連続したプラズマ強化プロセスにおいてウェブ材料を処理するための装置を提供する。当該装置は真空チャンバ（１）を含み、真空チャンバ（１）は、チャンバ（１）内に配置されチャンバ（１）内で一定の減圧を維持するための手段（２）を備え、当該装置はさらに、ウェブ（４）を支持しかつ搬送するための回転ドラム（３）と、ドラム（３）によって支持および搬送されるウェブ（４）に面するマグネトロン手段と、ドラムとマグネトロン手段との間におけるプラズマが維持される空間（１０）にプロセスガスまたはプロセスガス混合物を供給するためのガス供給手段とを含む。マグネトロン手段は、互いに平行に並んで配置される長方形のマグネトロン面を備えた複数の独立したマグネトロン電極（６）を含む。各マグネトロン電極（６）は、それ自体の電源手段（７）によって交流電圧が個々に供給される。ドラム（３）は電気的に接地されるか、浮遊するかまたは負にバイアスがかけられる。当該装置は、プラズマ強化化学気相成長プロセスで可撓性のあるウェブ（４）をコーティングするのに特に好適であり、たとえばそのバリア特性を向上させるために酸化珪素でポリマー膜のウェブをコーティングするのに好適である。当該装置は極めて一定の品質を有する信頼性の高いコーティングで作られ、単純な態様で実行可能なメンテナンスを少ししか必要としない。
（もっと読む）

【課題】 薄膜太陽電池に好適に用いられる透明導電膜つき基板において、好ましい凹凸形状をもつ基板を得る。
【解決手段】 透明導電膜の凹凸形状においては、その凹凸形状の凸部の頂上が略部分球面からなり、明瞭な稜線が見られない凹凸形状を透明導電膜が好ましい。その凹凸形状は、ピラミッド状の凸状突起群をもつ透明導電膜として、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を作製し、その凸状突起群を遊離砥粒で適切に研磨することによって製造する。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
（もっと読む）

本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。 （もっと読む）

本発明は、静止又は移動している基板のための窒化ケイ素薄膜形成装置と、このような薄膜を形成するための方法とを提供する。本発明に係る方法は、薄膜の厚さ及び薄膜の物性の均一性を高めるとともに、薄膜の堆積速度を高める。薄膜の物性は、太陽電池デバイスにおける反射防止層もしくは保護層、又は、薄膜トランジスタにおける誘電体層としての応用に適している。本発明に係る装置は多数の金属フィラメントを備えている。薄膜形成装置内の空間部において、フィラメントを基準にして基板とは反対側に、フィラメントとは予め設定された距離を隔ててガス供給システムが配設されている。静止している基板のための薄膜形成装置は、薄膜形成のための開始条件及び終了条件を制御するとともに、薄膜の厚さを制御するためのシャッターを備えている。
（もっと読む）

【課題】酸化アルミニウム被膜をCVD法によりガラス基板上に形成する過程において、被膜形成を高速かつ均一に行うことができる製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム前駆体とカルボン酸エステルを含む流体混合物を高温の基板の表面上に接触させることにより、酸化アルミニウム被膜を基板に蒸着する。 （もっと読む）

MOCVD装置及び方法は、増大した電流容量を持つ多層のHTSコートテープを製造するためのものであり、多数液体前駆体ソースを含み、その各々は、関連するポンプ及び蒸気化器を持ち、その出口は、MOCVD反応炉内の多数区画シャワーヘッド装置を供給する。多数区画シャワーヘッド装置は、堆積ゾーン内にともに多数の堆積セクターを定義する関連する基板ヒータに最も近接して位置している。
（もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、見た目に美しい金色の外観を有するコーティングされたガラス製品を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ガラス製品上に酸化鉄コーティングを施す方法を定める。製品は、建築用グレイジングとして用いられるのが好ましい。上記方法には、コーティングが蒸着される表面を有する加熱ガラス基材を供給する過程が含まれる。コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って、フェロセン及びオキシダントが送り出され、フェロセン及びオキシダントはガラス基材の表面またはその付近で反応して酸化鉄コーティングを形成する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板（３）、特にガラス基板をコーティングするために用いられる少なくとも１つのプロセスチャンバー（７）をクリーニングする方法および装置に関する。この発明によれば、少なくとも１つのプロセスチャンバー（７）は、コーティングプロセスの前に、調整パージガス（１５）によって洗い流される。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）

化学蒸着法を用いて炭化ケイ素リングを製造するための改良方法。円筒状管を蒸着基板として用い、円筒状管の内面若しくは円筒状マンドレルの外面又は両方に蒸着した結果として生じる材料をスライス又は切断して所望のリング寸法及び形状にする。結果として生じるリングは、完成品に対して実質的に平坦に配向する結晶成長を有する。また、本発明は、窒素ドープ化炭化ケイ素材料、並びに炭化ケイ素構造体の平面に対して、及び互いに実質的に平行な結晶粒成長軸を有し、さらに結晶粒の結晶粒成長軸に対して実質的にランダムである回転配向を有する炭化ケイ素構造体にも関する。

（もっと読む）

本発明は、薄い膜厚でも高い表面凹凸を有する透明導電膜を有する透明基体を提供する。本発明の製造方法は、透明基体上に金属化合物、酸化原料および塩化水素を含有する原料ガスを供給し、熱分解酸化法によって透明基体上に結晶性金属酸化物を主成分とする透明導電膜を形成する工程を含み、上記工程が、原料ガスにおける金属化合物に対する塩化水素のモル比が０．５〜５である第１工程と、上記モル比が２〜１０であって第１工程における上記モル比より大きい第２工程とを、この順に含む。本発明によれば、透明導電膜の厚さが３００ｎｍ〜７５０ｎｍで、ヘイズ率が１５％以上である透明導電膜付き透明基体を提供できる。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】カソードの製造方法において、炭素材料をチタン基板の一部分上に堆積させるステップと、堆積させた材料及びチタン基板を減少した圧力及び（又は）化学的に不活性な保護ガスの下にて約６００℃ないし約１０００℃の範囲にて加熱し、チタンと炭素材料との境界面に炭化チタン層を形成するステップと、約０．１時間ないし４時間の範囲、２００℃ないし５００℃の範囲の温度にて酸素を含む雰囲気中で加熱することにより堆積させた炭素材料を活性化するステップとを備える、カソードの製造方法である。
（もっと読む）

ナノサイズヒータ付きノズルは、原料ガスを基板Ｗに向けて局所的に供給するためのノズルと、ノズルの側面に設けられた一対の電極と、カーボンナノチューブ等からなるナノサイズヒータなどで構成され、ナノサイズヒータは、ノズルの開口部を横切るように各電極にそれぞれ接続され、通電によって原料ガスを加熱する。
こうした構成によって、基板上の限定された領域において、局所的な成膜を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】 金属−カルボニルプリカーサからの金属層の低圧堆積を提供することである。
【解決手段】 半導体基板上に熱化学気相成長（ＴＣＶＤ）プロセスによって金属層を堆積させる方法は、処理チャンバに金属カルボニルプリカーサを含むプロセスガスを導入することと、基板上に金属層を堆積させることとを含む。ＴＣＶＤプロセスは、低い抵抗率の金属層を形成するように、基板上方の処理ゾーン内のガス種の短い滞留時間を利用する。本発明の実施形態において、金属カルボニルプリカーサは、Ｗ（ＣＯ）_６、Ｎｉ（ＣＯ）_４、Ｍｏ（ＣＯ）_６、Ｃｏ_２（ＣＯ）_８、Ｒｈ_４（ＣＯ）_１２、Ｒｅ_２（ＣＯ）_１０、Ｃｒ（ＣＯ）_６、およびＲｕ_３（ＣＯ）_１２のプリカーサの少なくとも１つから選ぶことができる。 （もっと読む）

堆積方法は、基板上の被覆のプラズマ強化化学的気相成長のために、熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）のチャンバ内のターゲットプロセス状態を決定することを含み、発生器（１０２、２０２）は、カソード（１０６、２０６）、取り替え可能なカスケードプレート、及び同心オリフィスを有する発生器（１０８、２０８）を備え、堆積方法はさらに、カスケードプレートを、識別されたターゲットプロセス状態を生じるように構成されたオリフィスを有する他のプレートと取り替えることと、プラズマ発生器（１０２、２０２）にプラズマガスを提供することによってターゲットプロセス状態でプラズマを生成し、且つ発生器（１０２、２０２）内のカソード（１０６、２０６）と発生器（１０８、２０８）との間でアーク内のプラズマガスをイオン化し、且つ堆積チャンバにおいて基板上にプラズマとしてガスを膨張することとを含む。制御可能なプラズマを生成するための堆積装置（１００）であって、大気圧下の圧力で維持されるように構成される堆積チャンバと、堆積チャンバ内の物品支持体と、カソード（１０６、２０６）、単一のカスケードプレート、発生器（１０８、２０８）、及び１ｍｍ〜２０ｍｍ未満の長さのオリフィスを有する、カスケードプレートを介する連絡オリフィスを備える熱膨張プラズマ発生器（１０２、２０２）とを備える。 （もっと読む）

酸化物薄膜の酸素欠損の低下とエピタキシャル成長との促進を図ることにより、優れた特性を有する酸化物薄膜を製造する薄膜製造方法であって、原料ガス、キャリアガス及び酸化ガスを混合して得た混合ガスを、加熱手段により原料の液化、析出、成膜が起こらない温度に維持されたガス活性化手段を通してシャワープレートから反応室内の加熱基板上に供給して反応させ、基板上に酸化物薄膜を製造する。その際、酸化ガスの割合を混合ガス基準で６０％以上とする。また、核形成による初期層を形成する場合、その成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％未満とし、その後の成膜プロセスにおける酸化ガス流量割合を６０％以上として行う。また、酸化物薄膜製造装置において、混合器とシャワープレートとの間に加熱手段を備えてなる。 （もっと読む）

エピタキシャル層を基板（３）上に成長させるための回転ディスク式反応器（１）において、ディスクの回転軸から異なる半径方向距離にある基板に向かうガスが、実質的に同一の速度を有する。軸から離れたディスクの部分（１０ａ）に向かうガスは、軸に近いディスクの部分（１０ｄ）に向かうガスよりも、高濃度の反応ガス（４）を含むとよく、これによって、軸（１４）から異なる距離にある基板表面の部分は、単位面積当りにつき、実質的に同一量の反応ガス（４）を受ける。所望の流れパターンが反応器内において達成され、基板へのエピタキシャル層の均一な堆積と成長を可能にする。

（もっと読む）

熱プラズマを生成するプラズマ生成装置（３１６）と、プラズマ生成装置（３１６）から熱プラズマを受け取り且つプラズマ処理チャンバ（３１８）内で熱プラズマを膨張させるためにプラズマ生成中にプラズマ生成装置（３１６）よりも低い圧力をプラズマ処理チャンバ（３１８）に維持するプラズマ生成装置（３１６）の外部のプラズマ処理チャンバ（３１８）と、熱プラズマを誘導結合する誘導子システム（３３０、３３２、３３３）とを含むプラズマ生成システム（３００）が提供される。 （もっと読む）