【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】歪みを減少し、品質を向上させることができる成長基板及び発光素子を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施例による発光素子は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、前記シリコン基板の一部を露出する第１バッファ層と、前記第１バッファ層及び前記露出されたシリコン基板を覆い、前記シリコン基板と共晶反応する物質からなる第２バッファ層と、前記第２バッファ層上に形成される第３バッファ層と、前記第３バッファ層上に形成される発光構造物とを備え、前記第２バッファ層はボイドを含む。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面の上に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を懸架するように配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にエピタキシャル層を成長させて、前記カーボンナノチューブ層を包む第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に真性半導体エピタキシャル層を成長させる第三ステップと、前記真性半導体エピタキシャル層の上に、ドープされた半導体エピタキシャル層を成長させる第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にバッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第三ステップと、前記バッファ層の表面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
半極性窒化物を備え、窒化物核生成層又はバッファ層に特徴を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】
基板上の、またはこの基板を覆う窒化物の核生成層または緩衝層と、
前記窒化物の核生成層または緩衝層上の、またはそれらを覆う半極性窒化物膜であって、この半極性ＩＩＩ族窒化物膜の成長表面は該基板の表面に平行である半極性窒化物膜とを備え、前記窒化物核生成層またはバッファ層の一つ以上の特徴が、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の５μｍ×５μｍの面積あたりの表面凹凸が７ｎｍ未満であり、前記半極性ＩＩＩ族窒化物膜の微小構造品質は、ｘ線回折で測定された０．４３°未満の半値全幅（ＦＷＨＭ）を有するロッキング・カーブにより特徴づけられる。 （もっと読む）

【課題】
サセプタの大型化を可能にし、大型化に伴うデメリットを抑制する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ装置用サセプタは、良熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分に分割されたサセプタ主部分と；良熱伝導体より高い熱伝導率を有する高熱伝導体で形成され、内側部分と外側部分の外部側壁との間の熱移動を促進する熱伝導部材であって、内側部分を包囲して配置された内側包囲部分と、外側部分の外部側壁と面一に配置された外面延在部分と、内側包囲部分と外面延在部分との間で熱移動を行う熱伝導部分と、を含む熱伝導部材と；を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶性、電気的特性、および光学特性等に優れたＩｎＮを含む半導体層を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル層を成長させることに用いるベース及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のベースにおいては、基板及びカーボンナノチューブ層を含む。前記基板は、結晶面を含み、前記カーボンナノチューブ層が、複数のカーボンナノチューブを含み、前記基板の結晶面に配置される。前記カーボンナノチューブ層に、複数の空隙が形成されている。前記基板の結晶面の一部が前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出される。しようとするエピタキシャル層を前記基板の該一部の結晶面から前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙を通じて成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板のエピタキシャル成長面上にエピタキシャル層を成長させることに用いるマスク及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のマスクにおいては、前記基板のエピタキシャル成長面上に複数の空隙を有する複数のパターン化カーボンナノチューブ層が形成される。前記パターン化カーボンナノチューブ層で前記基板のエピタキシャル成長面を覆う際に、前記基板のエピタキシャル成長面の一部は前記パターン化カーボンナノチューブ層の複数の空隙から露出される。エピタキシャル層は、前記基板の露出されたエピタキシャル成長面から成長される。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】調整バルブが全開又は全閉である場合の材料ガスの濃度値や流量値が、設定値と略一致する場合であっても、濃度や流量の制御状態が異常であるかを診断できる材料ガス制御システムを提供する。
【解決手段】収容室１０と、キャリアガスを導入する導入管２０と、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管３０と、第１調整バルブ４５と、材料ガスの濃度又は流量を測定する測定計と、測定計で測定した測定濃度値又は測定流量値が、予め定められた設定値となるように、第１調整バルブ４５に開度制御信号を出力する第１バルブ制御部４６と、収容室１０内の圧力を測定する圧力計４４と、開度制御信号の値の時間変化量及び圧力計４４で測定した測定圧力値の時間変化量が、所定条件を満たす場合に、前記材料ガスの濃度又は流量の制御状態が異常であると診断する診断部４７とを具備するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦化が図られたＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＧａＮ基板２８は、ＧａＮ単結晶からなる基板１４と、基板１４上にエピタキシャル成長された、ＡｌＧａＮ（０＜ｘ≦１）からなる中間層２４と、中間層２４上にエピタキシャル成長された、ＧａＮからなる上層２６とを備えることを特徴とする。中間層２４はＡｌＧａＮからなり、このＡｌＧａＮは、汚染物質が付着している領域を含む主面１４ａの全域に成長する。そのため、中間層２４は基板１４上に正常に成長しており、その成長面２４ａは平坦である。このように中間層２４の成長面２４ａが平坦であるため、中間層２４上にエピタキシャル成長される上層２６の成長面２６ａも平坦となっている。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）