【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】バルク全体にわたって低抵抗化が可能な高品質のｐ型ドーパントを含む窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶成長方法においては、ｐ型ドーパントを含む、組成変調のない（III族元素と窒素元素の組成比が一定の）III族窒化物系半導体を結晶成長させるプロセスにおいて、Ｍｇなどのドーパントの原料供給量（例えばＣｐ_２Ｍｇ）を実質的に一定に維持する一方、III族元素の原料供給量（例えばＴＭＧ）を連続的に増大させるという工程が設けられる。この方法により、ドーパント原料供給量とIII族元素原料供給量を何れも一定とした場合に比較して、結晶中でのドーパント濃度の深さ方向プロファイルを均一化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】ＲｕチャンバＦ１は、基板Ｓを還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、その還元性ガス雰囲気にビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム錯体を含む原料を供給して基板Ｓにルテニウム膜を形成する。そして、熱処理チャンバＦ２は、ＲｕチャンバＦ１から搬送される基板Ｓをさらに加熱する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により酸化亜鉛薄膜を製造する方法であって、酸素欠損による抵抗値低下の少ない高抵抗値を有する酸化亜鉛薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】亜鉛錯体および酸素源を用いて化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）により酸化亜鉛薄膜を製造する方法であって、成膜の工程の後、成膜基板を、高酸素分圧下、高温で保持する工程を含む方法；ならびに化学気相蒸着法により製造した酸化亜鉛薄膜の抵抗値を上昇させる方法であって、酸化亜鉛薄膜を成膜した基板を、高酸素分圧下、高温で保持する工程を含む方法。 （もっと読む）

【課題】熱の影響による発光量の低下に起因する光エネルギー効率が低いという問題が生じずに安定した性能を維持することができるアニール装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷが収容される処理室１と、ウエハＷの面に面するように設けられ、ウエハＷに対して光を照射する複数のＬＥＤ３３を有する加熱源１７ａ，１７ｂと、加熱源１７ａ，１７ｂに対応して設けられ、発光素子３３からの光を透過する光透過部材１８ａ，１８ｂと、光透過部材１８ａ，１８ｂの処理室１と反対側を支持し、加熱源１７ａ，１７ｂに直接接触するように設けられた高熱伝導性材料からなる冷却部材４ａ，４ｂと、冷却部材４ａ，４ｂを冷却媒体で冷却する冷却機構とを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。
【解決手段】銅に添加金属を添加した合金膜を、基板表面の層間絶縁膜における凹部の壁面に沿って形成する工程と、次いで、前記添加金属と層間絶縁膜の構成元素との化合物からなるバリア層を形成すると共に余剰の添加金属を合金膜の表面に析出させるために、有機酸、有機酸無水物またはケトン類を含む雰囲気で基板を加熱する工程と、凹部に銅を埋め込む工程と、を含むように半導体装置の製造方法を実施する。有機酸、有機酸無水物及びケトン類は銅に対して還元性を持つため、合金膜に含まれる銅の酸化を抑えつつ、添加金属と絶縁膜中の構成元素との化合物からなるバリア層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハにおけるスリップの発生を防止するとともに、ウェハ−治具間の接触面における熱引けの発生を防止して、製造歩留を向上することのできる熱処理用治具を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを支持するための熱処理用治具１０である。半導体ウェハの平面部と接触して支持する接触面を有する複数の凸部１が設けられている。凸部１の、半導体ウェハの平面部と接触する接触面の周縁部は、曲面状に形成されていることが好ましく、また、凸部１の壁面についても、曲面状に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 極めて低い誘電率を有するホウ素炭素窒素膜を成膜することができる
成膜装置を提供すること。
【解決手段】 成膜室１内にプラズマを生成するプラズマ生成手段２と、窒素、ホウ素および炭素材料を導入する導入手段５，９，１０と、プラズマの下部または内部に基板６１を保持する手段６と、基板保持部を昇温する昇温手段７とを備えることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、低誘電率ホウ素炭素窒
素薄膜を成膜することができる成膜方法を提供することを日的とすること。
【解決手段】前記課題を解決するための本発明の成膜方法は、成膜室内にプラズ
マを生成し、成膜室内で窒素原子をホウ素および炭素と反応させ、基板にホウ素
炭素窒素膜を成膜した後、光照射を行う工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温で簡単な工程で製造された優秀な特性を有する低価のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のｐ型ＺｎＯ半導体膜の製造方法は、基板を準備し、チャンバー内に配置する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と酸素前駆体を注入し、原子層蒸着法を利用した亜鉛前駆体と酸素前駆体間の表面化学反応を通じて基板上にＺｎＯ薄膜を形成する段階と、チャンバー内に亜鉛前駆体と窒素前駆体を注入し、亜鉛前駆体と窒素前駆体間の表面化学反応を用いてＺｎＯ薄膜上にドーピング層を形成する段階とを含む。半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

約８００℃未満の温度でエピタキシャルＡｌＧａＮ層を調製するための方法が提供される。包括的には、基板が、エピタキシャルＡｌ_xＧａ_1-xＮ層を形成するのに適した温度と圧力で、Ａｌ源の存在下で、Ｈ₂ＧａＮ₃、Ｄ₂ＧａＮ_sまたはそれらの混合物と接触させる。さらに、基板の上方に形成された、複数の反復合金層を含むスタックを備え、複数の反復合金層は２つ以上の合金層の種類を有し、少なくとも１つの合金層の種類はＺｒ_zＨｆ_yＡｌ_1-z-yＢ₂合金層からなり、ｚとｙの合計は１以下であり、スタックの厚さは約５０ｎｍより大きい、半導体構造が提供される。 （もっと読む）

微孔性炭素材料は、０．１〜１０ナノメートルの平均孔径を有し、そして１マイクロメートル超の孔（１１０）を実質的に含まない、多孔性炭素骨格（１１５）を含んでなる。微孔性炭素材料の生成方法も開示される。
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【課題】半導体ウエハまたは基板のアクティブ層を一様に加熱する方法及び制御可能に加熱する方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体ウエハまたは基板のアクティブ層を一様に加熱する方法及び制御可能に加熱する方法では、放射エネルギー源２０２を、反射／吸収表面によって概ね取り囲まれる反射室内に封入し、放射エネルギー源２０２より発光される放射エネルギーをスリット２２２を通してビームとして出力し、基板の表面に衝当させ、アクティブ層を加熱する。スリットの形状によって基板に衝当される放射エネルギーの量を適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】高速アニール処理や頻繁なクリーニング処理を必要とすることなく、不純物含有量の少ないアモルファス薄膜を基板上に効率良く形成する事が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４を反応室１内に搬入する工程と、前記反応室内に原料を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、前記反応室内に反応物を供給する工程と、前記反応室内をパージする工程と、を複数回繰り返すことにより基板上に膜を形成する工程と、前記膜形成後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記原料は酸素原子とハフニウム原子を含む原料を含み、前記膜はハフニウムを含む膜であり、前記原料を供給する工程では、基板温度を４００℃以上４５０℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】使用の当初の摩擦係数を低下させることにより、安定した摺動特性を長時間有する硬質炭素被膜を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】炭化水素系ガスを用いたプラズマ気相合成法によって、アモルファス状の炭素膜又は水素化炭素膜からなり、その表面にＣ−Ｈｘ結合（ｘ＝１，２，３）を有する硬質炭素被膜を形成した基材に、真空中又は所定のガス雰囲気中で、１００〜４００℃で熱処理することにより、硬質炭素被膜表面のＣ−Ｈｘ結合（ｘ＝１，２，３）を減少させる表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】脱水素処理時間が短いアモルファスシリコン薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気中で基板４表面にＣＶＤ法によってアモルファスシリコン薄膜を形成した後、その基板４を真空雰囲気中に置いたまま、アモルファスシリコン薄膜を形成したときの温度以上に昇温させ、脱水素処理を行う。基板温度が低下しないうちに真空雰囲気で脱水素処理がされるので、処理時間が短くて済む。その場合、基板４を移動させながら赤外線２２を照射して脱水素処理を行うようにすると、アモルファスシリコン形成装置１を小型化できる。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体プロセスに関する。より具体的には、本発明は、化学気相成長法によって形成される金属含有膜を半導体素子に集積する方法に関する。
【解決手段】 たとえばゲートスタックのような、半導体素子中の金属含有膜を集積する方法。一の実施例では、当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する手順、その基板をタングステンカルボニル含有ガスに曝露することによって、その基板上に、第１基板温度でタングステン含有膜を成膜する手順、第１基板温度よりも高温である第２基板温度でタングステン含有膜を熱処理することで、そのタングステン含有膜から一酸化炭素を除去する手順、及びその熱処理されたタングステン含有膜上にバリヤ層を形成する手順、を有する。タングステン含有膜の例には、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉ、及びＷＣが含まれる。他の実施例は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃｒ又はＲｕを含む金属含有膜を、各金属元素に対応した金属カルボニル先駆体から堆積する手順を有する。 （もっと読む）

【課題】加工が容易な超伝導体がＹＢＣＯベースで得られる方法を提供する。
【解決手段】ワイヤ状の導体を製造するため、帯状体（２）として存在する配向組織化された金属製基材と、円形の断面を持って長く延びる金属製支持体（１）とを用い、まず、金属製基材の長手方向において、金属製基材を金属製支持体の周りで成形して、長手方向に延びる両エッジが１本のスリット（４）に接して並ぶスリット管（３）とする。続いてこのスリット管を、スリットの溶接によって閉じる。閉じられた管（９）を、つぎに金属製支持体に密着するまで引き抜き加工する。つぎに超伝導性ＹＢＣＯ材料からなる層（１２）で、閉じられた管の周りを被覆し、最後に熱処理を行う。 （もっと読む）