【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。かつ、上側の導体３２の近傍に、アンテナ３０の長手方向Ｘに移動可能な複数の磁性体７０を設けている。 （もっと読む）

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、ガスを供給するガス導入部２７と、を具備し、基板載置台３の、被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａが窪み３ｂを有し、窪み３ｂの直径を２００ｍｍとしたとき、最深部の深さを１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法やＡＬＤ法等によってシリコン絶縁膜を形成する際に、成膜温度を増加させることなく薄膜成長速度を増加させて生産性の向上が可能なシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン源としてアミノシラン化合物を用いるシリコン絶縁膜の形成方法であって、前記アミノシラン化合物は、分子内の全てのＳｉ−ＮＲ_１Ｒ_２（Ｒ_１及びＲ_２は、水素（Ｈ）又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状アルキル基）結合が、Ｈ_３Ｓｉ−ＮＲ_１Ｒ_２構造としたときの正規化双極子モーメントが１．３７以上を有するとともに、分子内にアミノ基を３個有するトリスアミノ構造又は分子内にアミノ基を４個有するテトラキスアミノ構造を有することを特徴とするシリコン絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 誘導結合型の装置であって、アンテナの実効インダクタンスを小さくしてプラズマ電位を低く抑えることができ、しかも当該アンテナによってその長手方向におけるプラズマ密度分布を制御することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 このプラズマ処理装置は、平面形状がまっすぐなアンテナ３０を、基板２の表面に立てた垂線３に沿う方向である上下方向Ｚに互いに接近して配置されていて、高周波電流Ｉ_R が互いに逆向きに流される往復導体３１、３２によって構成している。かつ、往復導体３１、３２間の上下方向Ｚの間隔Ｄを、アンテナ３０の長手方向Ｘにおいて変化させている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒータアセンブリの内容積が大気に曝され、構成部品の機械的強度が使用中に劣化することを防止する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを処理する方法であって、加熱ディスク１１６から基部まで広がり、加熱ディスクに接続された少なくとも一つの加熱エレメント１１２を囲んでいる内容積を有するヒータを含む反応チャンバ１０８内でウェハを処理するステップ、内容積は反応チャンバから内容積を隔離する密封を有し；ヒータで反応チャンバを加熱するステップ；ヒータ内容積の内部に不活性ガスをパージするステップ；内容積から反応チャンバの外側まで不活性ガスを排出するためヒータ内容積に接続されたガス抜きポートで不活性ガスをガス抜きするステップ；を含む、方法。 （もっと読む）

【課題】ガスノズルのガス噴出口の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内に配設された複数本のガスノズル２３１ａ，２３１ｂと、複数本のガスノズルにそれぞれ開設されたガス噴出口と、複数本のガスノズルを介して処理室内に処理ガス及び不活性ガスを供給するガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、を備え、ガスノズルの少なくとも１本は、内管及び外管から成る２重管構造であり、内管のガス噴出口が、外管のガス噴出口の内側で重なるように開設され、内管のガス噴出口の先端が、外管のガス噴出口の先端と同じ位置まで突出し、内管から処理ガスが供給され、外管から不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置ＳＭは、Ｚ軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート５と可動枠６とを備える。固定プレートの開口５１に嵌着された真空フランジ５２を介して、処理室１１を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ７_１〜７_４が設けられ、各アクチュエータのＺ軸方向にのびる連結ロッド７７で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりＸ軸方向、Ｙ軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド８が、上記外壁面の透孔１５に設けたシール部品１６を介して処理室内に突出してマスクＭを保持する。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】 成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。
【解決手段】 所定の中央領域と、この中央領域の外側の領域とで、ドラム表面温度を異なる温度とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】 冷媒や水素燃料が透過しにくい樹脂ホース、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂ホース８は、ポリアミド樹脂からなる円筒状の内層８０と、内層８０の径方向外側に積層されポリアミド樹脂からなる円筒状の外層８２と、内層８０と外層８２との間に積層されＳｉＮからなる中間層８１と、を有する。樹脂ホースの製造方法は、モノシランおよび窒素を反応ガスとして内層８０の外周面８００をマイクロ波プラズマ処理することにより、外周面８００に中間層８１を形成する中間層形成工程と、中間層８１の外周面に、ポリアミド樹脂を溶融押出成形することにより外層８２を形成する外層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ成膜処理において、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。
【解決手段】基板搭載部の基板を搭載する上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くし、基板上の薄膜成膜に対する影響を低減する。基板搭載部は基板を保持する保持部材を備え、保持部材の表面の内、基板と搭載する上表面は、基板を搭載した状態において少なくとも基板で覆われずに露出する部分を平滑面とする。保持部材の上表面を平滑面とすることによって、基板搭載部への薄膜成分の吸着確率を低くする。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 （もっと読む）

【課題】スループット（単位時間当たりの生産量）を向上させることができる成膜処理装置の提供。
【解決手段】成膜処理装置(1)は、成膜用ガス（N2，SiH4，NH3）を用いて基板(W0)への成膜処理が行われる成膜室(20)と、成膜室(20)に成膜用ガスを導入する成膜ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A〜204C)と、成膜室(20)へ搬送するための基板(W0)が準備されるロードロック室(10)と、成膜室(20)とロードロック室(10)との間を仕切るゲートバルブ(G2)と、ゲートバルブ(G2)を開いて基板(W0)をロードロック室(10)から成膜室(20)へ搬送してゲートバルブ(G2)を閉じるまでの搬送期間に、圧力調整用ガスを成膜室(20)に導入する調整ガス導入手段としてのマスフローコントローラ(204A)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００４において、誘導エネルギー蓄積型のパルス電源１０２８からチャンバの内部に収容された電極対１０１２，１０１６へ直流パルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】マスク板をフィルム表面と接触させずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
円筒部材１２の外周に沿って配置された複数の成膜部は、第一、第二の仕切板２１、２２の間の成膜空間２３を真空排気する真空排気部２４と、成膜空間２３に原料ガスを放出する原料ガス放出部２５と、原料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２６と、第一、第二の仕切板２１、２２に架設され、表面が円筒部材１２の外周側面と対向されたマスク板２７とをそれぞれ有しており、円筒部材１２の外周側面に裏面が密着し、円筒部材１２の回転に伴って、各マスク板２７の開口２８と対面しながら走行するフィルム５１の表面に薄膜を形成する。各成膜空間２３の外側に副ガスを放出する副ガス放出部３１を有し、各マスク板２７の円筒部材１２と対面する部分には排気口３２が形成され、マスク板２７と円筒部材１２との間の気体を排気口３２から排気する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。
【解決手段】この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）