【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板、当該基板上にエピタキシャル層が形成されたエピタキシャル層付基板およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮおよびＩｎＧａＮを用いた発光ダイオードは、電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性のバラツキが大きく、複数の粒子状発光ダイオード素子を同一電極上に配置し同時に駆動する際には、全ての粒子状発光ダイオード素子が電極に対して並列に接続される為、Ｉ−Ｖ特性のバラツキによって素子毎に流れる電流量にバラツキが生じるという大きな課題を有していた。
【解決手段】本発明においては、各粒子状発光ダイオード素子の第２電極１１９と第２半導体２１ｐの間に抵抗層１２０を直列に接続した構成を用いることによって、粒子状発光ダイオード素子間のＩ−Ｖ特性のバラツキによる特定の素子への電流集中を抑制し、最もＶｄの低い素子への電流集中による破壊を防ぐのみならず、各素子への負荷が低減されるため発光装置全体の劣化も抑制することを可能とし、輝度のバラツキの無い優れた発光装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

基板（２０）上に化合物半導体を堆積させる方法が開示されている。この方法は、基板（２０）を収容している反応チャンバ（１０）内に、ガス状の反応物質（３０，３４）を導くことと、ガス状の反応物質（３０，３４）の一種を活性化させるには十分であるが、該反応物質を分解させるには不十分であるエネルギーを加えるために、該反応物質にエネルギー（３１ａ，３１ｂ）を選択的に供給することと、そして、該反応物質を他の反応物質と反応させるために、基板（２０）の表面において、該反応物質を分解させることとを含んでいる。好ましいエネルギー源（３１ａ，３１ｂ）は、マイクロ波放射線または赤外線放射線である。これらの方法を実行する反応装置（１０）も開示されている。
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【課題】基板表面到達前にソースそれぞれに最適な分解効率を示す温度で加熱し、十分な分解をさせた後に結晶成長を行うようにしたＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】有機金属錯体を気化した複数の半導体材料ガスを供給して、基板上に金属化合物を成膜するＭＯＣＶＤ装置において、前記複数の半導体材料ガスが供給される反応室内は部分的に異なる複数の温度領域を有するように制御されている。 （もっと読む）

【課題】ARTおよびELOを用いて、格子不整合材料などを含む基板上に、太陽電池などのデバイスを形成する方法および構造を提供する。
【解決手段】構造を形成する方法であって、第１の半導体材料を含む基板上に配置されたマスク層に第１開口を形成するステップ、第１開口内に、第１の半導体材料と格子不整合の第２の半導体材料を含み、マスク層の上面上に延伸する十分な厚さを有する第１の膜層を形成するステップ、および第１の膜層上、かつマスク層の少なくとも一部の上に第２の半導体材料を含む第２の膜層を形成するステップ、第１の膜層の縦方向成長速度は、第１の膜層の横方向成長速度より大きく、第２の膜層の横方向成長速度は、第２の膜層の縦方向成長速度より大きい方法。 （もっと読む）

【課題】成膜される膜の組成を均一にすることのできる気相成長方法および気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長方法は、主表面２０ａを有する基板２０を準備する工程と、主表面２０ａに沿った方向に原料ガスを供給しながら、基板２０を加熱することにより主表面２０ａに膜を形成する工程とを備えている。膜を形成する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向Ｄにおいて主表面２０ａに近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素を含む第１原料ガスとＩＩＩ族元素を含む第２原料ガスとを含む原料ガスＧ１を主表面２０ａ上に供給するとともに、主表面２０ａに垂直な方向Ｄにおいて第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、ＩＩＩ族元素を含む第３原料ガスを含む原料ガスＧ２を主表面２０ａ上に供給する。 （もっと読む）

チャンバと、電磁放射線源とを含む半導体成長システム。反応チャンバの塩化物系化学物質による放射線源からの放射線の吸収を検出するように検出器が配置される。制御システムが、塩化物系化学物質による放射線の吸収に応答して、チャンバの動作を制御する。制御システムは、反応チャンバのパラメータを調節することによって、チャンバの動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】ピンセット等による基板のハンドリング位置を基板周縁部のごく限られた一部分に制限でき、もって基板ハンドリングに伴う汚染等の領域を大幅に抑制可能なエピタキシャル成長用基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用の基板１であって、エピタキシャル成長を行う基板１の表面１ａとは反対の裏面１ｂ側に、部分的に面取り部３がある。基板１の直径をｘ［ｍｍ］とするとき、基板１の裏面１ｂ側に施した面取り部３の長さＬが２ｍｍ以上０.１５
ｘ［ｍｍ］以下がよい。また、基板１を平坦面Ｐ上に表面１ａを上にして置いたとき、基板１と平坦面Ｐとの間にできる隙間の高さｈ１、奥行きｄ１が０.２ｍｍ以上がよい。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複数の膜を積層した素子を形成するにあたり、効率よく膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。 （もっと読む）

被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与される、誘電性基材（１２）上に層システムを製造するための方法が企図されており、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。本発明はさらに、被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与されている層システムに関し、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。加えて、本発明による層システムを有するケースも企図されている。
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【課題】半極性を利用する窒化ガリウム系半導体において、歪みの緩和により転位の発生を抑制されたIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。半導体積層２５ａは、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長範囲内の発光ピークを有する活性層２７を含む。ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ３）とバッファ層３３ａの（０００１）面との傾斜角Ａは０．０５度以上であり、傾斜角Ａは２度以下である。また、ＧａＮ支持基体の（０００１）面（参照面Ｓ_Ｒ４）と井戸層３７ａの（０００１）面との傾斜角Ｂは０．０５度以上であり、傾斜角Ｂは２度以下である。傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＮ半導体の成長におけるドロップレットの発生が低減される、III族窒化物系発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】、４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピーク波長を有する光を発生する活性層２１を形成する。障壁層２３ａの成長は、時刻ｔ１〜ｔ２において摂氏８８０度の成長温度Ｔ_Ｂで行われる。時刻ｔ２〜ｔ３の間で、長炉１０の基板温度を温度Ｔ_Ｂを温度Ｔ_Ｗに降下する。時刻ｔ３〜ｔ４で原料ガスＧ_Ｗを成長炉１０に供給して、アンドープＩｎ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ井戸層２５ａを温度Ｔ_Ｗで障壁層２３ａ上に成長する。成長温度Ｔ_Ｗは摂氏８００度である。原料ガスＧ_Ｗは、III族原料と共に、ＮＨ_３及びモノメチルアミンを含む。モノメチルアミンの流量とアンモニアの流量との流量比（［モノメチルアミン］／［アンモニア］）が１／１００００以下である。 （もっと読む）

【課題】組成の異なる複数膜を積層した素子を膜厚分布を抑えて、効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】材料ガスの種類および流量のうち少なくとも一方を変化させる際ながら気相成長を繰り返すことにより複数層を積層させる。材料ガスの種類や流量を変化させる際に、ガス供給ノズルと基板保持部との距離を予め定めておいた距離に変化させることにより、基板保持部の径方向についての膜厚分布のピークを基板と重ならない位置に生じさせる。これにより、基板を自転および公転させることにより基板上の膜厚を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長させる半導体層の面方位を選択することができ、必要に応じて半導体層のピエゾ電界を抑えたり結晶品質を高くしたりすることができる半導体層の成長方法およびこの成長方法を用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の（１−１００）面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、（１１−２２）面方位または（１０−１３）面方位を有する半導体層を（１−１００）面ファセット、（０００１）面ファセットおよび（１０−１３）面ファセットを出しながら成長させる。 （もっと読む）

【課題】良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶含有体、および良好なＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を簡便に低コストで製造するＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、サファイア、ＳｉＣまたはＺｒＢ₂の基板１上に、蒸着法またはスパッタ法などの方法を用いてチタンまたはバナジウムを含有する厚さ１０ｎｍ〜１０００ｎｍの金属膜２を堆積する。次に、金属膜２をパターニングする化合物の存在雰囲気下で熱処理することにより、金属膜２が不定形にパターニングされて、虫食い状の穴または溝１２が形成され、穴または溝１２の底部には基板１が露出する。次いで、前記熱処理後の虫食い状の穴または溝１２が形成された金属膜２上に、たとえばＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ハイドライド気相エピタキシャル成長）法などを用いてＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】 銅板部材７と基板３との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ１内のＣｌ₂ガスプラズマで前記銅板部材７をエッチングしてＣｕ成分とＣｌ₂ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のＣｕ成分を基板３に析出させてＣｕの成膜を行う場合において、チャンバ１内に連通してＣｌ₂ガスを流通させる通路２４の励起室２５でＣｌ^*を形成し、このＣｌ^*をチャンバ１内に供給することにより基板３に吸着状態となっている前記前駆体からＣｌ₂ガスを引き抜いてＣｕ膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。 （もっと読む）