ＩＩＩ族窒化物合金のエピタキシャル層を成長させるための組成物、反応器装置、方法、および制御システム。２層以上のヘテロ構造積層において合金層の組成が異なる場合のエピタキシャル層成長を制御するために、超大気圧がプロセスパラメータとして使用される。
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【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】好ましくは４００μｍ以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸１１を形成した、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣのいずれかを材質とする基材１０を準備し、前記基材１０の凹凸１１が形成された表面上に窒化物半導体層１２を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材１０から剥離させることにより窒化物半導体自立基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板面内で非対称な結晶特性を持っている基板に対して、エピタキシャル薄膜の面内分布を打ち消すことが可能な温度分布を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置１１０は、（ａ）非対称なオフ角度分布を有する基板１１１の主面上にエピタキシャル薄膜を形成する気相成長装置であって、（ｂ）基板１１１のオフ角度分布に合わせて非対称な溝パターンで溝加工が表面に施されており、溝加工が施された表面を基板１１１の主面の裏側に対向するようにして配置される均熱板１１４と、（ｃ）基板１１１の主面を下にした状態で周回部分に基板１１１が配置されて、基板１１１と均熱板１１４とを一緒に周方向に回転させるサセプタ１１２と、（ｄ）均熱板１１４を通して基板１１１を加熱して、基板面内で非対称な温度分布を生み出すヒータ１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の新たな用途展開の一環として、用途にあわせて太陽電池の意匠性、特に表面色のコントロール性に優れた太陽電池ユニットとその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた透明電極と対極の間にｐ型有機半導体材料とｎ型有機半導体材料とを含有する光電変換層を有する有機光電変換素子からなる太陽電池ユニットであって、光入射側の基材の透明電極とは反対側の面に少なくとも複数の異なる屈折率を有する材料から構成される可視光反射層を有すことを特徴とする太陽電池ユニット。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にＯＮ／ＯＦＦ制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族原料とＨＣｌガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管７，３３に、真空を利用して弁体２２が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる石英製の弁２０が設けられる。真空管路２６が真空に引かれていないときには、弁体２２は自重で下降し、反応室３へのＧａＣｌガスの供給が遮断される（ａ）。一方、真空管路２６が真空に引かれたときには、弁体２２は真空管路２６に接続された管３２側に吸引されて上昇し、管３１と管３３とが連通接続されて、ＧａＣｌガス導入管７側から管３３を通って反応室３へとＧａＣｌガスの供給が行われるようになる（ｂ）。 （もっと読む）

ロールツーロールＣＶＤシステムは、ＣＶＤ処理の際、堆積チャンバを通して、ウェブを搬送する、少なくとも２つのローラーを含む。堆積チャンバは、少なくとも２つのローラーによって搬送される間、ウェブを通過させるための通路を画定する。堆積チャンバは、複数の処理チャンバのそれぞれ内に別個の処理化学物質を維持する、障壁によって隔離される、複数の処理チャンバを含む。複数の処理チャンバはそれぞれ、ガス流入ポートおよびガス排出ポートと、複数のＣＶＤガス源とを含む。複数のＣＶＤガス源のうちの少なくとも２つは、複数の処理チャンバのそれぞれのガス流入ポートに連結される。
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【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ドーパント原料、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板１１上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を５０℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】ｍ面基板上で結晶成長させたＧａＮ系半導体素子のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体素子は、表面１２がｍ面であるｐ型半導体領域を有する窒化物系半導体積層構造２０と、ｐ型半導体領域上に設けられた電極３０とを備える。ｐ型半導体領域は、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｘ≧０， ｙ≧０， ｚ≧０）半導体層２６から形成されている。電極３０は、ｐ型半導体領域の表面１２に接触したＭｇ層３２と、Ｍｇ層３２の上に形成された金属層３４とを含み、金属層３４は、Ａｕと比較してＭｇと合金を形成し難い金属から形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＨＥＭＴ用エピタキシャル層の移動度を低下させることのない、電気特性の良いトランジスタ素子用エピタキシャルウェハを製造することができるトランジスタ素子用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を形成し、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３上に、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を形成するトランジスタ素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３を、成長温度６００℃以上７５０℃以下、Ｖ／III比１０以上１５０以下で成長させ、ヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャル層４を、高電子移動度トランジスタ用エピタキシャル層３の成長温度よりも低温で成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】構造が簡素で、腐食等の問題が生じ難い構成、構造を有し、しかも、水素ガス及び酸素ガスを効率良く発生させ得るガス発生材料を提供する。
【解決手段】ガス発生材料１２０は、ｐ型不純物を含有する第１半導体材料層２１とｎ型不純物を含有する第２半導体材料層２２とが積層されて成り、第１半導体材料層２１におけるバレンスバンドと第２半導体材料層２２におけるコンダクションバンドとがエネルギー的に一致するヘテロ接合を有し、第１半導体材料層２１及び第２半導体材料層２２のそれぞれの表面から異なるガスが生成する。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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本発明は、一般に、ＬＥＤ構造を形成する装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、水素化物気相エピタキシャル（ＨＶＰＥ）プロセスまたは有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）プロセスによって第１の処理チャンバ内で基板上に第１の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第１の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の処理チャンバ内で第１の層を覆って第２の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第２の層を形成するステップと、ＭＯＣＶＤプロセスによって第２の層を覆って第３の第ＩＩＩ族元素および窒素を含む第３の層を形成するステップとを含む、窒化化合物構造を製作する方法を提供する。 （もっと読む）

ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体を組み込んでいる電子デバイスを形成するための基板を準備するための方法および装置が提供される。元素状ハロゲンガス、ハロゲン化水素ガス、または他のハロゲンガスもしくはハロゲン化物ガスが、液体または固体のＩＩＩ族金属と接触して、窒素ソースと反応して基板上に窒化物バッファ層を堆積させる前駆物質を形成する。移行層とすることができるバッファ層は、複数のＩＩＩ族金属を取り込むことができ、非晶質形態または結晶質形態で堆積させることができる。非晶質層を、熱処理によって部分的にまたは完全に再結晶化させることができる。層の代わりに、複数の分離した核形成サイトを形成することができ、そのサイズ、密度、および分布を制御することができる。窒素ソースは、反応性窒素化合物ならびに遠隔プラズマソースからの活性窒素を含むことができる。バッファ層または移行層の組成は、所望のプロファイルに従う深さによっても変更可能である。
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本発明は、優れた安定性を持つデバイスを実現可能な安定性の高い酸化物半導体を提供する。本発明に係る酸化物半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＳｎ（錫）の少なくともいずれか一つと、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくともいずれか一方と、酸素とを含むアモルファス酸化物半導体であり、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のイオン半径はＧａ（ガリウム）のイオン半径よりも大きい。
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【課題】ガス中間室を備えるシャワーヘッド型ＭＯＣＶＤ装置において、ヘテロ接合界面の界面急峻性が優れた結晶の成長を可能とする結晶成長方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１０を用いる気相成長方法であって、第１III 族元素ガスをIII 族系ガス中間室２３ａに供給し、被成膜基板３に第１半導体層を形成する第１成膜工程と、被成膜基板３に第２半導体層を形成する第２成膜工程とを含み、第１III 族元素ガスと第２III 族元素ガスとが異なる場合、III 族用キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してIII 族系ガス中間室２３ａへ、または、第１Ｖ族元素ガスと第２Ｖ族元素ガスとが異なる場合、Ｖ族系キャリアガスを第１成膜工程よりも増量してＶ族系ガス中間室２４ａへの供給のうち少なくとも一方への供給を行う残留ガス排出工程を含む。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ低コストな白色発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、多重量子井戸構造の発光層４０の直下の層であるＧａＮ層３５の表面が、ｃ面と、（１０−１１）面とを有しているため、ＧａＮ層３５のｃ面上の井戸層では長波長の発光が、ＧａＮ層３５の（１０−１１）面上の井戸層では短波長の発光が生じる。発光スペクトルは、波長４６５ｎｍと５７０ｎｍに各々ピークを持ち、且つ可視部の極めて広い領域に十分な強度を持つことがわかる。これは、多重量子井戸構造の発光層４０の井戸層の組成が、ＧａＮ層３５表面のｃ面上部からファセット面上部にかけて、極めて滑らかに変化していることを示している。また、発光の色度座標（ｘ，ｙ）は（０．３１７１，０．３７９３）であった。即ち、演色性が高く、白色度が極めて高い。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するためのサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタの中心部に設けられた原料ガス導入部、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉等を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、大きな直径を有するサセプタに保持された、大口径、多数枚の基板の表面に、結晶成長する場合であっても、基板を１０００℃以上の温度で加熱して結晶成長する場合であっても、効率よく高品質の結晶成長が可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 設置される基板とサセプタの対面との距離が非常に狭く、かつサセプタの対面に冷媒を流通する構成を備えてなる気相成長装置とする。さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）