【課題】リン成分の捕集能力を高めたリン捕集装置及びそれを備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】リン捕集装置内に流入するリン成分を含有するガスＴＧを、リン成分の融点以下に冷却することにより、ガスＴＧ中の気相リン成分を液化あるいは固化させると共に、その液化あるいは固化リン成分を凝縮させて捕集するリン捕集装置本体２の上流に、前記ガスＴＧ中に気相リン成分を液化あるいは固化させるための核となる核物質Ｃを添加するための核物質添加器３を設けた。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低温度で結晶成長させる方法
【解決手段】有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】 全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法は、成膜装置内において、化学式ＸＢ₂（ただし、ＸはＴｉ及びＺｒの少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成るとともに表面に自然酸化膜が形成された基板に、真空中での加熱処理を施すことによって、自然酸化膜を除去するとともに基板の表面に原子ステップ構造を表出させる工程と、引続き成膜装置内において、基板の表面が大気に触れない状態で基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反りの発生を抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、気相成膜法により基板（２５）上に膜を成膜する成膜装置であって、基板（２５）を基板（２５）の面方向に摺動可能に保持する保持手段（１０）を備えることを特徴とするものである。本発明に係る成膜装置によれば、基板（２５）は、保持手段（１０）によって基板（２５）の面方向に摺動可能に保持されている。この場合、基板（２５）と膜との間の熱膨張率差に起因する応力が基板（２５）の摺動によって分散される。それにより、基板（２５）の反りが緩和される。その結果、膜に欠陥が生じることが抑制される。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法によるエピタキシャルウエハの製造において、原料の利用効率を向上させ、成長時間を短縮することによる生産性の向上により、低コスト化が可能な化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の化合物半導体製造装置は、基板上に化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長装置であって、成長ガス流路を形成する上壁の一部として円板状のサセプタを有し、前記サセプタに対向して前記成長ガス流路の下壁を構成する対向板を有し、前記サセプタと同心円状に複数の前記基板を前記サセプタに配設し、かつ前記基板の成長面を前記成長ガス流路側に向けて支持し、前記対向板における前記サセプタ中心に対面する部分から成長ガスを導入し、前記サセプタの外側に向かって前記成長ガスを排気する構造において、
前記成長ガスの流量を15〜80 NL/minとし、前記成長ガス流路の高さを１〜30 mmに制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】バルク全体にわたって低抵抗化が可能な高品質のｐ型ドーパントを含む窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶成長方法においては、ｐ型ドーパントを含む、組成変調のない（III族元素と窒素元素の組成比が一定の）III族窒化物系半導体を結晶成長させるプロセスにおいて、Ｍｇなどのドーパントの原料供給量（例えばＣｐ_２Ｍｇ）を実質的に一定に維持する一方、III族元素の原料供給量（例えばＴＭＧ）を連続的に増大させるという工程が設けられる。この方法により、ドーパント原料供給量とIII族元素原料供給量を何れも一定とした場合に比較して、結晶中でのドーパント濃度の深さ方向プロファイルを均一化することが可能となる。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。
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【解決手段】本発明は、基板上に、ＩＩＩ族及びＶＩ族元素を含む単一前駆体と、Ｉ族金属を含む前駆体と、ＶＩ族元素を含む前駆体またはＶＩ族元素を含有するガスとを共に供給しながら蒸着させ、単一の有機金属化学気相蒸着工程によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_２化合物薄膜を形成する方法を提供する。これによれば、従来の方法に比べて、一回の蒸着工程で最終薄膜が形成されるため、工程が簡素化されて経済的になり、製造された薄膜の内部気孔が少なく、均一な表面が形成されるので、太陽電池用吸収層として有用である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の成長完了までの時間を短縮し、基板上に成長させるエピタキシャル層の種類を選択成長可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが供給され、その原料ガスで基板９上に半導体膜を成長させる反応炉３と、その反応炉３内に設けられ、基板９を収納穴１０に収納して保持する成長用治具４とを備えた半導体製造装置１において、成長用治具４に、収納穴１０を開閉するシャッター１１を設けたものである。 （もっと読む）

予測臨界厚みを上回る歪みエピタキシャル層を有する半導体構造を製造する。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長により結晶欠陥の少ない低転位領域を有するＧａＮ系半導体を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ系半導体のファセット構造を形成しながら成長させて隣接するファセット構造を合体させる。ファセット構造が成長するにしたがい下地からの転位が曲がり低転位領域が形成される。更にファセット構造を成長させて隣接するファセット構造を合体させることでファセット面とファセット面とが重なる領域に曲がった転位を集める。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 基板の表面処理方法は、反応性イオンエッチング装置内に設置した化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｍｇ，Ａｌ及びＨｆのうち少なくとも１種を含む。）で表される二硼化物単結晶から成る基板１０に反応性ガスによってエッチング処理を施すことにより、基板１０の表面の自然酸化膜１１を除去するとともに、基板１０の表面に反応性ガスの成分とＸとの化合物から成る保護層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 簡易にＧａＰ電流分散層の表面における光の全反射を抑制することを可能とした、ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する
【解決手段】 ＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、基板上１に、少なくとも、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１）_ｙ１Ｉｎ_１−ｙ１Ｐクラッド層２、（Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１−ｘ２）_ｙ２Ｉｎ_１−ｙ２Ｐ活性層３およびｐ型（Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１−ｘ３）_ｙ３Ｉｎ_１−ｙ３Ｐクラッド層４を含む発光部６と、ｐ型のＧａＰ電流分散層５とを有するＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオード用エピタキシャルウェハであって、ｐ型のＧａＰ電流分散層５の少なくとも表面５１近傍には、粗面状態の結晶成長となる所定濃度以上のｐ型不純物が添加され、ＧａＰ電流分散層５の表面５１が粗面となっている。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化を図ることのできる有機金属気化供給装置、有機金属気相成長装置、有機金属気相成長方法、ガス流量調節器、半導体製造装置、および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】有機金属気化供給装置は、有機金属原料１３を貯留するための貯留容器１と、貯留容器１に接続され、かつ有機金属原料１３にバブリングガスを供給するためのバブリングガス供給路３と、貯留容器１に接続され、かつ貯留容器１で発生した有機金属ガスおよび希釈ガスを成膜室へ供給するための有機金属ガス供給路５と、有機金属ガス供給路５に接続され、かつ希釈ガスを有機金属ガス供給路５に供給するための希釈ガス供給路７と、バブリングガス供給路３に設けられ、バブリングガスの流量を調節するための流量調節部９と、希釈ガスの圧力を調節するための圧力調節部１１と、有機金属ガス供給路５と希釈ガス供給路７との接続位置よりも下流側の有機金属ガス供給路５に配置された音速ノズルＳとを備えている。 （もっと読む）

薄膜材料を基体上に堆積させる方法であって、供給ヘッドの出力面から基体表面に向けて一連のガス流を同時に案内することを含み、一連のガス流が、少なくとも、第１反応性ガス状材料と、不活性パージガスと、第２反応性ガス状材料とを含み、第１反応性ガス状材料が、第２反応性ガス状材料で処理された基体表面と反応することができる方法を開示する。かかる方法を実施することのできるシステムも開示する。
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【課題】相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】相変化層の形成方法において、電気化学蒸着法で相変化層を形成することを特徴とし、相変化層を構成する元素をそれぞれ含む前駆体と溶媒とを混合して電解質を形成する第１ステップ、陽極板と相変化層の蒸着される基板が設けられた陰極板とを離隔した状態で電解質に漬ける第２ステップ、相変化層の蒸着条件を設定する第３ステップ、及び陽極板と陰極板との間に電圧を印加する第４ステップを含む相変化層の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ガスの漏れを抑制することのできる気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１は、フローチャネル４と、フローチャネル４の下流側に接続されたフローチャネル５と、基板２１の上面がフローチャネル４の内部空間１１に露出するように基板２１を保持するためのサセプタ１７とを備えている。フローチャネル４の外周面４ａとフローチャネル５の内周面５ａとの隙間によって流路７が構成されており、かつ流路７は内部空間１１から反応容器９の内部空間８へ通じており、かつ流路７の幅Ｗは３ｍｍよりも大きく１０ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置のガス種の切り替え時に発生するパーティクルを抑制する。
【解決手段】気相成長装置４０には処理チャンバ１、分析及び制御ユニット２、ガスパネル３ａ、ガスパネル３ｂ、ヒータ電源４、圧力計測手段５、濃度計測手段６、及びパーティクル計測手段７が設けられる。処理チャンバ１にはウェハ支持ペデスタル１１、ウェハ１２、パージガス導入口１３、排気口１４、温度センサ１５、回転軸部１６、軸受け部１７、モータ部１８、及びカウンタパージガス導入口１９が設けられる。ガスパネル３ｂから供給されるカウンタパージガスは、カウンタパージガス導入口１９を介して、カウンタパージされる領域に導入される。カウンタパージガスはガス種切り替え時に流量が変更され、処理チャンバ１内部に発生するパーティクルの回転機構部やヒータ部などへの侵入、或いはパーティクルによる気相成長装置４０の異常発生を防止する働きをする。 （もっと読む）