【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＣｌ_３、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばＳｂ（ＯＥｔ）_３を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。新規のシリルアンチモン化合物もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。
【解決手段】オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０上に、自己組織化成長により量子ドット１６を形成する工程と、量子ドット１６を形成する工程の前又は量子ドット１６を形成する工程の際に、下地層１０の表面にＳｂ又はＧａＳｂを照射する工程と、量子ドット１６の表面をＡｓ原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット１６の表面に析出したＳｂを含むＩｎＳｂ層１８を除去する工程と、ＩｎＳｂ層１８が除去された量子ドット１６上に、キャップ層２２を成長する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる１種以上の元素（ただし、珪素を除く）の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

Ｓｂ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ及びＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜のようなＶＡ族元素を含有する薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法は、関連する組成物及び構造と共に提供される。式Ｓｂ（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_３のＳｂ前駆体が好ましくは用いられ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、アルキル基である。Ａｓ，Ｂｉ及びＰ前駆体もまた記載される。これらのＳｂ前駆体を合成する方法もまた提供される。相変化メモリ装置においてＳｂ薄膜を用いる方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板が存在しない状態で処理容器内をＣｌおよびＦの少なくとも一方を含むガスに曝露させる前処理工程（工程１）と、その後、処理容器内に基板を搬入する工程（工程２）と、基板が搬入された処理容器内に、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

ゲルマニウム及びテルルを有する相変化材料を形成する方法で、かかる方法は、基板上にゲルマニウム含有材料を堆積することを含む。かかる材料は、元素形態のゲルマニウムを含む。気体テルル含有前駆体が、ゲルマニウム含有材料に流れ込み、テルルが気体前駆体から除去されて、前記ゲルマニウム含有材料内で元素形態のゲルマニウムと反応して、前記基板上に相変化材料のゲルマニウム・テルル含有化合物を形成する。その他の実施態様も開示される。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子の電気的特性を向上させる情報保存パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】情報保存パターンの形成方法は次の段階を含む。半導体基板を半導体蒸着装備の処理チャンバ内に設置する（Ｓ１００）。半導体基板上に、層間絶縁層に覆われる下部電極を形有する（Ｓ２００）。処理ガスを、互いに異なるパルス形状により処理チャンバ内に注入して、層間絶縁層を介して下部電極と接触する堆積層を半導体基板上に形成する（Ｓ３００〜Ｓ６００）。堆積層が目的の厚さに到達するまでＳ３００〜Ｓ６００を繰り返す（Ｓ７００）。層間絶縁層を露出させるように、堆積層をエッチングして層間絶縁層にメモリセルを形成する（Ｓ８００）。メモリセル上に上部電極を形成する（Ｓ９００）。気相反応を適切に調節することで、メモリセル内のボイド及びシームの生成を防止することができる。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより目標の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜するに際し、成膜に先立ってガスの通流経路および／または反応空間にＴｅ含有材料を形成し、その後前記処理容器内に所定流量の気体状のＧｅ原料、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料、または気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を導入して所定の組成のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系膜を成膜する。 （もっと読む）

基板上へのテルル含有膜の堆積のための方法および組成物を開示している。リアクタおよびこのリアクタ内に配置された少なくとも１つの基板を準備する。テルル含有前駆体を供給してリアクタへ導入し、少なくとも１００℃の温度に維持する。テルルを堆積プロセスにより基板上に堆積させて基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法に関し、チャンバにソースを供給し、そして前記チャンバから前記ソースをパージし、前記ソースの供給及びパージによって前記チャンバの圧力を変動させることを特徴とする。本発明によると、所望の組成と厚さによる組成分布により、優れた相変化膜を形成することができるようされる。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド材料を製造するための新規なセットの化学物質を提供すること。
【解決手段】基板上に金属カルコゲナイド合金膜を作製する一実施態様として（ａ）上記基板をシリルテルリウム及びシリルセレニウムからなる群から選択されるシリル−カルコゲンに接触させるステップ；並びに（ｂ）上記基板を、一般式ＭＸ_n（式中、ＭはＧｅ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａ，Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｈｇ、Ｃｄ、Ｚｎ、及び貴金属からなる群から選択される；ＸはＯＲ（アルコキシ）、Ｆ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）、ＮＲ₂（アミノ）、ＣＮ（シアノ）、ＯＣＮ（シアネート）、ＳＣＮ（チオシアネート）、ジケトネート、カルボン酸基、及びそれらの混合物からなる群から選択される求核基である；そしてｎ＝１〜５である）を有する少なくとも一種の金属化合物に接触させるステップを含む。 （もっと読む）

Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｂｉ−Ｔｅ、およびＺｎ−Ｔｅ薄膜などのＴｅ含有薄膜を形成するための原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスが提供される。Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｂｉ−Ｓｅ、およびＺｎ−Ｓｅ薄膜などのＳｅ含有薄膜を形成するためのＡＬＤプロセスも、提供される。式（Ｔｅ、Ｓｅ）（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_２のＴｅおよびＳｅ前駆体が使用されることが好ましい（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３はアルキル基である）。これらのＴｅおよびＳｅ前駆体を合成するための方法も提供される。相変化メモリ素子において当該ＴｅおよびＳｅ薄膜を使用するための方法も提供される。 （もっと読む）

相変化メモリ用のカルコゲナイド薄膜の形成方法が開示される。本発明によるカルコゲナイド薄膜の形成方法は、反応器の内部にパターンが形成されている基板をローディングし、ソースガスを基板上に供給する。このとき、ソースガスは、Ｇｅ原料ガス、Ｇａ原料ガス、Ｉｎ原料ガス、Ｓｅ原料ガス、Ｓｂ原料ガス、Ｔｅ原料ガス、Ｓｎ原料ガス、Ａｇ原料ガス及びＳ原料ガスから選択された１種以上からなる。そして、基板上に供給されたソースガスをパージするために基板上に第１パージガスを供給し、基板上にソースガスを還元させるための反応ガスを供給し、基板上に供給された反応ガスをパージするために基板上に第２パージガスを供給する。そして、パターン内部の蒸着速度がパターン上部の蒸着速度より大きくなるように、第１パージガスの供給時間変更及び前記反応器の内部の圧力調節のうち少なくとも一つを行う。本発明によれば、パターンの上部に薄膜が形成される速度よりパターンの内部に薄膜が形成される速度が大きくなるように、ソースガスをパージする時間を変更するか、または反応器の内部の圧力を調節することによって、ギャップ・フィル特性の優秀なカルコゲナイド薄膜を形成できる。
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