【課題】複数の基板間における処理の均一性を向上することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部とを備えた基板処理装置において、前記処理ガス供給部は、前記処理室外に設けられた処理ガス供給源と、前記処理ガス供給源に一端が接続され、前記処理室内に基板の積層方向に沿って設けられ、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給口が設けられた主ガスノズルと、前記処理ガス供給源に一端が接続され、他端が前記主ガスノズルに接続された補助ガスノズルとを、備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 基板の面内方向のキャリア拡散と基板垂直方向のキャリア注入を高効率に行うことのできる、シリコン発光素子用の活性層および該活性層の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】 シリコン発光素子に用いる活性層であり、シリコン化合物からなる第１の層と、該第１の層よりもバンドギャップが大きいシリコン化合物からなる第２の層とが基板上に交互に積層された多層膜構造を有する。また、複数のシリコンナノ粒子が多層膜構造の中に設けられている。第１の層に含まれるシリコン原子の量は、第２の層に含まれるシリコン原子の量よりも多く、複数のシリコンナノ粒子のうちの少なくとも一つは、前記第１の層と前記第２の層との境界面のうち少なくとも一つの面を越えて存在する。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】一度に成膜する多数のウエハの面内・面間の膜厚均一性向上を可能にする。
【解決手段】複数枚配置される基板を処理可能な処理室を内部に有する反応管と、反応管の外周を囲うように設けられる加熱装置と、を備え、反応管の側面には、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス導入管と、少なくとも加熱装置の外側まで達するガス排気管と、がそれぞれ設けられ、ガス導入管は、垂直方向に区画された複数のガス導入区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内にガスを噴出するガス噴出口と、を有し、ガス排気管は、垂直方向に区画された複数のガス排出区画部と、複数枚の基板に跨るような大きさで設けられて処理室内からガスを排気するガス排出口と、を有し、各ガス導入区画部と各ガス排気区画部とがそれぞれ同じ高さに配置され、反応管を挟んで水平に対向している。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して行うＡＬＤ成膜処理につき、成膜プロセスの高速化と低温化とを両立させつつ、プロセス温度が低温の場合でも高温の場合と同等の膜質が得られるようにする。
【解決手段】基板を処理する処理室と、複数枚の基板を積層した状態で保持する基板保持具と、複数段の各電極体にそれぞれ電力が供給されることで基板間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給系と、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、ＡＬＤ成膜処理を行うように電力導入部、第１の処理ガス供給系、第２の処理ガス供給系及び排気系を制御する制御部と、を有して、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスに含まれた元素を有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に複数の反応ガスを交互に供給して基板に膜を形成する工程と、処理室から基板を搬出する工程と、処理室内にクリーニングガスを供給し、処理室内をクリーニングする工程と、複数の反応ガスの全てを処理室内に供給し、処理室内に供給したクリーニングガスに含まれた元素を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フィルムを屈曲させた場合でもガスバリア性の低下を十分に抑制可能な積層フィルムを提供すること。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が珪素、炭素、及び非金属元素（但し、珪素、炭素、及び酸素を除く。）を少なくとも１種類以上含有しており、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、炭素原子、及び前記非金属元素の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（i）〜（ii）：（i）前記炭素分布曲線が実質的に連続であること、（ii）前記炭素分布曲線が少なくとも１つの極値を有すること、を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により成膜を行う半導体デバイスの製造方法であって、Ｎａによる基板の汚染を低減できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を収容する処理室に、第１の処理ガス及び第２の処理ガスを互いに混合させないように、それぞれの処理ガスの供給と排出を交互行って、前記基板の表面に膜を生成する基板処理工程と、前記処理室に前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスを共に供給して、前記処理室の内壁表面にコーティング膜を形成するコーティング膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器１内において分離領域Ｄを介して処理領域Ｐ１、Ｐ２をウエハＷが順番に通過するように回転テーブル２を回転させるにあたり、回転テーブル２の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル４１、４２のガス吐出孔３３の配列間隔ｕを広く設定すると共に、分離領域Ｄから処理領域Ｐ１、Ｐ２側に吐出される分離ガスの流速について、各領域Ａ１、Ａ２における回転テーブル２の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させずに、微細な素子間への埋め込みを行う窒化珪素膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に窒化珪素膜を形成する際、窒化珪素膜を形成するための原料ガス（ＳｉＨ₄等）を供給し、当該原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜を成膜する成膜工程を実施し、成膜工程の後、希ガスのみを供給し、基板へバイアスを印加し、希ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜をバイアススパッタするスパッタ工程を実施すると共に、成膜工程及びスパッタ工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程（窒化工程）とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】電極対の間において、基板の搬送方向の最上流位置におけるプラズマ電子密度を、最下流位置におけるプラズマ電子密度よりも低くすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において稼働率の低下とメンテナンス費用アップの原因となる処理室や排気経路への反応副生成物の堆積を防止する。
【解決手段】処理室２内に設けられ複数の基板４が載置されて回転する支持部より上方に設けられ、第一のガスを供給する第一ガス供給部１０と、前記支持部より上方に設けられ、第二のガスを供給する第二ガス供給部１１と、前記支持部と第一および第二ガス供給部１０，１１との間の空間に、前記第一および第二のガスを分離する不活性ガスを供給する不活性ガス供給部１６，１７，１８と、前記支持部の下方の処理室２の底壁との間に設けられ、仕切り板１９ａ，１９ｂによって気密に区画された少なくとも二つの排気空間２１と、該排気空間のそれぞれに設けられた排気孔２２，２３と、を有する基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 クリーニング処理時間を短く、クリーニング後の残留物が処理室に残らないようにする。
【解決手段】 耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内の温度を第１の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物を除去する工程と、付着物除去後の反応管内の温度を第１の温度以上の第２の温度とし、反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管内壁の表面に残留した残留物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｌ型ガスノズルを設置する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ガスノズルの設置が容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、複数の基板をＹ方向に積層して処理する反応容器と、反応容器の側壁をＹ方向と垂直なＸ方向に貫通して設けられるガス導入ポートと、Ｘ方向に延在するＸ部とＹ方向に延在するＹ部とを有し反応容器内からガス導入ポート内にＸ部がＸ方向に挿入されＸ部とＹ部を貫通する第１ガス流路が設けられる第１ガス流路部と、反応容器内で第１ガス流路部のＹ部に接続されＹ方向に貫通する第２ガス流路が設けられる第２ガス流路部と、反応容器の内壁からＸ方向に突出して設けられＹ方向の第３ガス流路を有し第２ガス流路部に接続される第３ガス流路部と、第３ガス流路部に支持されＹ方向の第４ガス流路が設けられるとともにガスを基板に対して供給するガス供給口が設けられた第４ガス流路部とから構成する。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）