【課題】改善された表面および構造的品質を示すフィルムを成長させる、改善された方法を提供すること。
【解決手段】非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜を、ｒ平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法が提供される。この方法は、以下の工程：
（ａ）該基板をアニールする工程；
（ｂ）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
（ｃ）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
（ｄ）窒素の過剰圧力下で、該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、を包含する。この方法により、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板と、その基板の上にＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第１の割り溝および第２の割り溝とを有し、該第１の割り溝および第２の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のＭ面とＡ面とがなす角を二等分する平面に平行である。 （もっと読む）

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１０２が成長される。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶の自立基板を製造する方法を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を基板１から剥離させることによって自立基板を得る。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、基板上への化学気相蒸着（ＣＶＤ）のための方法及び装置、特には有機金属化学気相蒸着における使用のための処理チャンバ及び部品に関する。本装置は、処理容積を画成するチャンバ本体を備える。第１平面のシャワーヘッドが、処理容積の上部を画成する。第２平面のキャリアプレートが処理容積を横断して延び、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間に上方処理容積を形成する。第３平面の透明材が処理容積の底部を画成し、キャリアプレートとの間で下方処理容積を形成する。複数のランプが、透明材の下に位置する１つ以上のゾーンを形成する。本装置は、より大型の基板全体で温度を均一に維持しながらも均等な前駆体流れと前駆体の混合をもたらし、これに対応してスループットが上昇する。
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【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】分解されずに除害筒まで到達するＡｓＨ₃、ＰＨ₃の量を減らし、除害筒の負担を軽減することで、従来よりも低コストで有害ガスを除去可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板が収容された反応炉２にＡｓＨ₃やＰＨ₃などの原料ガスを供給し、反応炉２から排出された未反応のＡｓＨ₃またはＰＨ₃などの有害物質を含む排出ガスから有害物質を除去する排出ガス処理装置３を備えた半導体製造装置において、排出ガス処理装置３に、排出ガスを３００℃から１０００℃に加熱し、排出ガス中のＡｓＨ₃およびＰＨ₃などの有害物質を熱分解させる分解チャンバ４を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ドロップレットの発生を避けて、長波長の光を発生できる窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子のためのエピタキシャルウエハを作製する方法では、Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１Ｎ（０＜Ｘ１≦１）からなる表面を有する基板１１上に、第１の温度Ｔ１でＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９が成長される。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１９上にＧａＮ層２３が第２の温度Ｔ１で成長される。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層１０は基板１１の表面を覆っている。Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２≦１）層１９の成長温度（Ｔ１）はＧａＮ層２３の成長温度（Ｔ２）よりも低い。基板１１は、ＩｎＧａＮテンプレートまたはＩｎＧａＮバルク基板であることができる。 （もっと読む）

【課題】オフ角ばらつきの小さい、窒化物半導体基板を製造することができる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板（１）上に窒化物半導体層（２）を形成し、前記下地基板（１）から分離した前記窒化物半導体層（２）を用いて自立した窒化物半導体基板（３）を作製する窒化物半導体基板の製造方法において、前記下地基板（１）の反り量を、前記下地基板（１）の中心位置と前記下地基板（１）の中心から距離Ｒの位置とにおける結晶成長面である表面の高さの差（ただし、前記表面の高さの差の正負を、前記下地基板（１）の表面が凸形状の場合をマイナス、凹形状の場合をプラスとする）と定義したとき、前記下地基板（１）は、Ｒ＝２５ｍｍに換算した場合の前記反り量が−１００μｍ以上−２０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を行なう場合においても、当該処理の質を良好に維持することが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、ガス供給部（ガス供給部材３８、配管３７、流量制御装置３６、配管３３〜３５、バッファ室２３〜２５）とを備える。処理室４は反応ガスを流通させる。複数のガス供給口１３〜１５は、処理室４の壁面(上壁６）において、反応ガスの流通方向に沿って形成される。ガス供給部は、複数のガス供給口１３〜１５において、一のガス供給口１３と、当該一のガス供給口１３と異なる他のガス供給口１５（またはガス供給口１４）とのそれぞれから異なる流量でガスを処理室４の内部に供給可能である。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】面取りが施されていないＧａＮウエハを用いてウエハ割れを低減できるエピタキシャルウエハを提供することを目的とする。
【解決手段】エピタキシャルウエハＥ２は、ＧａＮウエハ１１と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層１３とを備える。ＧａＮ層１７は、ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間に設けられている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。 （もっと読む）

【課題】強度が高く柔軟性のある有機無機複合膜及びその製造方法、該有機無機複合膜を用いた反射防止膜及び絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマＣＶＤ法による有機無機複合膜の製造方法において、金属元素含有化合物と有機化合物を異なるプラズマ条件で分解・励起した後、基材上で混合して成膜することを特徴とする有機無機複合膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に厚い窒化物半導体層をエピタキシャル成長しても、シリコン基板に反りや、窒化物半導体層に割れが生じない良好な窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、窒化アルミニウム層１１を成長させる。この窒化アルミニウム層１１の一部を除去し、それぞれ区画された複数の小領域を形成する。トリメチルガリウムとアンモニアガスを成長ガスとして使用し、窒化ガリウム層１３を成長させる。シリコンとトリメチルガリウムの反応により、メルトバックエッチングが生じ、小領域上に選択的に窒化ガリウム層１３が成長する。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の厚さを均一にしつつ成膜効率を向上することのできるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、サセプタ５と、通路１１とを備えている。サセプタ５は、基板２０を加熱し、かつ基板２０を載置するための載置面を有している。通路１１は、基板２０に反応ガスＧを導入するためのものである。通路１１の内部に載置面が面した状態でサセプタ５は回転可能である。通路１１は通路１１ｂと通路１１ｃとを有しており、かつ通路１１ｂと通路１１ｃとは位置Ａ４よりも上流側において合流している。反応ガスＧの流れ方向に沿った通路１１の高さは、位置Ｐ１から下流側に向かって位置Ｐ２まで単調減少しており、かつ位置Ｐ２から位置Ｐ３まで一定であり、かつ位置Ｐ３から下流側に向かって単調減少している。位置Ｐ１は位置Ａ４よりも上流側にあり、かつ位置Ｐ３はサセプタ５上にある。 （もっと読む）

【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素（ＳｉＣｌ₄）ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶が成長される（ステップＳ２）。この第１のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の成長速度が２００（μｍ／ｈ）以上２０００（μｍ／ｈ）以下である。 （もっと読む）

【課題】追加のヒータを用いること無く、フローチャンネルの汚れに影響を低減可能な、エピタキシャル基板を作製する方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体光素子のためのエピタキシャル基板を作製する方法では、ヒータ１５を用いて加熱しながら、フローチャネル１７内のサセプタ１３上に配置された基板１９上に窒化ガリウム系半導体光素子のための複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む半導体積層２１を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。フローチャネル１７内のサセプタ１３上にダミー基板２３を配置すると共にフローチャネル１７を遮熱用カバー２５で覆って、ヒータ１５を用いて加熱しながらプロセスガスＧ３を流してフローチャネル１７のベーキングを行う。 （もっと読む）

【課題】１×１０^-4Ωｃｍ未満の抵抗率を有する低抵抗ＩＴＯ薄膜とその製造方法等を提供する。
【解決手段】低電圧スパッタリング法、酸素クラスタービーム援用蒸着法、ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ法、有機金属ＣＶＤ−原子層積層法、及びＭＢＥ（分子線エピタキシー）法のうちから選ばれる成膜法を用いて結晶性基板上に形成する低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法であって、
結晶性基板の最表面の結晶性配列が、Ｉｎ₂Ｏ₃の結晶構造と適合するものであることを特徴とする低抵抗ＩＴＯ薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。
【解決手段】ガリウムヒ素基板１００と、前記ガリウムヒ素基板１００上に形成されたバッファ層１０１と、前記バッファ層１０１上に、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数が小さい材料からなる引張歪層１０５ａと、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数大きい材料からなる圧縮歪層１０５ｂとを積層して形成された歪補償構造層１０５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）