【課題】トランジスターを劣化させるゲート酸化物ラップアラウンド現象を解消する。
【解決手段】
マスク材料は、タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種を含んでいる。開口部が、マスク材料を通って半導体基板内に至るように形成されている。トレンチ分離材料が、分離トレンチを過剰充填する効果量で形成されている。トレンチ分離材料は、マスク材料のタングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種の少なくとも最外側面に至るまで研磨される。タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種は基板からエッチング除去される。 （もっと読む）

本発明は、静止又は移動している基板のための窒化ケイ素薄膜形成装置と、このような薄膜を形成するための方法とを提供する。本発明に係る方法は、薄膜の厚さ及び薄膜の物性の均一性を高めるとともに、薄膜の堆積速度を高める。薄膜の物性は、太陽電池デバイスにおける反射防止層もしくは保護層、又は、薄膜トランジスタにおける誘電体層としての応用に適している。本発明に係る装置は多数の金属フィラメントを備えている。薄膜形成装置内の空間部において、フィラメントを基準にして基板とは反対側に、フィラメントとは予め設定された距離を隔ててガス供給システムが配設されている。静止している基板のための薄膜形成装置は、薄膜形成のための開始条件及び終了条件を制御するとともに、薄膜の厚さを制御するためのシャッターを備えている。
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本発明の基板処理装置は、ウエハ２００を収容する処理室２０１と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給系２３２ａ、２３２ｂと、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気系２３１、２４６と、処理ガスをプラズマ化するため、保護管２７５内に挿抜可能に収容された一対の電極２６９、２７０とを有し、電極２６９、２７０は可撓性の部材で構成され、少なくとも一箇所が屈曲した状態で保護管２７５内に収容される。 （もっと読む）

少なくとも２つの層の誘電体を有する層システムを含むディスプレイ装置用拡散バリアシステムであって、その層システムのうち少なくとも２つの隣接する層は同一の材料を含む。そのような拡散バリアシステムの製造方法であって、プラズマ蒸着システムの単一のプロセスチャンバにおいて、該プロセスチャンバに処理対象の基板を投入し、蒸着中に、制御された態様で、プロセスチャンバにおける少なくとも１つのプロセスパラメータを、そのプロセスパラメータを全く妨害することなく個別に変化させて、各々の変化によって異なる特性を備えた層を生じさせ、最後に該基板を該プロセスチャンバから取出すという工程を有する。
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本発明は、基材表面（１６）をプラズマ処理するための装置（１０）を提供する。本装置は、プラズマを発生させるためのプラズマ源（１２）及びプラズマ制御電極（１４）とを含んで構成される。本装置は更に、プラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）との相対的運動、又はプラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）の基材（１６）に対する相対的運動を行わせるための駆動手段を含んで構成される。プラズマ制御電極（１４）は、基材（１６）に隣接して配置され、基材表面（１６）の制御された処理を容易にするものである。
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窒化シリコン層を形成する方法が記載される。本発明によれば、窒化シリコン層は、シリコンと窒素を含有するソースガス又はシリコン含有ソースガスと窒素含有ソースガスを低堆積温度（例えば、５５０℃未満）で熱分解して窒化シリコン層を形成することにより堆積される。その後、熱的に堆積した窒化シリコン層を水素ラジカルで処理して処理された窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）

マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにＨ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇ／２のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有するようにする（ここで、λｇ：マイクロ波の管内波長）。また、プラズマヘッドにＥ面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλｇのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離ｎ・λｇ／２を有する均一化線路を配置する。 （もっと読む）

処理領域と、基板支持体と、ガス分配システムと、ガス混合領域と、フェースプレートに固定されたアダプタリングを所望の温度に加熱するように配置された加熱素子と、温度制御排気システムとを備えた装置。また、ビス(第三級ブチルアミノ)シランを蒸発させ、ビス(第三級ブチルアミノ)シランとアンモニアを処理チャンバへ流し、アダプタリングと少なくとも２つのブロッカープレーで画成された追加の混合領域を有する２つの反応種を合わせ、アダプタリングを加熱し、ビス(第三級ブチルアミノ)シランをガス分配プレートを通って処理領域に流す方法と装置。 （もっと読む）

基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
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湿式スクラバー又は他の装置との入口パイプ（１４）のためのアタチメント（１０）は、入口パイプのフランジ付端（１２）に着脱自在に連結されるようになった開口端（１８）を有するスリーブ（１６）を含む。シャフト（３０）がスリーブ（１６）内で移動でき、スクレーパ（３４）がシャフト（３０）の一端に取り付けられる。シャフト（３０）は、該シャフト（３０）の他端に取り付けられた空気シリンダ（４０）の一部を成す。使用中、シャフト（３０）を往復移動させてスクレーパ（３４）がパイプ（１４）内に付着した粒状物を取り除く。窒素又は乾燥空気のような加熱ガスをスリーブ（１６）に注入して洗浄液体がスリーブ（１６）内で凝縮するのを防止し、かくして、スリーブ内での粒状物の付着を抑制する。
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アミノ置換ジシラン化合物に基づいた新規な種類の揮発性液体前駆体を用いて、基板の表面上に窒化シリコンの誘電体材料を形成する。この種類の前駆体は、当該技術分野に内在する高い堆積温度の問題及び望ましくない副生成物の形成を克服するものである。別の態様においては、基板上に窒化シリコン膜を堆積させる方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の製造のための低温（例えば＜５５０℃）化学蒸着法によりシリコン含有膜を形成するケイ素前駆体組成物に関する。かかるケイ素前駆体組成物は、少なくとも１個のアルキルヒドラジン官能基と置換され、ハロゲン置換がない、少なくとも１種のシラン誘導体またはジシラン誘導体を含む。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱処理する熱処理装置に関する。熱処理装置(230)は、各ウェーハ(242)の表面を横切る気体流の均一性を改善するための本発明による交差流れライナ(232)を含む。交差流れライナ(232)は、交差流れ注入システム(250)を収容するための長手方向出っ張り部分(232)を含む。交差流れライナ(232)は、それがウェーハキャリア(240)に対して共形であるようなパターン及び大きさにされ、その結果、交差流れライナ(232)とウェーハキャリア(240)との間の隙間を減少させ、ウェーハキャリア(240)とライナ内壁との間の隙間領域の渦及び淀みを減少又は消失させる。
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反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラズマ・チャンバから構成された直線プラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）及びこの直線プラズマ放電開口部の領域内に多重極磁場装置を有するＥＣＲプラズマ源に関する。少なくとも２つの個々の分波器（３，４）が、中心にある分波器として存在する。これらの分波器（３，４）はそれぞれ、部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）内に配置されている。直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）及び多重極磁場装置（１０，１１，３８，３９）が、各部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）に沿って存在する。少なくとも２つの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）が、ＥＣＲプラズマ源の少なくとも１つのプラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）を形成するように、これらの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）は、向き合って配置されている。
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【課題】長い耐用年数にわたって、高い処理量を有し、圧力変動を含む圧力負荷に耐えるとともに、機械的に安定しているメンブランフィルタを提供する。
【解決手段】フィルタエレメントは、複数の穿孔を有するメンブレン層とキャリア層とを有する。 キャリア層において、膜チャンバが露出し、メンブレン層は膜チャンバ上に広がる。メンブレン層は、開始材料の強度よりも高められた強度を有する、圧縮され、且つ／又は少なくとも部分的に結晶性の構造を有する。

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基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理体の表面に、ＳｉＣｌ₄ とＮＨ₃ を原料ガスとして熱ＣＶＤ法によりシリコンナイトライド膜を成膜する。これにより、絶縁性に優れた、しかも、非常に薄い成膜でも膜厚の制御性が良好なシリコンナイトライド膜を形成する。 （もっと読む）