【課題】大気圧近傍の圧力雰囲気の条件下、プラズマを用いて基板に薄膜を形成する際、電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、反応ガスが反応してできるパーティクルを抑制することができ、しかも均質な薄膜を安定して形成する。
【解決手段】基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極１２に電力を供給することで、この回転電極１２と基板Ｓとの間の間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスＧを活性化させて基板Ｓに薄膜を形成させる際、回転電極１２には、周波数が１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像素子用カバー部材について、α線の放射量を少なくでき、さらに欠陥（異物）による画像不良の問題も少なくできる薄膜形成方法、固体撮像素子用カバー部材の製造方法、およびその製造方法により製造されたカバー部材と固体撮像素子とを備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】有機金属材料を原料とするＣＶＤ法により、固体撮像素子に対向するカバー部材表面に光学薄膜を形成する。この方法により得られた光学薄膜は、α線放射量が少ないだけでなく、カバー部材本体からのα線も遮蔽する。 （もっと読む）

導電性基材上にメソ多孔質ナノ粒子層をパターン形成する方法であって、前記導電性基材上にパターンを堆積させる工程、前記基材上に原子層堆積により二酸化チタン層を堆積させる工程、下側のパターンを溶剤により除去して二酸化チタンの不連続領域を残す工程、前記基材全体にわたってメソ多孔質ナノ粒子層を堆積させる工程、及び前記メソ多孔質ナノ粒子層の上方に原子層堆積により第２の二酸化チタン層を堆積させることにより第１の二酸化チタン層が溶剤により除去された前記領域上のメソ多孔質ナノ粒子層及び第２の二酸化チタン層の領域を脱落させて、パターン化されたメソ多孔質ナノ粒子層を残す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】６０ｎｍ以降、特に４５ｎｍレベルのＤＲＡＭキャパシタの量産に対応可能で、誘電率が高く、かつリーク電流の少ない誘電体膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】上部電極５０１及び下部電極５０４間に誘電体膜を介在させてなる半導体装置のキャパシタにおいて、該キャパシタの誘電体膜は、酸化ハフニウム５０２と酸化チタン５０３を交互に原子層レベルで積層した膜を含むことを特徴とし、特にＨｆ／（Ｈｆ＋Ｔｉ）＝１０〜４５ａｔｏｍｉｃ％となる組成比で積層し、４００〜６００℃で高速熱処理した膜である。 （もっと読む）

原子層成長によるチタン含有膜の形成方法を提供する。この方法は少なくとも一種の前駆体を基板に供給することを含み、少なくとも一種の前駆体は構造が式Ｉ（式中、ＲはＣ_１−Ｃ_６アルキルであり、ｎは０、１、２、３、４または５であり、ＬはＣ_１−Ｃ_６アルコキシ又はアミノであり、かつアミノは独立してＣ_１−Ｃ_６アルキルによって１又は２置換されていてもよい）に対応する。

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組合せ処理チャンバおよび方法が提供される。その方法においては、流体ボリュームが基板の表面上を流れ、基板の分離領域が、隣接する領域が曝される構成成分とは異なる構成成分の混合物に同時に曝されるようにするために、流体ボリュームの異なる部分が、異なる構成成分を有する。基板の表面上に流体ボリュームを複数回流すことにより、異なる方法で処理された分離領域が生成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成用ガスを有効利用する。
【解決手段】電極基板４に形成された複数の貫通孔６を介して被処理物２の表面にプラズマ生成用ガスを直接供給する。これにより、被処理物２の表面処理に必要な量だけのプラズマ生成用ガスを供給することにより、プラズマ生成用ガスを有効利用し、プラズマ生成用ガスの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセスによって作製される金属酸化物被膜の均一性を高めるための方法に関する。ハロゲン化金属含有前駆体と酸素含有前駆体（好ましくは水）の交互パルスを使用し、必要に応じてパージすることによって層が作製される。酸素含有前駆体のパルス後に改質剤のパルスを導入すると、層の均一性に好ましい効果（一般には、特に密に配置された基板を含むアプリケーションにおいて勾配を示す）を与える。特に、層厚さの均一性が改善される。本発明によれば、１〜３個の炭素原子を有するアルコールを改質剤として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を導波させる導波管の両側でプラズマ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マイクロ波の腹の位置に対応して配置されたスリット１３ａ、１３ｂを導波管１２の両面にそれぞれ設け、ガス導入管１７ａ、１７ｂを介してチャンバ１１内にプロセスガスを導入し、マイクロ波を導波管１２内に導波させ、スリット１３ａ、１３ｂをそれぞれ介してマイクロ波を導波管１２の両側から放射させることにより、導波管１２の両側に表面波プラズマを発生させ、基板１８ａ、１８ｂのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電率膜などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜を成膜するにあたり、ガスを基板の表面から均等に排気すると共に、大量のガスが供給された場合でも、ガスの流れの乱れを抑えて速やかに排気すること。
【解決手段】基板に対向するように設けられたシャワーヘッドから、処理ガスや処理容器内の処理雰囲気を置換するためのパージガスを供給して、このガスを載置台を囲むように形成されたリング状の排気空間を介して、処理容器の下面に周方向に等間隔に４カ所以上設けられた排気口から排気する。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い層であっても層の傾斜が経済的で、手早く正確に調整できる方法を提供する。
【解決手段】層を製造するプラズマＣＶＤ法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも１つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスＣＶＤ法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する；さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも１つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップ。 （もっと読む）

【課題】４００℃よりも低温のプロセスで薄膜を改質する。
【解決手段】ＣＶＤ工程を経た基板の薄膜をアニール処理炉２にて前記基板の薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記薄膜の欠陥サイトでの紫外光の吸収による局所加熱を利用する。前記紫外光を照射する光源６はパルスレーザーまたは連続波レーザーである。前記薄膜の改質の際には紫外波長域以外の可視光域の光を発する光源の照射光が前記薄膜に供されるようにしてもよい。前記紫外光を照射する光源６は２１０ｎｍより長波長の光を照射する。ボンベ３からは酸化性ガスが、ボンベ４からは還元性ガスが、ボンベ５からは不活性ガスが個別に供される雰囲気のもと前記薄膜を薄膜の紫外光吸収による表面加熱を利用して改質する。前記酸化性ガスとしてオゾンガスが供される。前記還元性ガスとして希釈水素ガスが供される。 （もっと読む）

【課題】反射膜と透光膜の適切な組合せにより、これらの成膜条件の変更に基づいて、様々な色相を呈することができる反射体および反射体の製造方法を提供する。
【解決手段】反射体Ｒは、基板２０と、基板２０上の窒化チタンからなる反射膜２２と、反射膜２２上の酸化チタンからなる透光膜２３と、を備え、透光膜２３の厚み、窒化チタンの組成割合、および、酸化チタンの組成割合、に基づいて、反射膜２２により反射される光の色相を変更可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】異なる金属酸化膜を複数積層させてなる絶縁膜について、当該絶縁膜の誘電率を高めることができる絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、第１の電極１２を形成し、その上に、酸化アルミニウム膜と酸化チタン膜とが積層された積層膜よりなる絶縁膜１３を形成した後、この絶縁膜１３に対して、当該絶縁膜１３の透過率が１０〜８０％になる波長を持つレーザーＬを照射する。それにより、絶縁膜１３の容量を大きくし誘電率を高める。 （もっと読む）

【課題】ヘッドに対する耐磨耗性の低下や特性低下が少なく、保護層のカバレッジ性の低下による磁気記録層からの金属溶出、耐腐食性低下の少ない磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターンが形成された磁気記録媒体にＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法およびディスク基板上に情報を記録する磁気記録層と記録機能をもたない溝部が交互に配列してなる凹凸パターン形状を有し、さらに該凹凸パターン形状の上に保護層を有する磁気記録媒体において、前記保護層がＡＬＤ法を用いてＡＬＤ保護層からなることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】蛍光体層と基板とを隔離するパリレン層を有することにより、蛍光体による基板の腐食を防止すると共に、パリレン層と蛍光体層との密着性が高く、耐久性に優れた放射線画像変換パネルを提供する。
【解決手段】パリレン層と蛍光体層との間に、酸化硅素や酸化ジルコニウム等の所定の酸化物からなる酸化物層を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段１０８と誘電体窓１０７の間に絶縁されたラジオ波電極１１４を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法。
【解決手段】反応チャンバに金属元素及びリガンドを含む第１反応物を注入して基板上に第１反応物を化学吸着させ、不活性ガスでパージして物理吸着された第１反応物を除去し、水酸化基を含まない第２反応物を注入して第１反応物と第２反応物との化学反応によって、第２反応物の酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離して化学吸着された第１反応物を金属−酸素原子層とし、不活性ガスでパージして物理吸着された第２反応物を除去し、第３反応物を注入して化学吸着された第１反応物の残余分と第３反応物との化学反応によって第３反応物の構成要素である酸素と金属元素が結合し、第１反応物からリガンドを分離することにより化学吸着された第１反応物の残余分を金属−酸素原子層として、水酸化基の生成が抑止された状態で原子層単位の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ法及びＰＩＣＶＤ法を含むＣＶＤ法の場合において、不純物のない、可能な限り時間的、かつ、定量的に正確な、標的となる層系用のプロセスガスを供給するコーティングシステム及びコーティング方法、並びにコーティングされた物品を提供する。
【解決手段】プロセスガスをガス混合点１１に交互に導入し、他のガスと混合し、反応室７に導き、反応室でプラズマを生成することによって堆積が行われる、物品を交互層でコーティングするコーティングシステム１及び方法。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な位相格子型の光学波長板を得る。
【解決手段】誘電体基板である石英ウエハ上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１の誘電体媒質としてＳｉＯ₂膜の成膜を開始する（ステップＳ１）。ＳｉＯ₂膜を成膜開始後に、このＳｉＯ₂膜上にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂から成る誘電体混合膜を成膜する（ステップＳ２）。そして、この誘電体混合中のＴｉＯ₂の割合が１００％となった状態において、所定の膜厚に至るまで第２の誘電体媒質であるＴｉＯ₂膜を成膜する（ステップＳ３）。ＴｉＯ₂膜上にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂から成る誘電体混合膜を成膜し、徐々にＳｉＯ₂の割合を増加させ、表面において第１の誘電体媒質としてＳｉＯ₂の割合を１００％とする（ステップＳ４）。最後に、ステップＳ４で得られたＳｉＯ₂とＴｉＯ₂の混合膜にフォトリソグラフィプロセスによりレリーフ状格子を形成する（ステップＳ５）。 （もっと読む）