【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金またはサーメットで構成された基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を被覆形成してなる表面被覆切削工具において（ａ）下部層は、０．５〜１５μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、１〜１０μｍの平均層厚を有する、ＡｌとＺｒの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＺｒ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層であり、かつ、該２相混合の複合組織を、組成式：[（Ａｌ_１−ＸＺｒ_Ｘ）_２Ｏ_３]_１−Ｙ（ＶＯ_Ｍ)_Ｙの形で表した場合に、上記組成式におけるＭの値が１．８〜２．３であり、かつ、Ｘの値が０．０４〜０．３１、Ｙの値が０．０４〜０．２０を満足するＡｌとＺｒとＶの含有割合（原子比）からなる、ＡｌとＺｒの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＺｒ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層、前記（ａ）、（ｂ）からなる硬質被覆層を化学蒸着により形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金またはサーメットで構成された基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を被覆形成してなる表面被覆切削工具において（ａ）下部層は、０．５〜１５μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、１〜１０μｍの平均層厚を有する、ＡｌとＴｉの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＴｉ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層であり、かつ、該２相混合の複合組織を、組成式：[（Ａｌ_１−ＸＴｉ_Ｘ）_２Ｏ_３]_１−Ｙ（ＶＯ_Ｍ)_Ｙの形で表した場合に、上記組成式におけるＭの値が１．８〜２．３であり、かつ、Ｘの値が０．０６〜０．３３、Ｙの値が０．０３〜０．２を満足するＡｌとＴｉとＶの含有割合（原子比）からなる、ＡｌとＴｉの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＴｉ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層、前記（ａ）、（ｂ）からなる硬質被覆層を化学蒸着により形成してなる。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金またはサーメットで構成された基体の表面に、下部層と上部層からなる硬質被覆層を被覆形成してなる表面被覆切削工具において（ａ）下部層は、０．５〜１５μｍの合計平均層厚を有するＴｉ化合物層、（ｂ）上部層は、１〜１０μｍの平均層厚を有する、ＡｌとＣｒの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＣｒ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層であり、かつ、該２相混合の複合組織を、組成式：[（Ａｌ_１−ＸＣｒ_Ｘ）_２Ｏ_３]_１−Ｙ（ＶＯ_Ｍ)_Ｙの形で表した場合に、上記組成式におけるＭの値が１．８〜２．３であり、かつ、Ｘの値が０．０５〜０．３５、Ｙの値が０．０３〜０．２を満足するＡｌとＣｒとＶの含有割合（原子比）からなる、ＡｌとＣｒの複合酸化物（Ａｌ_１−ＸＣｒ_Ｘ）_２Ｏ_３と酸化バナジウムＶＯ_Ｍの少なくとも２相混合の複合組織層、前記（ａ）、（ｂ）からなる硬質被覆層を化学蒸着により形成してなる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタにおけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法を
提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１０上にキャパシタ６０
の下部電極２０を形成する工程と、（Ｂ）上記（Ａ）工程の後、原子層蒸着装置内で、少
なくとも下部電極２０を含む下地層１に対して熱処理を行う工程と、（Ｃ）上記（Ｂ）工
程に続いて、原子層蒸着装置のチャンバを大気開放することなく、原子層蒸着法によって
下地層１上に誘電膜４０を形成する工程と、（Ｄ）誘電膜４０上にキャパシタ６０の上部
電極５０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で耐チッピング性を発揮する被覆切削チップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層としてＴｉ化合物層、上部層としてα型Ａｌ₂Ｏ₃層、の硬質被覆層を蒸着形成してなり、工具本体にクランプ駒による挟み締めにより取り付けられる穴なし被覆切削チップにおいて、前記上部層の全面に、組成式：ＴｉＯ_X 、で表わした場合、Ｘ：原子比で１．２〜１．７、を満足する酸化チタン層からなる下側層と、組成式：ＴｉＮ_1-Y（Ｏ）_Y、で表わした場合（ただし、（Ｏ）は前記酸化チタン層からの拡散酸素を示す）、Ｙ：原子比で０．０１〜０．４、を満足する窒酸化チタン層からなる上側層で構成された研磨材層を蒸着形成した状態で、ウエットブラストにて、ＳｉＣ微粒を配合した研磨液を噴射し、前記クランプ駒当接面部分の研磨材層を残して、前記α型Ａｌ₂Ｏ₃層の表面を研磨して、その表面粗さをＲａ：０．２μｍ以下としてなる。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物に不純物として含まれる副生成物を低減できる。
【解決手段】副生成物を不純物として含む有機金属化合物を有機溶媒に溶解して第１溶解液を調製し、第１溶解液の溶媒と同一種類の溶媒を第１移動相として第１分離カラムに通過させ、第１移動相の通過に随伴して第１溶解液を第１分離カラムに供給して第１溶解液中の化合物成分を分子量の大きさごとに分離し、分離した各成分を分取する。分取した成分のうち、その分子量が有機金属化合物に相当する成分を濃縮乾燥する。得られた固形分を第１溶解液の溶媒と同一又は異なる種類の溶媒に溶解して第２溶解液を調製し、第２溶解液の溶媒と同一種類の溶媒を第２移動相として第２分離カラムに通過させ、第２移動相の通過に随伴して第２溶解液を酸素ガスとともに第２分離カラムに供給して第２溶解液中に含まれる化合物成分を分子量の大きさごとに分離し、分離した各成分を分取する。 （もっと読む）

【課題】 ポリアミド系樹脂フィルムと有機含有酸化珪素層との密接着性に優れていると共に酸素ガス、水蒸気等の透過を阻止するガスバリア性に優れ、特に、レトルト・ボイル等の加熱殺菌処理等の熱処理加工に対しても、ガスバリア性の劣化が少なく、更に、透明性に優れたバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供する。
【解決手段】 二軸延伸ポリアミド系樹脂フィルム１の一方の面に、有機含有酸化珪素層２を設け、更に、該有機含有酸化珪素層の上に、一般式Ｒ¹ _n Ｍ（ＯＲ² ）_m（ただし、式中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｍ、ｎ、ｍの意味については略す。）で表される少なくとも１種以上のアルコキシドと、ポリビニルアルコ−ル系樹脂及び／又はエチレン・ビニルアルコ−ル共重合体とを含有し、更に、ゾルゲル法によって重縮合して得られるガスバリア性組成物によるガスバリア性塗布膜３を設けることを特徴とするバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 大気圧または大気圧近傍の圧力で酸化物膜を形成する際に発生するクラックの問題を解決し、また生産性や絶縁特性に優れた酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 大気圧プラズマＣＶＤによる酸化物膜の形成方法であって、前記酸化物膜の金属成分を含む有機金属系化合物ガスと、プラズマを発生させ膜成分となる酸素を主成分とする動作ガスを供給するＡ工程と、前記有機金属系化合物ガスの供給を止め、前記動作ガスのみを供給するＢ工程を繰り返し行うことにより基板上に酸化物膜を形成する酸化物膜の形成方法であり、前術のＡ工程とＢ工程を繰り返し行うことにより、基板上に形成された酸化物膜中のＣ量を原子量で２％以下にすることができる。 （もっと読む）

加熱された基材上にナノ粒子薄膜もしくはナノコンポジット薄膜を製造するためのエアロゾル輸送操作の使用。 （もっと読む）

【課題】酸素ガス雰囲気下で粗生成物を処理することにより、粗生成物中に含まれる副生成物を低減でき、ＭＯＣＶＤ法で原料として使用したときに、高い成長速度が得られ、優れた気化安定性及び長期成膜安定性を有し、成膜室への汚染を抑えることができ、形成する膜の段差被覆性に優れた、純度の高い有機金属化合物を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機金属化合物の製造方法は、金属含有物と配位子前駆体とを有機溶媒の存在下で反応させて有機金属化合物、副生成物及び残渣分を含む粗生成物を得る工程と、得られた粗生成物から残渣分及び有機溶媒を除去して濃縮する工程と、濃縮物を酸素ガス雰囲気下、１３０〜１５０℃で処理する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外光下のみならず可視光下における光触媒活性も十分に発揮し、そのような可視光応答型光触媒膜を簡便に製造する。
【解決手段】可視光応答型光触媒膜は、二酸化チタンに３〜７重量％の炭素が含有された炭素ドープアナターゼ型二酸化チタンからなり、かつその膜厚は５０〜１０００ｎｍである。その製造方法は、チタン有機錯体化合物を揮発させてガス状とする工程と、ガス状としたチタン有機錯体化合物を３５０〜７００℃に加熱してそのチタン有機錯体化合物を熱分解酸化させて３〜７重量％の炭素を含有する炭素ドープアナターゼ型二酸化チタンからなる膜厚５０〜１０００ｎｍの光触媒膜を得る工程とを有する。炭素ドープアナターゼ型二酸化チタンからなる光触媒膜は、大気開放型化学気相析出法によって成膜されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ラジカル処理においてラジカルフラックスを広範囲かつ精密に制御することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。第１のガス排気手段１０６ａは、ガス導入手段１０５よりもラジカル生成領域１１１の側に設けられる。第２のガス排気手段１０６ｂは、ガス導入手段１０５よりも被処理基体支持体１０３の側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有し、かつ膜強度を保持し得る多孔質光触媒膜を提供する。
【解決手段】本発明の多孔質光触媒膜は、アナターゼ型二酸化チタンを７０〜１００重量％含む多孔質光触媒膜の改良であり、その特徴ある構成は、アナターゼ型二酸化チタンが二酸化チタンに３〜７重量％の炭素を含有した炭素ドープ二酸化チタンであり、０．１〜１０μｍの範囲内の膜厚に形成され、かつ気孔率が５０〜８０％であるところにある。本発明の多孔質光触媒膜は、大気開放型化学気相析出法によって成膜することが好ましく、比表面積は１００〜１０００ｍ²／ｇの範囲内に規定することが好ましい。また、膜表層に連通する開気孔のうち、孔径１〜１０００ｎｍの細孔における細孔表面積が全細孔表面積の５０％以上を占めることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する回転切削工具用スローアウエイチップを提供する。
【解決手段】チップ基体の表面に、下部層がＴｉ化合物層、上部層がＡｌ_２Ｏ_３層、の硬質被覆層を形成してなる回転切削工具用スローアウエイチップにおいて、前記Ｔｉ化合物層のうちの１層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、前記結晶粒の結晶面である｛１１２｝面の法線がなす傾斜角を測定し、前記測定傾斜角のうち、０〜４５度の範囲内にある測定傾斜角を０．２５度のピッチ毎に区分すると共に、各区分内に存在する度数を集計してなる傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度および２５〜３５度の範囲内の傾斜角区分にピークが存在すると共に、前記０〜１０度および２５〜３５度の範囲内に存在する度数の合計がそれぞれ３５〜４５％、を占める傾斜角度数分布グラフを示す改質ＴｉＣＮ層、で構成する。 （もっと読む）

【課題】広範囲のラジカルフラックスを容易に制御することができる処理装置を提供する。
【解決手段】第１の処理室１０１ａは、ラジカル生成手段１０８が設けられ、ラジカルをラジカル発生領域１１１にて発生する室、第２の処理室１０１ｂは第１の処理室１０１ａに連通路１２０を介して連通され、連通路１２０をラジカルが通過して導入され、被処理基体１０２を収容しラジカル処理する室である。ガス導入手段１０５から第１の処理室１０１ａに導入され、連通路１２０を通過して第２の処理室１０１ｂに導入された処理用ガスは支持手段１０３表面近傍を通過する。ラジカルの運動エネルギー制御手段１０９はラジカルが導入される連通路１２０に設けられる （もっと読む）

本発明は一般的に、基板の電気的絶縁表面の上に電気相互接続特徴部などの金属化特徴部を選択的に形成するための装置および方法を提供する。本発明はまた、画成されたパターンの上または形状適合ブランケットフィルムとして、機械的に堅牢であり、接着性があり、別個または全面的な酸化耐性のある導電層を選択的に形成する方法を提供する。実施形態はまた、電気化学または無電解によってめっき可能なルテニウムを含有する接着および開始層を提供するための新たな化学作用、処理および装置を一般的に提供する。本発明の態様は、フラットパネルディスプレイ処理、半導体処理または太陽電池デバイス処理のために使用されてもよい。本明細書に記載される処理は、ラインサイズが半導体デバイスより一般的に大きい基板または形成される特徴部が密でない基板の上に電気相互接続部を形成するために特に有用である可能性がある。 （もっと読む）

本発明は、加工物、特に中空体加工物のプラズマ処理の方法に関する。この方法によれば、反応室内で処理区域が少なくとも部分的に排気され、処理区域内、特に加工物の中空体内にプロセスガスが導入され、放射される電磁エネルギーを用いて処理区域に導入されたプロセスガスでプラズマが点火される。本発明は、プラズマ処理中に、処理区域の両端間を通ってプロセスガスが流れることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＥＬ素子の絶縁層において、ＴｉＯ₂膜を含む積層膜としてＡＴＯ膜を用いることなく、適切に絶縁性を確保する。
【解決手段】 絶縁性基板１上に第１の電極２、第１の絶縁層３、発光層４、第２の絶縁層５および第２の電極６が順次積層されてなるＥＬ素子１００において、第１および第２の絶縁層３、５の少なくとも一方が、ＨｆＯ₂膜とＴｉＯ₂膜とを交互に積層してなるＨｆＯ₂／ＴｉＯ₂積層構造膜からなり、このＨｆＯ₂／ＴｉＯ₂積層構造膜の総膜厚に対するＴｉＯ₂膜の総膜厚の比が、０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、即ち、低い融点を有し、且つ水分、空気及び熱に対しての安定性に優れ、ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したアルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体（例えば、周期律表第IVA族の金属原子を中心金属とする金属錯体）を提供するものである。又、本発明の課題は、当該金属錯体を用いた金属含有薄膜（例えば、周期律表第IVA族の金属の含有薄膜）の製法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナト及びアルコキシを配位子とする金属錯体によって解決される。本発明の課題は、又、該金属錯体を金属供給源として用いた、化学気相蒸着法による金属含有薄膜の製法によっても解決される。 （もっと読む）

【課題】１０Å以下のＥＯＴを有し、漏れ電流の特性に優れたナノ混合の誘電膜、それを有するキャパシタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタの誘電膜は、ＺｒＯ_２及びＴｉＯ_２が、ナノ混合の状態に混ざり合ったナノ混合の誘電膜を備え、キャパシタは、下部電極と、該下部電極上にＺｒＯ_２及びＴｉＯ_２がナノ混合の状態に混ざり合って形成されたナノ混合の誘電膜と、該ナノ混合の誘電膜上の上部電極とを備え、キャパシタの誘電膜の製造方法は、原子層蒸着法を用いて、[ＺｒＯ_２蒸着サイクル]及び[ＴｉＯ_２蒸着サイクル]をそれぞれｍ回及びｎ回反復して行い、ＺｒＯ_２及びＴｉＯ_２が、ナノ混合の状態に混ざり合ったナノ混合の誘電膜を形成するステップと、前記ナノ混合の誘電膜を緻密化するステップとを含む。 （もっと読む）