【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）により形成された、ＳｉＯｘＣｙ膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】陽極及び陰極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極にアモルファス(非晶質)炭化ケイ素、及び陰極にアモルファス窒化ケイ素を高速で且つ安価に製膜する製法を提供する。
【解決手段】陽極にアモルファス(非晶質)ＳｉＣ、及び陰極にアモルファス(非晶質)Ｓｉ_３Ｎ_４を、電極リード金属性の基盤６に高速で製膜する製法として、大気圧プラズマ化学蒸着CVD法により、一般にプラズマ励起に用いられている電源周波数より高い、例えば550MHz（UHF帯）の高周波電源１０を使用して、安定なグロープラズマ４を発生させ、高密度に生成される反応種を利用した高周波(ＵＨＦ帯＞３００ＭＨｚ)成膜法を採用する。これにより電極３と基板７の間の小さなギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能となり。高速製膜を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】捕集効率の向上と閉塞の低減とを両立可能な排気トラップを提供する。
【解決手段】処理装置からの排ガスを流入させる流入口と、前記流入口から流入した前記排ガスを流出させる流出口と、第１の開口寸法を有する一又は複数の第１の開口部、及び前記第１の開口寸法よりも小さい第２の開口寸法を有する複数の第２の開口部を有し、前記流入口と前記流出口との間において前記流入口から前記流出口へ流れる前記排ガスの流れの方向と交差するように配置される複数のバッフル板とを備え、前記複数のバッフル板のうちの一つのバッフル板の前記第１の開口部と、隣のバッフル板の前記第１の開口部とが前記流れの方向に対して互いにずれており、前記複数のバッフル板のうちの隣り合う２つのバッフル板の間隔が、前記第２の開口寸法の０．５から２倍の範囲にある排気トラップにより上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、支持体のダメージが少なく、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも低密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、複数のプラズマＣＶＤによって、成膜領域から外部へのガス流を制御しつつ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、優れた機能を発現し、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも高密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、支持体を搬送しつつ、搬送方向に配列された複数のプラズマＣＶＤによる成膜手段によって表面温度が２０℃以下にならないようにして同じ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】２つのプラズマ発生部８１、８２を回転テーブル２の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部８１、８２とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部８１、８２におけるアンテナ８３と直交する方向に伸びるスリット９７を各々のファラデーシールド９５に設けて、各々のアンテナ８３において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハＷ側に通過させる。 （もっと読む）

【課題】安価な支持体を用いて、低コストかつ高い生産性で、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムなど、高性能な機能性フィルムを提供する。
【解決手段】塗布による有機層と、気相堆積法による無機層とを積層してなる機能性フィルムにおいて、有機層のガラス転移温度が１００℃以上、厚さが０．０５〜３μｍであり、かつ、この有機層を、塗料を５ｃｃ／ｍ²以上の塗布量で塗布して、減率乾燥状態での粘度が２０ｃＰ以上、表面張力が３４ｄｙｎ／ｃｍ以下となるようにして形成し、この有機層の表面に、プラズマの生成を伴う気相成膜法によって無機層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行うロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側での、プラズマ端部の影響を低減して、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段が電極対の間でプラズマを生成する領域の、基材搬送方向の上流側および下流側の少なくとも一方の端部に配置される絶縁性のプラズマ抑制部材２４を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０とウエハＷとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド９５を設けると共に、プラズマ発生部８０において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ８３の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット９７を当該アンテナ８３に沿って前記ファラデーシールド９５に形成して、各々のスリット９７の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ８３の長さ方向に沿うように導電路９７ａ、９７ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識することが可能な膜割れ検出装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器４を有すると共に被処理体の表面に薄膜を形成する成膜装置２に設けられて膜割れ検出操作を行う膜割れ検出装置４０において、成膜装置に取り付けられて弾性波を検出する弾性波検出手段４２と、弾性波検出手段の検出結果に基づいて処理容器４のクリーニングの要否を判断する判断手段４４とを備える。これにより、処理容器の内壁等に付着した不要な膜の膜割れを検出してパーティクルの発生の可能性をリアルタイムで認識する。 （もっと読む）

【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】長時間に亘り十分なバリア性を発揮する積層構造のバリア膜を単一のプラズマＣＶＤ装置にて一貫して成膜することができる量産性のよい成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧下のプラズマＣＶＤ装置の反応室内に、シリコンを含む原料ガスと、窒素を含む第１の反応ガスとを導入し、放電用電力を投入してプラズマＣＶＤ法にて処理対象物表面に下層（窒化シリコン膜）Ｂｄを成膜する第１工程と、第１の反応ガスから、窒素及び酸素を含む第２の反応ガスに切り換え、原料ガスと共に反応室内に導入し、中間層（酸窒化シリコン膜）Ｂｍを成膜する第２工程と、第２の反応ガスから第１の反応ガスに切り換え、原料ガスと共に反応室内に導入し、上層（窒化シリコン膜）Ｂｕを成膜する第３工程とを含み、少なくとも第２工程と第３工程との間で、少なくとも原料ガスの導入を一時的に停止する工程を更に含む。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。
【解決手段】反応室内にクリーニングガスを供給する前の所定時点から反応室内にクリーニングガスを供給開始から数秒経過する時点までに、完全に排気を停止もしくはクリーニングガスの均一な拡散に影響がない程度の排気量で排気させ、反応室内の圧力が１０Ｔｏｒｒ以上となるまでクリーニングガスを供給する第１段階と、反応室内の圧力が下がるよう反応室内を排気する第２段階と、を有し、第１段階と第２段階とを１サイクル以上行う。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）