本発明の第１８の態様は、第１２〜１７の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４２】
かかる第１８の態様では、貫通配線がニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなり、それぞれの特性を有する貫通配線を形成できる。
【００４３】
本発明の第１９の態様は、第１２〜１８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４４】
かかる第１９の態様では、基板本体の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔の内径が５〜２０μｍという比較的高アスペクト比の貫通孔に対して貫通配線を形成することができる。
【００４５】
本発明の第２０の態様は、第１２〜１９の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層を設ける工程をさらに具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４６】
かかる第２０の態様では、貫通配線を覆う絶縁層が設けられたマイクロデバイス用基板を形成でき、半導体プロセス等に使用することができる。
【００４７】
本発明の第２１の態様は、第１２〜２０の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素薄膜を形成する前に、当該貫通孔の内周面に酸化物膜を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４８】
かかる第２１の態様では、酸化物膜がストップ層として働き、酸化物膜の内側に貫通配線を比較的容易に形成することができる。
【００４９】
本発明の第２２の態様は、第１２〜２１の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００５０】
かかる第２２の態様は、シリコン基板又はガラス基板に貫通配線を形成したマイクロデバイス用基板を製造できる。
【００５１】
本発明の第２３の態様は、第１〜１１の何れか一つの態様に記載されたマイクロデバイス用基板を具備することを特徴とするマイクロデバイスにある。
【００５２】
かかる第２３の態様は、貫通配線を有するマイクロデバイス用基板を用いて所望のマイクロデバイスとすることができる。
【００５３】
本発明の第２４の態様は、第１２〜２２の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法で製造された基板を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法にある。
【００５４】
かかる第２４の態様では、貫通配線を有するマイクロデバイス用基板を製造し、その後、これを用いてマクロデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、貫通配線を金属シリサイドなどの金属とＩＶ族元素との化合物からなる材料や実質的に金属膜として機能する高濃度に金属を含有する材料とすることにより、比較的高アスペクト比の貫通孔に対しても貫通配線を比較的容易に設けることができ、これを適用したマイクロデバイスを比較的容易に製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
本発明は、本発明者等によって開発された、金属をハロゲン化して再び還元し堆積させる技術（以下、ＭＣＲ−ＣＶＤ法（塩化還元気相成長法）という。）を応用したものである。よって、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を最初に簡単に説明する。
【００５７】
かかるＭＣＲ−ＣＶＤ法では、まず、金属（Ｍ）製の被エッチング部材が備えられたチャンバ内にハロゲンを含む作用ガスを供給し、誘導プラズマを発生させてハロゲンガスプラズマを発生させ、ハロゲンラジカルを生成する。その後、ハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、被エッチング部材よりも低い温度の基板上において、前駆体をハロゲンラジカルにより還元し、金属成分を基板表面に吸着させる方法である。
【００５８】
かかる一連の反応はハロゲンを塩素とした場合、次式の様に表される。
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ2→２Ｃｌ*
（２）エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ*→ＭＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ*→Ｍ＋Ｃｌ2↑
式中のＣｌ*は塩素ラジカル、（ｇ）はガス状態、（ａｄ）は吸着状態を示す。金属Ｍにはハロゲン化物を作る物質（銅など）が使用される。
【００５９】
かかる、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を応用した本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、本実施の形態の説明は例示であり、本発明の構成は以下の説明に限定されない。
【００６０】
＜第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係るマイクロデバイス用基板の製造方法を実現する装置（ＭＣＲ−ＣＶＤ装置）の概略を示す正面図である。本形態に係る方法の説明に先立ち、この装置について説明しておく。
【００６１】
図１に示すように、例えば石英を材料として円筒状に形成されたチャンバ１の底部近傍には支持台２が設けられ、支持台２には石英で形成した被処理部材３が載置されている。この被処理部材３としては、詳細は後述するが、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、シリコン基板３１に所望の貫通孔３２を設け、この貫通孔３２の内周面を含めて全体に酸化シリコン膜（二酸化シリコン膜）３３と、シリコン膜３４とを設け、シリコン膜３４をパターニングして貫通孔３２の内周面のみにシリコンパターン３５を設けたものを用いる。
【００６２】
支持台２にはヒータ４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６が設けられている。ここで、支持台２は温度制御手段６により所定温度（例えば、被処理部材３が２００℃乃至４００℃に維持される温度）に制御される。
【００６３】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料製の板状の天井板７によって塞がれている。天井板７の上方にはチャンバ１の内部をプラズマ化するためのプラズマアンテナ８が設けられ、プラズマアンテナ８は天井板７の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ８には整合器９及び電源１０が接続されて高周波電流が供給される。これら、プラズマアンテナ８、整合器９及び電源１０により誘導プラズマを発生させるプラズマ発生手段が構成されている。
【００６４】
チャンバ１にはニッケルを含む材料で形成した被エッチング部材１１が保持され、この被エッチング部材１１はプラズマアンテナ８の電気の流れに対して被処理部材３と天井板７との間に不連続状態で配置されている。例えば、被エッチング部材１１は、棒状の突起部１２とリング部１３とからなり、突起部１２がチャンバ１の中心側に延びるようにリング部１３が設けられている。これにより、被エッチング部材１１はプラズマアンテナ８の電気の流れ方向である周方向に対して構造的に不連続な状態とされている。
【００６５】
なお、プラズマアンテナ８の電気の流れに対して不連続状態にする構成としては、被エッチング部材１１を格子状に形成したり、網目状に形成したりする等の態様が考えられる。
【００６６】
被エッチング部材１１の上方におけるチャンバ１の筒部の周囲にはチャンバ１の内部にハロゲンである塩素を含有する作用ガス（Ｃｌ２ガス）２１を供給するノズル１４が周方向に等間隔で複数（例えば８箇所：図には２箇所を示してある）接続されている。ノズル１４には流量及び圧力が制御される流量制御器１５を介してＣｌ２ガス２１が送られる。流量制御器１５によりチャンバ１内に供給されるＣｌ２ガス２１の量を制御することで、チャンバ１内のガスプラズマ密度を制御している。
【００６７】
なお、反応に関与しないガス等は排気口１８から排気され、天井板７によって塞がれたチャンバ１の内部は真空装置１９によって真空引きすることにより所定の真空度に維持される。
【００６８】
ここで、作用ガスに含有されるハロゲンとしては、フッ素、臭素及びヨウ素等を適用することが可能である。本形態ではハロゲンとして安価なＣｌ２ガスを用いたことによりランニングコストの低減を図ることができる。
【００６９】
かかる装置を使用して、被処理部材３を処理すると、酸化シリコン膜３３上に形成されているシリコンパターン３５が、その内側の空隙３６を介して処理され、シリコンパターン３５が、図２（ｅ）に示すように、ニッケルシリサイドを含有する貫通配線３７となり、空隙３６も埋め込まれる。
【００７０】
以下、このような貫通配線３７の形成プロセスについて説明する。
【００７１】
まず、図２（ａ）に示すように、後に半導体プロセスに供するシリコンウェハなどのシリコン基板３１の所望の位置に貫通孔３２を設けた後、図２（ｂ）に示すように、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設ける。続いて、図２（ｃ）に示すように、例えば、後述するようにＣＶＤなどにより多結晶シリコンからなるシリコン膜３４を形成した後、図２（ｄ）に示すように、貫通孔３２の内周面の領域のみを残すようにシリコンパターン３５とする。
【００７２】
このような被処理部材３を、上述したＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理する。この処理は以下のとおりである。
【００７３】
まず、ノズル１４からＣｌ２ガス２１をチャンバ１内に供給するとともに、プラズマアンテナ８から高周波電磁波をチャンバ１内に入射することで、Ｃｌ２ガス２１をイオン化してＣｌ２ガスプラズマ２３を発生させ、Ｃｌラジカルを生成する。
【００７４】
ここで、ガスプラズマ２３が被エッチング部材１１に作用することにより、被エッチング部材１１を加熱すると共に、被エッチング部材１１にエッチング反応を生じさせる。このエッチング反応により被エッチング部材１１の材料であるニッケルと塩素との化合物であるガス状の前駆体２４（ＮｉｍＣｌｎ：ｍ，ｎは１以上の整数）が形成される。そして、前駆体２４は、前記被エッチング部材１１よりも低温部となっている被処理部材３の表面に向かって輸送される。また、被処理部材３に対しては、前駆体２４と共にＣｌラジカルが輸送される。
【００７５】
ここで、本実施形態では、シリコン基板３１の貫通孔３２の内周面（実際には酸化シリコン膜３３の表面）上にはシリコンパターン３５が設けられ、その内側に空隙３６が残されており、この空隙３６内に前駆体２４とＣｌラジカルとが輸送されることで、シリコンパターン３５に対して空間選択的にＮｉ成分が置換拡散すると考えられる。具体的には、シリコン基板３１の表面に対してＣｌラジカルと前駆体２４とが輸送されると、シリコン基板３１の表面近傍においてシリコンパターン３５のみに空間選択的にＣｌラジカルと前駆体２４が作用してＳｉ成分がＮｉ成分に置換されながら、Ｎｉ成分がシリコンパターン３５内に置換拡散しつつ塩素成分が離脱する還元反応が生じ、ニッケルシリサイドが生成し、ニッケル成分が置換拡散する。
【００７６】
ここで、ニッケル成分の置換拡散の際の主な反応は下記の２つの反応、すなわち、Ｓｉの還元反応である反応（１）と、Ｃｌの還元反応である反応（２）であるが、金属種がニッケルの場合には、通常の総フラックス条件下では、反応(１)が支配的となり、過剰な量の総フラックス条件とした場合、反応（２）が支配的となる。
【００７７】
ＮｉＣｌ＋Ｓｉ→Ｎｉ＋ＳｉＣｌ ・・・（１）
ＮｉＣｌ＋Ｃｌ→Ｎｉ＋Ｃｌ２ ・・・（２）
【００７８】
本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、ニッケル成分の置換拡散と共にニッケルシリサイドの膜厚が増大して空隙３６が徐々に小さくなり、最終的には空隙３６が消滅し、ニッケルシリサイドが貫通孔３２を埋め込むように形成される。また、この処理によると、ニッケルシリサイドの生成が、酸化シリコン膜３３の位置で停止される。この結果、酸化シリコン膜３３上に貫通孔３２を埋め込むように（空隙３６は消滅される）貫通孔３２の径方向に所定のニッケル濃度分布を有する貫通配線３７が形成される。なお、反応に関与しないガス及びエッチング生成物は排気口から排気される。
【００７９】
本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、ニッケル成分の置換拡散と共に空隙３６を埋め込むように貫通配線３７を形成するようにしたが、総フラックス量を通常量とすると、上記反応（２）が支配的になる。この場合の処理の結果を図３に示す（図２と同一部分には同一符号を付して重複する説明は省略する）。
【００８０】
図３（ｄ）に示すように、空隙３６を有するようにシリコンパターン３５を形成したものを処理すると、図３（ｅ）に示すように、ニッケル成分の置換拡散と共にニッケルシリサイド（シリコンパターン３５）の膜厚が減少し、当初より多少大きくなった空隙３６Ａが残存し、その周り、すなわち、貫通孔３２の内周壁上にニッケルシリサイドからなる貫通配線３７Ａが形成される。
【００８１】
本実施形態において、シリコンパターン３５としては多結晶シリコン膜乃至単結晶シリコン膜の何れの膜も用いることはできるが、多結晶シリコン膜の方がより望ましい。単結晶シリコンに較べ、粒界が多い分、塩素ラジカルがシリコンパターン３５内に侵入し易く、シリサイド化が容易且つ良好に行なわれ、Ｎｉ２Ｓｉ、Ｎｉ３Ｓｉ、Ｎｉ５Ｓｉ２などを含むニッケルシリサイド膜を比較的容易に形成することができるからである。また、多結晶シリコン膜は、フォトリソグラフィー及びエッチングなどの公知の手法により、金属膜のパターニングなどと比較して比較的容易にパターニングすることができるという利点がある。
【００８２】
ＩＶ族元素薄膜の一例である多結晶シリコンからなるシリコン膜３４（図２（ｃ）参照）は、例えば、公知のＣＶＤ法などにより成膜できる。一般的には、ＩＶ族元素薄膜は、基板を５００℃〜１２００℃にした後、ＩＶ族元素を含有するＩＶ族元素含有化合物ガス中に曝すことにより容易に形成できる。例えば、シリコン膜３４は、シリコン基板３１を約６００℃に保持し、原料ガスとしての１００ｍＴｏｒｒの下、２０％ＳｉＨ４（Ｎ２希釈）などに晒すことにより、成膜できる。また、シリコン膜３４は、例えば、フォトリソグラフィーと、例えば、ＣＦ４／Ｏ２ガスによるドライエッチングにより容易にパターニングして、シリコンパターン３５とすることができる。
【００８３】
また、シリコンパターン３５は、成膜後パターニングにより形成するほか、所望パターン以外の領域をレジストなどの保護膜で保護した後、ＣＶＤ法などでシリコンパターン３５を成膜してもよい。
【００８４】
何れにしても、所望パターン形状のシリコンパターン３５を有するものであれば、貫通孔３２の内周面に設けられたシリコンパターン３５のみに空間選択的にニッケル成分が置換拡散され、ニッケルシリサイドを含む貫通配線３７又は３７Ａが形成できる。
【００８５】
ここで、空間選択的とは、シリコンパターン３５の領域のみにニッケル成分が空間選択的に置換拡散されて、その周囲の領域にはニッケルが作用しない状態をいう。すなわち、貫通配線３７は、セルフアライメントされた状態でシリコンパターン３５の領域に形成され、その周囲の領域には形成されない。なお、シリコンパターン３５の周囲は、シリコン以外であれば特に限定されないが、酸化膜であるのが好ましく、酸化シリコン膜であるのが好ましい。
【００８６】
また、シリコンパターン３５の下地がシリコン基板の場合には、条件によってはニッケルがシリコン基板まで置換拡散するが、下地が酸化シリコン膜３３であるので、置換拡散防止膜として作用し、ニッケル成分の置換拡散は酸化シリコン膜３３で停止される。よって、シリコンパターン３５を貫通配線３７とする際には、下地として金属の置換拡散を規制する置換拡散防止膜を設けるのが好ましく、この場合には、酸化シリコン膜３３が置換拡散防止膜として作用する。
【００８７】
なお、従来技術で示した熱拡散により形成されたニッケルシリサイド膜の形成では、例えば、シリコン膜上にニッケル膜を設けて８００℃で５分間加熱することによりニッケルがシリコン膜中に熱拡散するが、シリコン膜の下地に酸化シリコン膜があってもニッケルは酸化シリコン膜を突き抜けてさらに下層にまで熱拡散することになり、熱拡散を所定位置で制御するのが困難である。
【００８８】
本発明の貫通配線は、処理温度を金属成分の熱拡散が生じない温度、例えば、２００℃〜４００℃、好ましくは２００℃〜３５０℃で行うことができる。
【００８９】
上述したＭＣＲ−ＣＶＤ法では、一般的には、基板表面に作用するハロゲンラジカルのフラックスと前駆体のフラックスとの和である総フラックスと、総フラックスに対するハロゲンラジカルのフラックスの比率とにより、処理条件が決定し、ハロゲンラジカルのフラックスの比率が相対的に低くなると、成膜モードとなり、ハロゲンラジカルのフラックスの比率が高くなるとエッチングモードとなる。
【００９０】
本発明方法では、総フラックスを高くなるように制御することにより、貫通配線中の平均ニッケル濃度を高くすることができ、逆に低くなるように制御することにより、平均ニッケル濃度を低くすることができる。例えば、被エッチング部材１１を同一とし、ハロゲンガスである作用ガス２１の導入量を一定とし、プラズマアンテナ８に印加するＲＦパワーを高くすると、総フラックスが高くなると共にニッケルを含む前駆体２４のフラックスが高くなり、一方、ＲＦパワーを低くすると、総フラックスが低くなると共にニッケルを含む前駆体２４のフラックスが低下する。
【００９１】
ここで、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を実施する条件では、一般的には、ハロゲンラジカルのフラックスが飽和状態となるので、この条件下ではＲＦパワーを変化させてもハロゲンラジカルのフラックスはほとんど変化せずに、ＲＦパワーを低くすると、前駆体のフラックスが低くなり、ＲＦパワーを高くすると、前駆体のフラックスが高くなるので、これにより平均ニッケル濃度を制御することができる。
【００９２】
また、平均ニッケル濃度は、ハロゲンラジカルのフラックスと前駆体２４のフラックスとの比や被処理部材３の温度、基板の温度などによっても変化し、これらによって変化する前駆体２４の吸着量と、この前駆体２４が吸着した表面へ作用するハロゲンラジカルの量によって、ニッケルシリサイドの生成量が規定されると推定される。
【００９３】
したがって、本発明方法によると、主にＲＦパワーによって制御できる総フラックスを制御することにより、平均ニッケル濃度を増減できるが、被エッチング部材１１の形状、温度、ハロゲンガスの導入量、被処理部材３の温度など諸条件によっても変化するものである。例えば、他の条件を同一にし、被処理部材３の温度を高くすると、平均ニッケル濃度は低くなる方向に制御でき、逆に被処理部材３の温度を低くすると、平均ニッケル濃度が高くなる方向に制御できる。
【００９４】
また、ニッケルとシリコンとの比が１：２〜２：１の領域、すなわち、例えば、ニッケル平均濃度が３５％を超えると、ニッケルがシリコン中に全固溶する領域となり、ニッケルがシリコン中に拡散し易くなり、ニッケル分布が膜厚方向に平均化するようになる。一方、ニッケル濃度が３５％〜６０％の範囲では貫通配線３７がニッケルシリサイド膜として機能する傾向が強く、ニッケル濃度が６０％を超えると、ニッケル膜と同様な特性を有する傾向が強いが、これらは用途に応じて、金属含有量を選定すればよい。
【００９５】
また、ニッケル濃度が６０％を超え、特に８０％以上となると、貫通配線３７が実質的にはニッケル膜として機能する。
【００９６】
かかる本発明方法によると、従来のメッキ法などでは不可能であった５０μｍ径の貫通孔を埋め込むことができる。すなわち、シリコン基板３１の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔３２の内径が５０μｍ以下、好ましくは５〜２０μｍあっても、比較的容易に貫通配線とすることができる。
【００９７】
また、本発明の貫通配線を形成する場合、上述したように、貫通孔３２の内周面に、ＩＶ族元素薄膜としてのシリコンパターン３５を設ける際に、その内側に空隙３６を設けるのが好ましい。この空隙３６は、上述したように、ニッケルとハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルをシリコンパターン３５に均一に作用させて、ニッケル成分をシリコンパターン３５の厚さ方向（貫通孔３２の径方向）に置換拡散させるためのものであり、且つ必要に応じてニッケル成分の置換拡散により埋め込むことができる程度の大きさとするのが好ましい。この空隙３６の大きさは、製造する貫通配線の組成などによって適宜選定することができる。
【００９８】
また、このように空隙３６を介してニッケル成分が置換拡散して形成された貫通配線３７、３７Ａは、貫通孔３２の径方向に対しては、例えば、ニッケル濃度の分布を有するが、貫通方向に対しては成分の分布がほぼ一定となる。
【００９９】
＜第２の実施の形態＞
上述した実施形態では、被処理部材３を処理するＭＣＲ−ＣＶＤ装置（図１参照）の被エッチング部材１１として、ニッケルからなるものを用いたが、本実施形態では、銅からなる被エッチング部材１１を用いる以外は第１の実施の形態と同様に処理した。
【０１００】
ここで、銅成分の置換拡散の際の主な反応は下記の２つの反応、すなわち、Ｓｉの還元反応である反応（１１）と、Ｃｌの還元反応である反応（１２）であるが、金属種が銅であるので、通常の総フラックス条件下では、反応(１２)が支配的となり、過剰な量の総フラックス条件とした場合、反応（１１）が支配的となる。
【０１０１】
ＣｕＣｌ＋Ｓｉ→Ｃｕ＋ＳｉＣｌ ・・・（１１）
ＣｕＣｌ＋Ｃｌ→Ｃｕ＋Ｃｌ２ ・・・（１２）
【０１０２】
本実施形態の処理の状態は、図２又は図３と同一となるので、省略する。本実施形態では、通常の総フラックス条件とすることにより、銅成分の置換拡散と共に銅シリサイドの膜厚が増大して空隙３６が徐々に小さくなり、最終的には空隙３６が消滅し、銅シリサイドを含む貫通配線３７が貫通孔３２を埋め込むように形成される。なお、本実施形態においても、銅シリサイドの生成は、酸化シリコン膜３３の位置で停止される。この結果、酸化シリコン膜３３上に貫通孔３２を埋め込むように（空隙３６は消滅される）貫通孔３２の径方向に所定の銅濃度分布を有する貫通配線３７が形成される。
【０１０３】
一方、本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、上記反応（１２）が支配的になる。この場合の処理の結果は図３のようになる。すなわち、図３（ｄ）に示すように、空隙３６を有するようにシリコンパターン３５を形成したものを処理すると、図３（ｅ）に示すように、銅成分の置換拡散と共に銅シリサイド（シリコンパターン３５）の膜厚が減少し、当初より多少大きくなった空隙３６Ａが残存し、その周り、すなわち、貫通孔３２の内周壁上に銅シリサイドからなる貫通配線３７Ａが形成される。
【０１０４】
＜第３の実施の形態＞
上述した実施形態では、貫通孔３２内にシリコンパターン３５を形成する際に空隙３６を設けたが、本実施形態は、空隙３６を設けず、貫通孔３２をシリコンパターンで埋め込んだ状態とする例を示す。なお、被処理部材３を処理するＭＣＲ−ＣＶＤ装置（図１参照）としては、第１の実施の形態と同様に、ニッケルからなる被エッチング部材１１を具備するものを用い、第１の実施形態と同様に処理した。
【０１０５】
本実施形態では、まず、図４（ａ）に示すように、後に半導体プロセスに供するシリコンウェハなどのシリコン基板３１の所望の位置に貫通孔３２を設けた後、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設けた基板の一方側に、貫通孔３２を塞ぐ補助基板４１を接合する。かかる補助基板４１は、貫通孔３２をシリコンパターンで埋めやすくするためのものであるが、上述した実施形態のようにシリコン膜を貫通孔３２を埋めるように設けることができれば、補助基板４１を用いる必要はない。逆に、上述した実施形態に補助基板４１を適用してもよい。
【０１０６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、例えば、後述するようにＣＶＤなどにより多結晶シリコンからなるシリコン膜を貫通孔３２を埋めるように形成した後、貫通孔３２の内のみを残すようにシリコンパターン３５Ａとする。
【０１０７】
このような被処理部材３を、上述した第１の実施の形態と同様にＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理する。
【０１０８】
ここで、本実施形態では、シリコン基板３１の貫通孔３２内のシリコンパターン３５Ａに対して空間選択的にＮｉ成分が置換拡散し、Ｓｉ成分がＮｉ成分に置換されながら、Ｎｉ成分がシリコンパターン３５Ａ内に置換拡散しつつ塩素成分が離脱する還元反応が生じ、ニッケルシリサイドが生成し、貫通配線３７Ｂが形成される（図４（ｃ））。
【０１０９】
なお、貫通配線３７Ｂ形成後は、補助基板４１を研磨や剥離などにより除去し、その後は、図４（ｄ）に示すように、上述した実施形態と同様に処理する。
【０１１０】
ここで、上述した実施の形態のような空隙３６を設けない場合には、貫通方向に亘っての濃度分布を一定するために時間がかかるが、時間短縮のためには、シリコンパターン３５Ａを貫通方向に分割して複数回に分けて形成し、それぞれを別々に処理してニッケルシリサイド化することにより、比較的短時間で貫通方向の濃度分布をほぼ一定に保持することができるようになる。
【０１１１】
また、補助基板４１は、本実施形態では別体としたが、シリコン基板３１の一部を補助基板として使用するようにしてもよい。
【０１１２】
ここで、シリコン基板の一部を補助基板とし、且つシリコンパターンを分割して処理した例を図５に示す。
【０１１３】
図５に示すように、この例では、厚さ方向の一部を補助基板４１Ａとして機能するシリコン基板３１Ａに貫通配線を形成する貫通孔として機能させるための凹部３２Ａを形成し、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設けた基板とし（図５（ａ））、凹部３２Ａの深さの半分程度までシリコンパターン３５Ｂ−１を設ける（図５（ｂ））。このシリコンパターン３５Ｂ−１の形成は、凹部３２のみを開口させたパターンなどを介してのスパッタリング等により行えばよい。これを第１の実施形態と同様なＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理してニッケル成分を置換拡散し、ニッケルシリサイドを含む膜３７Ｂ−１とする（図５（ｃ））。次に、膜３７Ｂ−１上にシリコンパターン３５Ｂ−２を凹部３２Ａを埋め込むように形成し（図５（ｄ））、その後、ＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理してニッケル成分を置換拡散し、ニッケルシリサイドを含む膜３７Ｂ−２とする（図５（ｅ））。その後、シリコン基板３１Ａの補助基板４１Ａの部分を凹部３２Ａの底部に形成された酸化シリコン膜３３と共に研磨等により除去し、貫通配線３７Ｂを有するシリコン基板３１Ｂとする（図５（ｆ））。
【０１１４】
＜他の実施形態＞
以上説明した各実施形態では、ＩＶ族元素としてシリコンを例示したが、化学的にシリコンに近いゲルマニウム又は炭素をシリコンに置き換えても同様な貫通配線が形成できる。
【０１１５】
また、上述した各実施形態では、金属としてニッケルを例示したいが、ニッケルの代わりに、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛などをニッケルに置き換えても、同様に貫通配線が形成できると容易に推測できる。
【０１１６】
以上説明した貫通配線の形成方法によると、従来より高アスペクト比の貫通孔に比較的容易に貫通配線を設けることができ、高密度配線のマイクロデバイス用基板として有用である。
【０１１７】
すなわち、本発明の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板は、例えば、図２（ｅ）又は図３（ｅ）に示すように、貫通配線３７又は３７Ａを設けた後、必要に応じて、図２（ｆ）又は図３（ｆ）に示すように、酸化シリコン膜などの保護膜３８で表面を保護した後、半導体プロセスなどに供することができ、半導体プロセス後、貫通配線３７を介して配線を形成することにより、多層基板マイクロデバイスなどに適用できる。
【０１１８】
なお、第１実施形態に用いた、図１に示す装置においては、チャンバ１内でハロゲンガスをプラズマ化することによりそのラジカルを形成したが、ラジカルの形成方法はこれに限る必要はない。例えば次のような方法によっても形成し得る。
１） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスに高周波の電界を作用させてこのハロゲンガスをプラズマ化する。
２） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスにマイクロ波を供給してこのハロゲンガスをプラズマ化する。
３） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスを加熱して熱的解離する。
４） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスに電磁波又は電子線を供給してこのハロゲンガスを解離させる。
５） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスを、触媒作用により解離させる触媒金属に接触させる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、半導体装置の製造の他、他の電子デバイスの製造に関する産業分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るマイクロデバイス用基板の製造方法に使用する装置の概略を示す正面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の変形例におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１ チャンバ
３ 被処理部材
８ プラズマアンテナ
１１ 被エッチング部材
２１ 作用ガス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルネットワーク情報社会の発展に伴い、半導体を多機能化あるいは高性能化する要求が高まり、１チップに高度なシステム機能を詰め込んだシステム・オン・チップ（ＳｏＣ）の他、複数のＬＳＩを単一のパッケージに封止してシステム化したシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）が注目されている。また、このようなＳｉＰの中で、複数の基板をウェハレベルで多層化したものがあり、この場合、上下の基板間の電気的な接続が問題となる。このように上下の基板間で電気的な接続を行う方法として、例えば、ワイヤボンディング方式が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
一方、ＳｉＰの高密度化・小型化に伴って、上述したワイヤボンディングを用いた電気的な接続方式を採用するのが困難となってきている。このような背景において、１チップに高度なシステム機能を詰め込んだＳｏＣや多層基板のＳｉＰを実現する上では、基板を厚さ方向に貫通する貫通配線が重要となる。すなわち、例えば、半導体基板に、まず、貫通配線を設け、その後、半導体プロセスを実施した後、裏面で他のチップや配線との接続を行ったり、基板を多層化したりする場合があるが、貫通配線を形成する技術自体に問題があった。
【０００４】
従来においては、銅メッキなどのメッキ法により貫通配線を形成する場合が一般的であるが、微細径又はアスペクト比の大きな貫通配線を形成する上で製造上の問題があった。また、メッキ液を使用するので、設備や排水処理においても問題があった。一方、ポリシリコンで貫通配線を形成する場合もあるが、抵抗が多きすぎるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２２８３２３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑み、微細径で且つ高アスペクト比の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板及びその製造方法並びにマイクロデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成する本発明の第１の態様は、基板本体と、この基板本体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、この貫通孔内に形成され且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【０００８】
かかる第１の態様では、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることにより、微細径で且つ高アスペクト比であっても比較的容易に貫通配線を具備するマイクロデバイス用基板とすることができる。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線によって前記貫通孔が埋め込まれていることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１０】
かかる第２の態様では、貫通配線により貫通孔が埋め込まれたマイクロデバイス基板とすることができる。
【００１１】
本発明の第３の態様は、第１の態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が前記貫通孔の内周面に沿って形成され、前記貫通孔内には前記貫通配線で囲まれ且つ前記基板の厚さ方向に貫通する連通孔を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１２】
かかる第３の態様では、貫通孔の内周面に貫通配線が形成され、中心に連通孔を有するマイクロデバイス基板とすることができる。
【００１３】
本発明の第４の態様では、第１〜３の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、前記ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて形成されたものであることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１４】
かかる第４の態様では、ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることができる。
【００１５】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１６】
かかる第５の態様では、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種からなる金属を含む貫通配線を形成することができる。
【００１７】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００１８】
かかる第６の態様では、ＩＶ族元素としてシリコン、ゲルマニウム又は炭素を含む金属ＩＶ族元素を含む貫通配線を形成することができる。
【００１９】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２０】
かかる第７の態様では、貫通配線がニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなり、それぞれの特性を有する貫通配線を形成できる。
【００２１】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２２】
かかる第８の態様では、基板本体の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔の内径が５〜２０μｍという比較的高アスペクト比の貫通孔に対して貫通配線を形成することができる。
【００２３】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層が設けられていることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２４】
かかる第９の態様では、貫通配線を覆う絶縁層を設けられたマイクロデバイス用基板となり、半導体プロセス等に使用することができる。
【００２５】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通孔の前記貫通配線の下地に酸化物膜を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２６】
かかる第１０の態様では、酸化物層がストップ層として働き、酸化物膜の内側に貫通配線が比較的容易に形成される。
【００２７】
本発明の第１１の態様は、第１〜８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板において、前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板にある。
【００２８】
かかる第１１の態様は、シリコン基板又はガラス基板に貫通配線を形成したマイクロデバイス用基板となる。
【００２９】
本発明の第１２の態様は、貫通孔を有すると共に前記貫通孔内にＩＶ族元素からなるＩＶ族元素材料が設けられた基板本体の前記ＩＶ族元素薄膜に対して、前記ＩＶ族元素と化合物を形成する金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて、前記貫通孔内にＩＶ族元素と金属との化合物を含む貫通配線を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３０】
かかる第１２の態様では、ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、ＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とすることができる。
【００３１】
本発明の第１３の態様は、第１２の態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素材料からなるＩＶ族元素薄膜を形成する工程を具備し、前記貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を設ける際に、当該ＩＶ族元素薄膜の内側に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて前記貫通配線を形成しつつ当該貫通配線で埋め込むことができる空隙を有するようにすることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３２】
かかる第１３の態様では、貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を形成する際に空隙を設けて前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、貫通配線を形成しつつ貫通孔を貫通配線で埋め込むことができる。
【００３３】
本発明の第１４の態様は、第１２の態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の深さ方向の少なくとも一部を前記ＩＶ族元素材料で埋め込む工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３４】
かかる第１４の態様では、貫通孔をＩＶ族薄膜で埋め込んで前駆体及びハロゲンラジカルを作用させることにより、貫通孔を埋め込むように貫通配線を形成できる。
【００３５】
本発明の第１５の態様は、第１２〜１４の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体は、絶縁材料で形成されると共に前記貫通孔の開口を塞ぐ補助基板を一方面側に当接した状態で処理されることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３６】
かかる第１５の態様では、貫通孔の一方側の開口を塞ぐ補助基板を基板本体に当接させた状態で処理することにより、作業性よく処理を行うことができる。
【００３７】
本発明の第１６の態様は、第１２〜１５の何れかの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００３８】
かかる第１６の態様では、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種からなる金属を含む貫通配線を形成することができる。
【００３９】
本発明の第１７の態様は、第１２〜１６の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４０】
かかる第１７の態様では、ＩＶ族元素としてシリコン、ゲルマニウム又は炭素を含む金属ＩＶ族元素を含む貫通配線を形成することができる。
【００４１】
本発明の第１８の態様は、第１２〜１７の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４２】
かかる第１８の態様では、貫通配線がニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなり、それぞれの特性を有する貫通配線を形成できる。
【００４３】
本発明の第１９の態様は、第１２〜１８の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４４】
かかる第１９の態様では、基板本体の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔の内径が５〜２０μｍという比較的高アスペクト比の貫通孔に対して貫通配線を形成することができる。
【００４５】
本発明の第２０の態様は、第１２〜１９の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層を設ける工程をさらに具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４６】
かかる第２０の態様では、貫通配線を覆う絶縁層が設けられたマイクロデバイス用基板を形成でき、半導体プロセス等に使用することができる。
【００４７】
本発明の第２１の態様は、第１２〜２０の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素薄膜を形成する前に、当該貫通孔の内周面に酸化物膜を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００４８】
かかる第２１の態様では、酸化物膜がストップ層として働き、酸化物膜の内側に貫通配線を比較的容易に形成することができる。
【００４９】
本発明の第２２の態様は、第１２〜２１の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法にある。
【００５０】
かかる第２２の態様は、シリコン基板又はガラス基板に貫通配線を形成したマイクロデバイス用基板を製造できる。
【００５１】
本発明の第２３の態様は、第１〜１１の何れか一つの態様に記載されたマイクロデバイス用基板を具備することを特徴とするマイクロデバイスにある。
【００５２】
かかる第２３の態様は、貫通配線を有するマイクロデバイス用基板を用いて所望のマイクロデバイスとすることができる。
【００５３】
本発明の第２４の態様は、第１２〜２２の何れか一つの態様に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法で製造された基板を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法にある。
【００５４】
かかる第２４の態様では、貫通配線を有するマイクロデバイス用基板を製造し、その後、これを用いてマクロデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、貫通配線を金属シリサイドなどの金属とＩＶ族元素との化合物からなる材料や実質的に金属膜として機能する高濃度に金属を含有する材料とすることにより、比較的高アスペクト比の貫通孔に対しても貫通配線を比較的容易に設けることができ、これを適用したマイクロデバイスを比較的容易に製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
本発明は、本発明者等によって開発された、金属をハロゲン化して再び還元し堆積させる技術（以下、ＭＣＲ−ＣＶＤ法（塩化還元気相成長法）という。）を応用したものである。よって、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を最初に簡単に説明する。
【００５７】
かかるＭＣＲ−ＣＶＤ法では、まず、金属（Ｍ）製の被エッチング部材が備えられたチャンバ内にハロゲンを含む作用ガスを供給し、誘導プラズマを発生させてハロゲンガスプラズマを発生させ、ハロゲンラジカルを生成する。その後、ハロゲンラジカルで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分とハロゲンガス成分との前駆体を生成し、被エッチング部材よりも低い温度の基板上において、前駆体をハロゲンラジカルにより還元し、金属成分を基板表面に吸着させる方法である。
【００５８】
かかる一連の反応はハロゲンを塩素とした場合、次式の様に表される。
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ2→２Ｃｌ*
（２）エッチング反応；Ｍ＋Ｃｌ*→ＭＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＭＣｌ（ｇ）→ＭＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＭＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ*→Ｍ＋Ｃｌ2↑
式中のＣｌ*は塩素ラジカル、（ｇ）はガス状態、（ａｄ）は吸着状態を示す。金属Ｍにはハロゲン化物を作る物質（銅など）が使用される。
【００５９】
かかる、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を応用した本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、本実施の形態の説明は例示であり、本発明の構成は以下の説明に限定されない。
【００６０】
＜第１の実施の形態＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係るマイクロデバイス用基板の製造方法を実現する装置（ＭＣＲ−ＣＶＤ装置）の概略を示す正面図である。本形態に係る方法の説明に先立ち、この装置について説明しておく。
【００６１】
図１に示すように、例えば石英を材料として円筒状に形成されたチャンバ１の底部近傍には支持台２が設けられ、支持台２には石英で形成した被処理部材３が載置されている。この被処理部材３としては、詳細は後述するが、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、シリコン基板３１に所望の貫通孔３２を設け、この貫通孔３２の内周面を含めて全体に酸化シリコン膜（二酸化シリコン膜）３３と、シリコン膜３４とを設け、シリコン膜３４をパターニングして貫通孔３２の内周面のみにシリコンパターン３５を設けたものを用いる。
【００６２】
支持台２にはヒータ４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６が設けられている。ここで、支持台２は温度制御手段６により所定温度（例えば、被処理部材３が２００℃乃至４００℃に維持される温度）に制御される。
【００６３】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料製の板状の天井板７によって塞がれている。天井板７の上方にはチャンバ１の内部をプラズマ化するためのプラズマアンテナ８が設けられ、プラズマアンテナ８は天井板７の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ８には整合器９及び電源１０が接続されて高周波電流が供給される。これら、プラズマアンテナ８、整合器９及び電源１０により誘導プラズマを発生させるプラズマ発生手段が構成されている。
【００６４】
チャンバ１にはニッケルを含む材料で形成した被エッチング部材１１が保持され、この被エッチング部材１１はプラズマアンテナ８の電気の流れに対して被処理部材３と天井板７との間に不連続状態で配置されている。例えば、被エッチング部材１１は、棒状の突起部１２とリング部１３とからなり、突起部１２がチャンバ１の中心側に延びるようにリング部１３が設けられている。これにより、被エッチング部材１１はプラズマアンテナ８の電気の流れ方向である周方向に対して構造的に不連続な状態とされている。
【００６５】
なお、プラズマアンテナ８の電気の流れに対して不連続状態にする構成としては、被エッチング部材１１を格子状に形成したり、網目状に形成したりする等の態様が考えられる。
【００６６】
被エッチング部材１１の上方におけるチャンバ１の筒部の周囲にはチャンバ１の内部にハロゲンである塩素を含有する作用ガス（Ｃｌ２ガス）２１を供給するノズル１４が周方向に等間隔で複数（例えば８箇所：図には２箇所を示してある）接続されている。ノズル１４には流量及び圧力が制御される流量制御器１５を介してＣｌ２ガス２１が送られる。流量制御器１５によりチャンバ１内に供給されるＣｌ２ガス２１の量を制御することで、チャンバ１内のガスプラズマ密度を制御している。
【００６７】
なお、反応に関与しないガス等は排気口１８から排気され、天井板７によって塞がれたチャンバ１の内部は真空装置１９によって真空引きすることにより所定の真空度に維持される。
【００６８】
ここで、作用ガスに含有されるハロゲンとしては、フッ素、臭素及びヨウ素等を適用することが可能である。本形態ではハロゲンとして安価なＣｌ２ガスを用いたことによりランニングコストの低減を図ることができる。
【００６９】
かかる装置を使用して、被処理部材３を処理すると、酸化シリコン膜３３上に形成されているシリコンパターン３５が、その内側の空隙３６を介して処理され、シリコンパターン３５が、図２（ｅ）に示すように、ニッケルシリサイドを含有する貫通配線３７となり、空隙３６も埋め込まれる。
【００７０】
以下、このような貫通配線３７の形成プロセスについて説明する。
【００７１】
まず、図２（ａ）に示すように、後に半導体プロセスに供するシリコンウェハなどのシリコン基板３１の所望の位置に貫通孔３２を設けた後、図２（ｂ）に示すように、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設ける。続いて、図２（ｃ）に示すように、例えば、後述するようにＣＶＤなどにより多結晶シリコンからなるシリコン膜３４を形成した後、図２（ｄ）に示すように、貫通孔３２の内周面の領域のみを残すようにシリコンパターン３５とする。
【００７２】
このような被処理部材３を、上述したＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理する。この処理は以下のとおりである。
【００７３】
まず、ノズル１４からＣｌ２ガス２１をチャンバ１内に供給するとともに、プラズマアンテナ８から高周波電磁波をチャンバ１内に入射することで、Ｃｌ２ガス２１をイオン化してＣｌ２ガスプラズマ２３を発生させ、Ｃｌラジカルを生成する。
【００７４】
ここで、ガスプラズマ２３が被エッチング部材１１に作用することにより、被エッチング部材１１を加熱すると共に、被エッチング部材１１にエッチング反応を生じさせる。このエッチング反応により被エッチング部材１１の材料であるニッケルと塩素との化合物であるガス状の前駆体２４（ＮｉｍＣｌｎ：ｍ，ｎは１以上の整数）が形成される。そして、前駆体２４は、前記被エッチング部材１１よりも低温部となっている被処理部材３の表面に向かって輸送される。また、被処理部材３に対しては、前駆体２４と共にＣｌラジカルが輸送される。
【００７５】
ここで、本実施形態では、シリコン基板３１の貫通孔３２の内周面（実際には酸化シリコン膜３３の表面）上にはシリコンパターン３５が設けられ、その内側に空隙３６が残されており、この空隙３６内に前駆体２４とＣｌラジカルとが輸送されることで、シリコンパターン３５に対して空間選択的にＮｉ成分が置換拡散すると考えられる。具体的には、シリコン基板３１の表面に対してＣｌラジカルと前駆体２４とが輸送されると、シリコン基板３１の表面近傍においてシリコンパターン３５のみに空間選択的にＣｌラジカルと前駆体２４が作用してＳｉ成分がＮｉ成分に置換されながら、Ｎｉ成分がシリコンパターン３５内に置換拡散しつつ塩素成分が離脱する還元反応が生じ、ニッケルシリサイドが生成し、ニッケル成分が置換拡散する。
【００７６】
ここで、ニッケル成分の置換拡散の際の主な反応は下記の２つの反応、すなわち、Ｓｉの還元反応である反応（１）と、Ｃｌの還元反応である反応（２）であるが、金属種がニッケルの場合には、通常の総フラックス条件下では、反応(１)が支配的となり、過剰な量の総フラックス条件とした場合、反応（２）が支配的となる。
【００７７】
ＮｉＣｌ＋Ｓｉ→Ｎｉ＋ＳｉＣｌ ・・・（１）
ＮｉＣｌ＋Ｃｌ→Ｎｉ＋Ｃｌ２ ・・・（２）
【００７８】
本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、ニッケル成分の置換拡散と共にニッケルシリサイドの膜厚が増大して空隙３６が徐々に小さくなり、最終的には空隙３６が消滅し、ニッケルシリサイドが貫通孔３２を埋め込むように形成される。また、この処理によると、ニッケルシリサイドの生成が、酸化シリコン膜３３の位置で停止される。この結果、酸化シリコン膜３３上に貫通孔３２を埋め込むように（空隙３６は消滅される）貫通孔３２の径方向に所定のニッケル濃度分布を有する貫通配線３７が形成される。なお、反応に関与しないガス及びエッチング生成物は排気口から排気される。
【００７９】
本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、ニッケル成分の置換拡散と共に空隙３６を埋め込むように貫通配線３７を形成するようにしたが、総フラックス量を通常量とすると、上記反応（２）が支配的になる。この場合の処理の結果を図３に示す（図２と同一部分には同一符号を付して重複する説明は省略する）。
【００８０】
図３（ｄ）に示すように、空隙３６を有するようにシリコンパターン３５を形成したものを処理すると、図３（ｅ）に示すように、ニッケル成分の置換拡散と共にニッケルシリサイド（シリコンパターン３５）の膜厚が減少し、当初より多少大きくなった空隙３６Ａが残存し、その周り、すなわち、貫通孔３２の内周壁上にニッケルシリサイドからなる貫通配線３７Ａが形成される。
【００８１】
本実施形態において、シリコンパターン３５としては多結晶シリコン膜乃至単結晶シリコン膜の何れの膜も用いることはできるが、多結晶シリコン膜の方がより望ましい。単結晶シリコンに較べ、粒界が多い分、塩素ラジカルがシリコンパターン３５内に侵入し易く、シリサイド化が容易且つ良好に行なわれ、Ｎｉ２Ｓｉ、Ｎｉ３Ｓｉ、Ｎｉ５Ｓｉ２などを含むニッケルシリサイド膜を比較的容易に形成することができるからである。また、多結晶シリコン膜は、フォトリソグラフィー及びエッチングなどの公知の手法により、金属膜のパターニングなどと比較して比較的容易にパターニングすることができるという利点がある。
【００８２】
ＩＶ族元素薄膜の一例である多結晶シリコンからなるシリコン膜３４（図２（ｃ）参照）は、例えば、公知のＣＶＤ法などにより成膜できる。一般的には、ＩＶ族元素薄膜は、基板を５００℃〜１２００℃にした後、ＩＶ族元素を含有するＩＶ族元素含有化合物ガス中に曝すことにより容易に形成できる。例えば、シリコン膜３４は、シリコン基板３１を約６００℃に保持し、原料ガスとしての１００ｍＴｏｒｒの下、２０％ＳｉＨ４（Ｎ２希釈）などに晒すことにより、成膜できる。また、シリコン膜３４は、例えば、フォトリソグラフィーと、例えば、ＣＦ４／Ｏ２ガスによるドライエッチングにより容易にパターニングして、シリコンパターン３５とすることができる。
【００８３】
また、シリコンパターン３５は、成膜後パターニングにより形成するほか、所望パターン以外の領域をレジストなどの保護膜で保護した後、ＣＶＤ法などでシリコンパターン３５を成膜してもよい。
【００８４】
何れにしても、所望パターン形状のシリコンパターン３５を有するものであれば、貫通孔３２の内周面に設けられたシリコンパターン３５のみに空間選択的にニッケル成分が置換拡散され、ニッケルシリサイドを含む貫通配線３７又は３７Ａが形成できる。
【００８５】
ここで、空間選択的とは、シリコンパターン３５の領域のみにニッケル成分が空間選択的に置換拡散されて、その周囲の領域にはニッケルが作用しない状態をいう。すなわち、貫通配線３７は、セルフアライメントされた状態でシリコンパターン３５の領域に形成され、その周囲の領域には形成されない。なお、シリコンパターン３５の周囲は、シリコン以外であれば特に限定されないが、酸化膜であるのが好ましく、酸化シリコン膜であるのが好ましい。
【００８６】
また、シリコンパターン３５の下地がシリコン基板の場合には、条件によってはニッケルがシリコン基板まで置換拡散するが、下地が酸化シリコン膜３３であるので、置換拡散防止膜として作用し、ニッケル成分の置換拡散は酸化シリコン膜３３で停止される。よって、シリコンパターン３５を貫通配線３７とする際には、下地として金属の置換拡散を規制する置換拡散防止膜を設けるのが好ましく、この場合には、酸化シリコン膜３３が置換拡散防止膜として作用する。
【００８７】
なお、従来技術で示した熱拡散により形成されたニッケルシリサイド膜の形成では、例えば、シリコン膜上にニッケル膜を設けて８００℃で５分間加熱することによりニッケルがシリコン膜中に熱拡散するが、シリコン膜の下地に酸化シリコン膜があってもニッケルは酸化シリコン膜を突き抜けてさらに下層にまで熱拡散することになり、熱拡散を所定位置で制御するのが困難である。
【００８８】
本発明の貫通配線は、処理温度を金属成分の熱拡散が生じない温度、例えば、２００℃〜４００℃、好ましくは２００℃〜３５０℃で行うことができる。
【００８９】
上述したＭＣＲ−ＣＶＤ法では、一般的には、基板表面に作用するハロゲンラジカルのフラックスと前駆体のフラックスとの和である総フラックスと、総フラックスに対するハロゲンラジカルのフラックスの比率とにより、処理条件が決定し、ハロゲンラジカルのフラックスの比率が相対的に低くなると、成膜モードとなり、ハロゲンラジカルのフラックスの比率が高くなるとエッチングモードとなる。
【００９０】
本発明方法では、総フラックスを高くなるように制御することにより、貫通配線中の平均ニッケル濃度を高くすることができ、逆に低くなるように制御することにより、平均ニッケル濃度を低くすることができる。例えば、被エッチング部材１１を同一とし、ハロゲンガスである作用ガス２１の導入量を一定とし、プラズマアンテナ８に印加するＲＦパワーを高くすると、総フラックスが高くなると共にニッケルを含む前駆体２４のフラックスが高くなり、一方、ＲＦパワーを低くすると、総フラックスが低くなると共にニッケルを含む前駆体２４のフラックスが低下する。
【００９１】
ここで、ＭＣＲ−ＣＶＤ法を実施する条件では、一般的には、ハロゲンラジカルのフラックスが飽和状態となるので、この条件下ではＲＦパワーを変化させてもハロゲンラジカルのフラックスはほとんど変化せずに、ＲＦパワーを低くすると、前駆体のフラックスが低くなり、ＲＦパワーを高くすると、前駆体のフラックスが高くなるので、これにより平均ニッケル濃度を制御することができる。
【００９２】
また、平均ニッケル濃度は、ハロゲンラジカルのフラックスと前駆体２４のフラックスとの比や被処理部材３の温度、基板の温度などによっても変化し、これらによって変化する前駆体２４の吸着量と、この前駆体２４が吸着した表面へ作用するハロゲンラジカルの量によって、ニッケルシリサイドの生成量が規定されると推定される。
【００９３】
したがって、本発明方法によると、主にＲＦパワーによって制御できる総フラックスを制御することにより、平均ニッケル濃度を増減できるが、被エッチング部材１１の形状、温度、ハロゲンガスの導入量、被処理部材３の温度など諸条件によっても変化するものである。例えば、他の条件を同一にし、被処理部材３の温度を高くすると、平均ニッケル濃度は低くなる方向に制御でき、逆に被処理部材３の温度を低くすると、平均ニッケル濃度が高くなる方向に制御できる。
【００９４】
また、ニッケルとシリコンとの比が１：２〜２：１の領域、すなわち、例えば、ニッケル平均濃度が３５％を超えると、ニッケルがシリコン中に全固溶する領域となり、ニッケルがシリコン中に拡散し易くなり、ニッケル分布が膜厚方向に平均化するようになる。一方、ニッケル濃度が３５％〜６０％の範囲では貫通配線３７がニッケルシリサイド膜として機能する傾向が強く、ニッケル濃度が６０％を超えると、ニッケル膜と同様な特性を有する傾向が強いが、これらは用途に応じて、金属含有量を選定すればよい。
【００９５】
また、ニッケル濃度が６０％を超え、特に８０％以上となると、貫通配線３７が実質的にはニッケル膜として機能する。
【００９６】
かかる本発明方法によると、従来のメッキ法などでは不可能であった５０μｍ径の貫通孔を埋め込むことができる。すなわち、シリコン基板３１の厚さが５０〜１００μｍで、貫通孔３２の内径が５０μｍ以下、好ましくは５〜２０μｍあっても、比較的容易に貫通配線とすることができる。
【００９７】
また、本発明の貫通配線を形成する場合、上述したように、貫通孔３２の内周面に、ＩＶ族元素薄膜としてのシリコンパターン３５を設ける際に、その内側に空隙３６を設けるのが好ましい。この空隙３６は、上述したように、ニッケルとハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルをシリコンパターン３５に均一に作用させて、ニッケル成分をシリコンパターン３５の厚さ方向（貫通孔３２の径方向）に置換拡散させるためのものであり、且つ必要に応じてニッケル成分の置換拡散により埋め込むことができる程度の大きさとするのが好ましい。この空隙３６の大きさは、製造する貫通配線の組成などによって適宜選定することができる。
【００９８】
また、このように空隙３６を介してニッケル成分が置換拡散して形成された貫通配線３７、３７Ａは、貫通孔３２の径方向に対しては、例えば、ニッケル濃度の分布を有するが、貫通方向に対しては成分の分布がほぼ一定となる。
【００９９】
＜第２の実施の形態＞
上述した実施形態では、被処理部材３を処理するＭＣＲ−ＣＶＤ装置（図１参照）の被エッチング部材１１として、ニッケルからなるものを用いたが、本実施形態では、銅からなる被エッチング部材１１を用いる以外は第１の実施の形態と同様に処理した。
【０１００】
ここで、銅成分の置換拡散の際の主な反応は下記の２つの反応、すなわち、Ｓｉの還元反応である反応（１１）と、Ｃｌの還元反応である反応（１２）であるが、金属種が銅であるので、通常の総フラックス条件下では、反応(１２)が支配的となり、過剰な量の総フラックス条件とした場合、反応（１１）が支配的となる。
【０１０１】
ＣｕＣｌ＋Ｓｉ→Ｃｕ＋ＳｉＣｌ ・・・（１１）
ＣｕＣｌ＋Ｃｌ→Ｃｕ＋Ｃｌ２ ・・・（１２）
【０１０２】
本実施形態の処理の状態は、図２又は図３と同一となるので、省略する。本実施形態では、通常の総フラックス条件とすることにより、銅成分の置換拡散と共に銅シリサイドの膜厚が増大して空隙３６が徐々に小さくなり、最終的には空隙３６が消滅し、銅シリサイドを含む貫通配線３７が貫通孔３２を埋め込むように形成される。なお、本実施形態においても、銅シリサイドの生成は、酸化シリコン膜３３の位置で停止される。この結果、酸化シリコン膜３３上に貫通孔３２を埋め込むように（空隙３６は消滅される）貫通孔３２の径方向に所定の銅濃度分布を有する貫通配線３７が形成される。
【０１０３】
一方、本実施形態では、過剰の総フラックス条件とすることにより、上記反応（１２）が支配的になる。この場合の処理の結果は図３のようになる。すなわち、図３（ｄ）に示すように、空隙３６を有するようにシリコンパターン３５を形成したものを処理すると、図３（ｅ）に示すように、銅成分の置換拡散と共に銅シリサイド（シリコンパターン３５）の膜厚が減少し、当初より多少大きくなった空隙３６Ａが残存し、その周り、すなわち、貫通孔３２の内周壁上に銅シリサイドからなる貫通配線３７Ａが形成される。
【０１０４】
＜第３の実施の形態＞
上述した実施形態では、貫通孔３２内にシリコンパターン３５を形成する際に空隙３６を設けたが、本実施形態は、空隙３６を設けず、貫通孔３２をシリコンパターンで埋め込んだ状態とする例を示す。なお、被処理部材３を処理するＭＣＲ−ＣＶＤ装置（図１参照）としては、第１の実施の形態と同様に、ニッケルからなる被エッチング部材１１を具備するものを用い、第１の実施形態と同様に処理した。
【０１０５】
本実施形態では、まず、図４（ａ）に示すように、後に半導体プロセスに供するシリコンウェハなどのシリコン基板３１の所望の位置に貫通孔３２を設けた後、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設けた基板の一方側に、貫通孔３２を塞ぐ補助基板４１を接合する。かかる補助基板４１は、貫通孔３２をシリコンパターンで埋めやすくするためのものであるが、上述した実施形態のようにシリコン膜を貫通孔３２を埋めるように設けることができれば、補助基板４１を用いる必要はない。逆に、上述した実施形態に補助基板４１を適用してもよい。
【０１０６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、例えば、後述するようにＣＶＤなどにより多結晶シリコンからなるシリコン膜を貫通孔３２を埋めるように形成した後、貫通孔３２の内のみを残すようにシリコンパターン３５Ａとする。
【０１０７】
このような被処理部材３を、上述した第１の実施の形態と同様にＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理する。
【０１０８】
ここで、本実施形態では、シリコン基板３１の貫通孔３２内のシリコンパターン３５Ａに対して空間選択的にＮｉ成分が置換拡散し、Ｓｉ成分がＮｉ成分に置換されながら、Ｎｉ成分がシリコンパターン３５Ａ内に置換拡散しつつ塩素成分が離脱する還元反応が生じ、ニッケルシリサイドが生成し、貫通配線３７Ｂが形成される（図４（ｃ））。
【０１０９】
なお、貫通配線３７Ｂ形成後は、補助基板４１を研磨や剥離などにより除去し、その後は、図４（ｄ）に示すように、上述した実施形態と同様に処理する。
【０１１０】
ここで、上述した実施の形態のような空隙３６を設けない場合には、貫通方向に亘っての濃度分布を一定するために時間がかかるが、時間短縮のためには、シリコンパターン３５Ａを貫通方向に分割して複数回に分けて形成し、それぞれを別々に処理してニッケルシリサイド化することにより、比較的短時間で貫通方向の濃度分布をほぼ一定に保持することができるようになる。
【０１１１】
また、補助基板４１は、本実施形態では別体としたが、シリコン基板３１の一部を補助基板として使用するようにしてもよい。
【０１１２】
ここで、シリコン基板の一部を補助基板とし、且つシリコンパターンを分割して処理した例を図５に示す。
【０１１３】
図５に示すように、この例では、厚さ方向の一部を補助基板４１Ａとして機能するシリコン基板３１Ａに貫通配線を形成する貫通孔として機能させるための凹部３２Ａを形成し、熱酸化処理などにより酸化シリコン膜３３を設けた基板とし（図５（ａ））、凹部３２Ａの深さの半分程度までシリコンパターン３５Ｂ−１を設ける（図５（ｂ））。このシリコンパターン３５Ｂ−１の形成は、凹部３２のみを開口させたパターンなどを介してのスパッタリング等により行えばよい。これを第１の実施形態と同様なＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理してニッケル成分を置換拡散し、ニッケルシリサイドを含む膜３７Ｂ−１とする（図５（ｃ））。次に、膜３７Ｂ−１上にシリコンパターン３５Ｂ−２を凹部３２Ａを埋め込むように形成し（図５（ｄ））、その後、ＭＣＲ−ＣＶＤ装置で処理してニッケル成分を置換拡散し、ニッケルシリサイドを含む膜３７Ｂ−２とする（図５（ｅ））。その後、シリコン基板３１Ａの補助基板４１Ａの部分を凹部３２Ａの底部に形成された酸化シリコン膜３３と共に研磨等により除去し、貫通配線３７Ｂを有するシリコン基板３１Ｂとする（図５（ｆ））。
【０１１４】
＜他の実施形態＞
以上説明した各実施形態では、ＩＶ族元素としてシリコンを例示したが、化学的にシリコンに近いゲルマニウム又は炭素をシリコンに置き換えても同様な貫通配線が形成できる。
【０１１５】
また、上述した各実施形態では、金属としてニッケルを例示したいが、ニッケルの代わりに、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛などをニッケルに置き換えても、同様に貫通配線が形成できると容易に推測できる。
【０１１６】
以上説明した貫通配線の形成方法によると、従来より高アスペクト比の貫通孔に比較的容易に貫通配線を設けることができ、高密度配線のマイクロデバイス用基板として有用である。
【０１１７】
すなわち、本発明の貫通配線を有するマイクロデバイス用基板は、例えば、図２（ｅ）又は図３（ｅ）に示すように、貫通配線３７又は３７Ａを設けた後、必要に応じて、図２（ｆ）又は図３（ｆ）に示すように、酸化シリコン膜などの保護膜３８で表面を保護した後、半導体プロセスなどに供することができ、半導体プロセス後、貫通配線３７を介して配線を形成することにより、多層基板マイクロデバイスなどに適用できる。
【０１１８】
なお、第１実施形態に用いた、図１に示す装置においては、チャンバ１内でハロゲンガスをプラズマ化することによりそのラジカルを形成したが、ラジカルの形成方法はこれに限る必要はない。例えば次のような方法によっても形成し得る。
１） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスに高周波の電界を作用させてこのハロゲンガスをプラズマ化する。
２） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスにマイクロ波を供給してこのハロゲンガスをプラズマ化する。
３） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスを加熱して熱的解離する。
４） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスに電磁波又は電子線を供給してこのハロゲンガスを解離させる。
５） チャンバ１内に連通する筒状の通路を流通するハロゲンガスを、触媒作用により解離させる触媒金属に接触させる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、半導体装置の製造の他、他の電子デバイスの製造に関する産業分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るマイクロデバイス用基板の製造方法に使用する装置の概略を示す正面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の変形例におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の変形例におけるマイクロデバイス用基板の製造方法の一例を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１ チャンバ
３ 被処理部材
８ プラズマアンテナ
１１ 被エッチング部材
２１ 作用ガス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、この基板本体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、この貫通孔内に形成され且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線によって前記貫通孔が埋め込まれていることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が前記貫通孔の内周面に沿って形成され、前記貫通孔内には前記貫通配線で囲まれ且つ前記基板の厚さ方向に貫通する連通孔を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、前記ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて形成されたものであることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層が設けられていることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通孔の前記貫通配線の下地に酸化物膜を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１２】
貫通孔を有すると共に前記貫通孔内にＩＶ族元素からなるＩＶ族元素材料が設けられた基板本体の前記ＩＶ族元素薄膜に対して、前記ＩＶ族元素と化合物を形成する金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて、前記貫通孔内にＩＶ族元素と金属との化合物を含む貫通配線を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素材料からなるＩＶ族元素薄膜を形成する工程を具備し、
前記貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を設ける際に、当該ＩＶ族元素薄膜の内側に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて前記貫通配線を形成しつつ当該貫通配線で埋め込むことができる空隙を有するようにすることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の深さ方向の少なくとも一部を前記ＩＶ族元素材料で埋め込む工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体は、絶縁材料で形成されると共に前記貫通孔の開口を塞ぐ補助基板を一方面側に当接した状態で処理されることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２〜１５の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２〜１８の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１９の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層を設ける工程をさらに具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２〜２０の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素薄膜を形成する前に、当該貫通孔の内周面に酸化物膜を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項１２〜２１の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜１１の何れか１項に記載されたマイクロデバイス用基板を具備することを特徴とするマイクロデバイス。
【請求項２４】
請求項１２〜２２の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法で製造された基板を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【請求項１】
基板本体と、この基板本体を厚さ方向に貫通する貫通孔と、この貫通孔内に形成され且つＩＶ族元素と該ＩＶ族元素との化合物を形成する金属との化合物を含む貫通配線とを具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線によって前記貫通孔が埋め込まれていることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が前記貫通孔の内周面に沿って形成され、前記貫通孔内には前記貫通配線で囲まれ且つ前記基板の厚さ方向に貫通する連通孔を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、前記貫通配線が、前記ＩＶ族元素からなるＩＶ族元素薄膜に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて形成されたものであることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層が設けられていることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記貫通孔の前記貫通配線の下地に酸化物膜を有することを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板において、
前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板。
【請求項１２】
貫通孔を有すると共に前記貫通孔内にＩＶ族元素からなるＩＶ族元素材料が設けられた基板本体の前記ＩＶ族元素薄膜に対して、前記ＩＶ族元素と化合物を形成する金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて、前記貫通孔内にＩＶ族元素と金属との化合物を含む貫通配線を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素材料からなるＩＶ族元素薄膜を形成する工程を具備し、
前記貫通孔の内周面にＩＶ族元素薄膜を設ける際に、当該ＩＶ族元素薄膜の内側に、前記金属とハロゲンラジカルとの化合物である前駆体及びハロゲンラジカルを作用させて前記貫通配線を形成しつつ当該貫通配線で埋め込むことができる空隙を有するようにすることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を形成する工程の前工程として、前記基板の前記貫通孔の深さ方向の少なくとも一部を前記ＩＶ族元素材料で埋め込む工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体は、絶縁材料で形成されると共に前記貫通孔の開口を塞ぐ補助基板を一方面側に当接した状態で処理されることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２〜１５の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、前記金属が、ニッケル、鉄、コバルト、チタン、ハフニウム及び亜鉛から選択される少なくとも１種であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記ＩＶ族元素が、シリコン、ゲルマニウム及び炭素からなる群から選択される少なくとも１種の元素であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線が、ニッケルシリサイド又はニッケルシリサイドを含有するニッケルからなることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２〜１８の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体の厚さが５０〜１００μｍであり、前記貫通孔の内径が５〜２０μｍであることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２〜１９の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通配線を覆うように表面全体に絶縁層を設ける工程をさらに具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２〜２０の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記貫通孔の内周面に前記ＩＶ族元素薄膜を形成する前に、当該貫通孔の内周面に酸化物膜を形成する工程を具備することを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項１２〜２１の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法において、
前記基板本体が、シリコン基板又はガラス基板であることを特徴とするマイクロデバイス用基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜１１の何れか１項に記載されたマイクロデバイス用基板を具備することを特徴とするマイクロデバイス。
【請求項２４】
請求項１２〜２２の何れか１項に記載のマイクロデバイス用基板の製造方法で製造された基板を用いてマイクロデバイスを製造することを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−５９９７１（Ｐ２００９−５９９７１Ａ）
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２７１１３（Ｐ２００７−２２７１１３）
【出願日】平成１９年８月３１日（２００７．８．３１）
【出願人】（０００２２７２９４）キヤノンアネルバ株式会社 (564)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月３１日（２００７．８．３１）
【出願人】（０００２２７２９４）キヤノンアネルバ株式会社 (564)
【Ｆターム（参考）】
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