【課題】アンモニアを窒化源として用いることができ、かつ、大量のアンモニアを用いることなく、既存のＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）装置に簡単な改良を施すだけで高品質のＩｎ系ＩＩＩ族元素の窒化物を製造することができるＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法を提供する。
【解決手段】アンモニアを分解してＩｎ系ＩＩＩ族元素に供給し、Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物を製造するＩｎ系ＩＩＩ族元素窒化物の製造方法において、前記アンモニア４を触媒６によって分解する。前記触媒とともに又は前記触媒として、水素吸収性を有する材料を用いてもよい。Ｉｎ系ＩＩＩ族元素窒化物がＩｎＮである場合には、ＩｎＮの成長温度を５００℃〜６００℃とするとよい。 （もっと読む）

【課題】簡易に光取出効率を向上することができる発光ダイオード用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法を用いて、ｎ型導電性基板１上に、少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４を有する発光部６と、ｐ型ＧａＰ電流分散層５と、を積層形成するＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ＧａＰ電流分散層５を形成する際に、ＧａＰ電流分散層５の表面側部で成長速度を高めることで、ＧａＰ電流分散層５の表面５ｃに凹凸を形成する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化したときにおいても、シャワープレートの付着物に起因するガス吐出孔の目詰まり、被処理基板の成長層への不純物混入を抑制するとともに、安価にカバープレートを作製する。
【解決手段】本発明のカバープレートユニット４０は、ガス通過孔Ｈ２を有する中心プレート４１と、中心プレート４１を載置するための載置部が形成された周辺プレート４２と、周辺プレート４２を保持するリング部材４４とを備え、周辺プレート４２は、中心プレート４１の周辺に配された複数のプレート片４２ａに分割されている。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な低転位密度窒化ガリウムおよびその製造プロセスを提供する。
【解決手段】１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（Ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ＩＩ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮウエハの主面は、エリア（ｂ）〜エリア（ｅ）を含む。エリア（ｂ）は、オフ角ゼロの付近における六角錐状のモフォロジを示す。エリア（ｃ）は、＜１−１００＞方向に０．２度以上１．０度以下及び＜１−２１０＞方向に−０．３度以上＋０．３度以下のオフ角の範囲における、非常に平坦な表面モフォロジを示す。エリア（ｄ）は、合成オフ角１．０度以下であってエリア（ｂ）及びエリア（ｃ）に挟まれたエリアにおける、線状の表面モフォロジを示す。エリア（ｅ）は、合成オフ角１．０度を超えるエリアにおける点状の表面モフォロジを示す。 （もっと読む）

【課題】発光波長６５５ｎｍ以上の、高出力・高効率のＬＥＤを量産可能なエピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に設けられた発光部２と、発光部２上に設けられた歪調整層３とを備え、発光部２は、組成式（Ａｌ_ＸＧａ_１−Ｘ）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層７を有し、歪調整層３は、発光波長に対して透明であると共にＧａＡｓ基板１の格子定数よりも小さい格子定数を有することを特徴とする発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ１０を採用する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスの混合性の向上及び被処理基板上のガス濃度分布の均一化を実現する。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、反応炉１内の被処理基板３を載置する基板保持部材４に対向して配置され、被処理基板３に対し第一ガスを供給するシャワープレート２０Ａと、シャワープレート２０Ａにおける基板保持部材４と反対側に配置され、被処理基板４に対し第二ガスを供給するシャワープレート２０Ｂとを備え、シャワープレート２０Ａには、第一ガス流路Ｈ３が形成され、シャワープレート２０Ｂは、基板保持部材４側に突出し、第一ガス流路Ｈ３内部に挿入された第二ガス供給管２３ｂを有し、第一ガス流路Ｈ３のガス出口２２ｃは、第二ガス供給管２３ｂのガス出口２２ｃよりも基板保持部材４側に配され、第二ガス供給管２３ｂの外壁が、第一ガス流路Ｈ３の内壁に接触し、第二ガス供給管２３ｂ内の第二ガスは、第一ガス流路Ｈ３内の第一ガスに対し平行に流れている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、蒸着反応装置システム内のウエハキャリアを浮上させて移動させるウエハキャリアトラックが設けられており、このトラックはトラックアセンブリの上側及び下部を具え、その間にガスキャビティが形成されている。上部の上面に沿って、及び２つの側面に沿ってガイドパスが延びており、これらの側面は、ガイドパスに沿ってその上に及び互いに平行に延在している。ガイドパスに沿って複数のガス孔が、上部の上面から、上部を通って、ガスキャビティへ延在している。いくつかの実施例では、トラックアセンブリの上側及び下部が、独立して石英を具えており、いくつかの実施例では、互いに結合されている。 （もっと読む）

本発明の実施例は、一般的に、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス用装置に関する。一の実施例では、シャワーヘッドアセンブリが提供されており、このアセンブリは、本体を具え、本体が本体の上側及び下部を通って延在し、本体の中心軸に平行に延在する中央チャネルを有する。このシャワーヘッドアセンブリは、第１の複数の孔を有し、中央チャネル内に配置した選択的な拡散プレートと、第２の複数の孔を有し、中央チャネル内の拡散プレートの下に配置した上側チューブプレートと、第３の複数の孔を有し、中央チャネル内の上側チューブプレートの下に配置した下側チューブプレートと、上側チューブプレートから下側チューブプレートへ延在する複数のチューブを具える。各チューブは、上側及び下部の個々の孔に連結されて流体連通している。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減可能な、窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜１３を成長するとき、この成膜条件において（キャリアガスの流量）／（（III族原料の流量）＋（窒素原料の流量）＋（キャリアガスの流量）＋（キャリアガスの流量））が０．５以上である。この比率のキャリアガスにより反応炉１０内の原料ガスを希釈できる。この希釈により、成膜中の成長炉において、基板１１と異なる場所における望まれない原料消費による堆積物の生成を低減できる。また、キャリアガスが水素を含むとき、堆積物の分解が行われる。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、上述した問題を解決し、成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたZrまたはHfからなる単一金属層とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】内蔵電界などの生成を抑制すべくｃ軸以外の方位、例えば反転対称性を有する結晶方位などへ配向した、Al_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ｃ軸より８°以上傾斜した方位に配向させ、AlxGa1-x-yInyN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含み、かつＢを１原子％未満で含有させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＯ法によらず、より簡便な方法で成長用基板の剥離を行うことが可能な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体エピタキシャル層の成長温度よりも低い成長温度で、Ｖ／III比が３０００以上となるようにＶ族原料とIII族原料を供給して、成長用基板上にIII族窒化物からなる下地層を形成する。次に下地層上に互いに異なる成長速度でIII族窒化物の成長を行う第１ステップおよび第２ステップを交互に複数回実施して内部に複数の空孔を含む空洞含有層を長用基板上に形成する。次に空洞含有層の上に半導体エピタキシャル層をエピタキシャル成長させる。次に半導体エピタキシャル層に支持基板を接着する。空洞含有層を起点として成長用基板を剥離する。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｓＮ構造を形成するための良好な窒素源を提供する。
【解決手段】窒素原子を用いてＧａＡｓを形成するためにアンモニアを用いる方法である。この方法は、ＧａＡｓ薄膜を有する反応室内にアンモニアの分解を促進する試剤と共にアンモニアを導入する操作５０８を有する。 （もっと読む）

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型基板２として、ほぼ円形であるｎ型基板の直径を（ａ）、ｎ型基板の厚さを（ｂ）としたとき、（ｂ）／（ａ）が０．００４７以下であるｎ型基板を用いて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】基板の曲がり現象を抑えて基板を加熱する温度が基板全体にわたって均一に維持されるようにした化学気相蒸着装置用サセプタを提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着装置用サセプタは、駆動装置と連結された回転軸１３０を通じて回転する回転体１１０と、回転体１１０の上部面に形成され、基板１０を載せるポケット１２０とを含み、ポケット１２０の底面には、均一な応力分布のために基板１０の底面に形成された溝と対応する位置に、上部に突出したブロック部１２１を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相成長法を用いてＧａＰ電流拡散層を厚く形成する際にＧａＰ電流拡散層にピットが形成されることを抑制し、反りを生じた状態で研磨やダイシングなどの素子化加工を行った際に該ピットを基点とした割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成される発光層部２４と、第一ＧａＰ層７ａとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成する。そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。第二ＧａＰ層７は、発光層部に近い側に位置するＧａＰ高速成長層７ｂと該ＧａＰ高速成長層７ｂに続くＧａＰ低速成長層７ｃとを有するものとして、ＧａＰ高速成長層７ｂを第一成長速度により、ＧａＰ低速成長層７ｃを第一成長速度よりも低い第二成長速度により、それぞれ成長する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下するのを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ素子１００（発光素子）は、（０００１）面からなる平坦部１０ａと、（１、１、−２、１０）面からなる傾斜部１０ｂとを含むｎ型ＧａＮ基板１０と、平坦部１０ａの表面上に形成される発光層３３を含む青色半導体レーザ素子部３０と、傾斜部１０ｂの表面上に形成されるとともに青色半導体レーザ素子部３０と異なる波長を発振する発光層５３を含む緑色半導体レーザ素子部５０とを備える。そして、青色半導体レーザ素子部３０および緑色半導体レーザ素子部５０は、それぞれ、窒化物系半導体からなる発光層３３および５３により構成されている。 （もっと読む）