【課題】所望の腐食性の高い薬品に対して耐食性を示す基体を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面層がチタン、チタン合金、チタン合金酸化物又は酸化チタンからなる基体の表面に炭化水素を主成分とするガスの燃焼炎を直接当てて該基体の表面温度を５５０〜１１００℃の範囲内で所定温度に制御して加熱処理するか、又は該基体の表面をその表面温度を５５０〜１１００℃の範囲内で所定温度に制御した状態で炭化水素を主成分とするガスの燃焼ガス雰囲気中で加熱処理して炭素ドープ酸化チタン層を形成することにより、表面の耐食性を制御して所望の薬品環境に対して耐食性を有する基体を製造する。 （もっと読む）

本発明は、金属機械加工用の工具およびその製法に関し、該工具は、超硬合金、サーメット、セラミックス、または超硬質材料の基材、およびコーティングを含み、該コーティングは、内側アルミナ層および外側チタンホウ窒化物層を含み、ここで前記層が、アルミナ層以外の酸化物層を含む一以上の層によって分離されている。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜を良好にパターニングすることが可能な金属酸化物膜の形成方法を提供する。
【解決手段】酸化チタン膜３の形成方法は、基材１上に、基材１の一部表面を選択的に露出させるために銅を主成分とするメタルマスク２を形成するステップと、メタルマスク２上と露出された基材１の一部表面上とにＣＶＤ法によって酸化チタン膜３を形成するステップと、メタルマスク２上に形成された酸化チタン膜３を剥離によって除去するステップと、酸化チタン膜３を剥離した後、メタルマスク２を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】連続して広幅基材の表面の均質な改質処理が出来るプラズマ放電処理装置の提供。
【解決手段】対向して設けられた第１の電極と第２の電極を有し、前記第１の電極と第２の電極の間に形成される放電部に、基材を通過させて、前記基材表面を処理するプラズマ放電処理装置において、前記第１の電極に対して非接触で設けられた給電部材と、前記第２の電極に対して非接触で設けられたアース部材とを有し、前記第１の電極は前記給電部材に対して、且つ、前記第２の電極は前記アース部材に対して移動可能に構成されていることを特徴とするプラズマ放電処理装置。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧及び高い熱安定性を持ち、チタン含有薄膜を製造するための優れた原料となる新規なチタン錯体、該錯体を用いた薄膜の製法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｒ^１及びＲ^４は各々独立に炭素数１から１６のアルキル基を示す。Ｒ^２及びＲ^３は各々独立に水素原子又は炭素数１から３のアルキル基を示す。Ｒ^５はフッ素原子で置換されていても良い炭素数１から１６のアルキル基を示す。）で表されるチタン錯体を製造し、それを用いてチタン含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

太陽光による劣化に対して高い耐性を有する、乾式蒸着法を用いて、ＴｉＯ_２またはＺｎＯの透明の薄膜にて被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の物品であって、これらは、低い光触媒作用を有するか、または光触媒作用を有さないＴｉＯ_２および／またはＺｎＯの透明の薄膜で被覆された石骨材から製造された石板状または敷石状の形態であり、上記膜は乾式蒸着法、物理気相成長法（ＰＶＤ）またはプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって蒸着されている。上記の物品は、太陽光による劣化に対して高い耐性を有している。これは、得られた材料が外部環境に適していることを意味する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性に優れたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に、有機領域と無機領域を含むバリア層を有し、かつ、有機領域が設けられた側の最表面（有機領域が両面に設けられている場合は、少なくとも一方の面の最外層）が接着層であるガスバリアフィルムで、そのバリア層が、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有する。接着層は、紫外線硬化型接着剤または熱硬化型接着剤である。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

基材上に無機又はハイブリッド有機／無機バリア層を形成するための方法。この方法は、蒸発させた金属アルコキシドを基材上に凝縮させて基材の上に層を形成する工程と、この凝縮した金属アルコキシド層を水と接触させてこの層を硬化させる工程とを含む。
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【課題】大きな誘電率とリーク電流の抑制の両立が可能なキャパシタ用絶縁膜を提供する。
【解決手段】電極１、２の間に絶縁膜３が挟まれた構造からなるキャパシタ素子において、キャパシタ用絶縁膜３は酸化アルミニウム膜と二酸化チタン膜が交互に積層された積層構造を有し、前記二酸化チタン膜は、ルチル結晶構造を有し、前記酸化アルミニウム膜は、そのトータルの膜厚の比率が、前記積層構造の総膜厚に対して３〜８％である、キャパシタ用絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】２個以上の光学材料が接着剤を用いることなく接合された接合光学部品とその製造方法を提供すること。
【解決手段】２個以上の光学材料（Ｎｄ：ＹＡＧ結晶とＹＡＧ結晶）１とこれ等光学材料間に設けられ材料間の反射を防止する誘電体多層膜２とを具備した特定波長域を透過させる接合光学部品であって、光学材料とその両面に原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜とで構成される２個以上の誘電体多層膜構造体10がその誘電体多層膜を介し直接接合されて成ることを特徴とする。また、接合光学部品の製造方法は、光学材料の両面にＡＬＤ法により両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜を同時に成膜して誘電体多層膜構造体を製造し、得られた２個以上の誘電体多層膜構造体をその誘電体多層膜を介し直接接合して接合光学部品を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法を提供する。
【解決手段】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法であって、金属ケトイミネートを堆積チャンバーに導入し、該金属ケトイミネートを加熱基材上に堆積させる工程、該堆積チャンバーをパージして未反応の金属ケトイミネートと任意の副生成物を除去する工程、酸素含有源を該加熱基材に導入する工程、該堆積チャンバーをパージして任意の未反応の化学物質と副生成物を除去する工程、及び所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程を含む循環堆積法が提供される。 （もっと読む）

【課題】膜応力がバランスして反りの発生を低減できかつ１枚の基板に対する膜層数も大幅に低減された誘電体多層膜ミラーを提供すること。
【解決手段】特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。また、このミラーの製造方法は、原子層堆積（ＡＬＤ）法により基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２を同時に成膜して誘電体多層膜構造体10を製造し、得られた２枚以上の誘電体多層膜構造体を接合して誘電体多層膜ミラーを製造することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ放電処理装置１０を用いる薄膜形成方法により、第１電極１１から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_１、第２電極１２から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_２、放電開始電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＩＶとしたとき、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２なる関係を有し、第２電極から印加する高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であり、かつ前記放電空間に供給される全ガス量の９０〜９９．９体積％が放電ガスである高周波電界を印加して薄膜を形成させる。 （もっと読む）

追加の生成ステップを含まずに、PECVDによりパターン化されたコーティングを生成する方法について本明細書に説明する。直接蒸着により表面上にモス・アイ状のマクロ構造を生成する方法を提案する。加えて、生成されるマクロ構造は、サブ波長域において表面テクスチャを有する微細構造により調整されうる。結果として、光学的に透明な材料から成るキャリア層を備える保護・反射防止コーティングであって、少なくとも一表面側において、表面の照射入射の光波長に対して反射防止特性を提示するコーティングが生成可能であり、また、超疎水性表面特性をベースとする表面構造も生成可能である。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）上部層として、平板多角形（平坦六角形状を含む）状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有し、Ｚｒを含有するα型Ａｌ_２Ｏ_３を蒸着形成した表面被覆切削工具において、上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上にチタン酸ストロンチウムまたはチタン酸ストロンチウムバリウムの薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、薄膜を形成する工程は、基板上に二酸化チタンの層を数層形成する工程と、数層形成した二酸化チタンの層の上に酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜、または酸化バリウムと酸化ストロンチウムと二酸化チタンとを含む積層膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供する。
【解決手段】 コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気部３７と、各排気部３７の外側に形成され、原料ガスを排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７と、を有する大気圧熱ＣＶＤ装置１の膜厚調整方法であって、コンベア７を停止した状態で試験基板５１に膜を製膜する停止製膜工程と、膜について、コンベア７の搬送方向Ｌにおけるノズル３９の中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、均一性が所定の範囲に収まるように各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回転電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、パーティクルの発生を抑制することができ、しかも、パーティクルの混入がほとんどない高品質の薄膜を、高い成膜速度で成膜することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】成膜対象基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極に電力を供給することで、この回転電極と成膜対象基板との間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスの化学反応により成膜対象基板に薄膜を形成する薄膜形成装置において、回転電極の回転により回転電極の表面に引きずられて、間隙のプラズマ生成領域を、回転電極の表面に沿って移動する不活性ガスの流れを形成するために、回転電極の表面に前記不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、不活性ガスの流れと成膜対象基板との間に反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを設ける。 （もっと読む）