【課題】従来に比べ、離型性、耐久性に優れた皮膜を提供すること。離型性、耐久性に優れた型を提供すること。
【解決手段】膜表面１０ａでＦ濃度が最大であり、膜裏面１０ｂでＦ濃度が最小であるＳｉ含有炭素膜１０とする。Ｆ濃度は、膜表面から膜裏面にかけて傾斜していることが好ましい。膜表面は、接着材料および／または粘着材料と接触させて好適に使用することができる。また、型表面にＳｉ含有炭素膜１０が積層された型とする。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で且つ高密度なルテニウム含有薄膜を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 混色により白色となる２色以上の発光部を、単一の発光層内に、任意の面積比率で緻密に形成することができる白色ＬＥＤの製造装置と方法を提供する。
【解決手段】 基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。加熱用レーザ光２１は、成長基板のバンドギャップより大きいエネルギー範囲の波長を有する。加熱レーザ照射装置２０は、加熱用レーザ光２１を基板２上で１次元もしくは２次元的に照射するレーザ照射光学装置２３を備え、基板上の一部に加熱用レーザ光を局所的に照射し、発光層成膜時に、同一発光層１に混色により白色となる複数の発光部１ａ，１ｂ，１ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】金属膜中の不純物が少ない高品質な金属膜を形成する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給する原料ガス供給ライン１０と、処理室２０１内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給ライン３０と、処理室２０１内を加熱するヒータ２０６と、所定の処理温度に設定された処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給してウエハ２００上に所定膜厚の金属膜を形成し、前記所定の処理温度と同一の処理温度に設定された処理室２０１内に水素含有ガスを供給することにより前記金属膜を熱処理し、これを１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより目標膜厚の金属膜を形成するように、ヒータ２０６、原料ガス供給ライン１０及び水素含有ガス供給ライン３０を制御するコントローラ２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低い等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および低い漏洩電流を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを提供する。
【解決手段】低温原子層堆積（ＡＬＤ）法を用いて、Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３ベースの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシタを製造する方法が開示される。好ましくは、下部電極を形成するためにＴｉＮが用いられる。キャパシタのＳｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層でのＳｒ／Ｔｉ比率は、キャパシタの電気的特性を調整するために変化できる。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層の誘電率および漏洩電流は、このＳｒ_ｘＴｉ_１−ｘＯ_３誘電体層のＳｒ含有量とともに単調に減少する。Ｓｒ_ｘＴｉ_ｙＯ_３誘電体層とＴｉＮ下部電極との間の界面でのＳｒ含有量を増加させることによって、界面の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）をさらに低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ被覆膜が予め形成された部材同士を強固に接合することができるとともに、内部空間（中空部）に均一なＳｉＣ被覆層が形成されたＳｉＣ被覆カーボン部材及びＳｉＣ被覆カーボン部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ被覆カーボン部材１は、少なくとも表面にＳｉＣ被覆膜が形成された複数のカーボン基体２ａ，３ａを接合したＳｉＣ被覆カーボン部材であって、前記カーボン基体２とカーボン基体３の接合層が、単一の層からなるＳｉＣ被覆膜２ｂ，３ｂで構成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶化しており、かつリーク電流も小さいジルコニア系膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とを交互的に複数回供給して基板上にＺｒＯ_２膜を成膜する工程と、処理容器内にシリコン原料と酸化剤とを交互的に１回または複数回供給して基板上にＳｉＯ_２膜を成膜する工程とを、膜中のＳｉ濃度が１〜４ａｔｍ％になるように供給回数を調整して行い、これら供給回数のＺｒＯ_２膜成膜とＳｉＯ_２膜成膜とを１サイクルとし、このサイクルを１以上行い所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 ＣＶＤ反応が生じる条件下で基板に対してジクロロシランを供給して、基板上に数原子層以下のシリコン膜を形成する工程と、ノンプラズマの雰囲気下で基板に対してアンモニアを供給して、シリコン膜のアンモニアによる窒化反応が飽和しない条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、を交互に繰り返すことで、化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、ＹＳＺ／Ｘ／ＹＳＺ材料であって、ＸがＹＳＺとは異なる材料である少なくとも３層のスタックを、基板上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）堆積する段階を含む、ＳＯＦＣ電池用電解質の製造方法に関する。
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【課題】低価格で低抵抗な炭化珪素半導体基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】０．０５μｍから２．００μｍの範囲の厚さを有する炭化珪素半導体基板の薄層１ｃと、該薄層１ｃの一方の主面に堆積される半導体機能領域形成用炭化珪素半導体層７と、前記薄層１ｃの他方の主面に堆積され支持基板となるグラファイト層４と該グラファイト層４の表面にコーティングされる炭化珪素組成薄膜５ａとを備える炭化珪素半導体基板とする。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】 高純度で良質なカーボン保護膜を一括して形成可能なカーボン膜成膜装置を得る。
【解決手段】 カーボン膜成膜装置を、酸素を含む炭化水素を気化する気化器と、気化器で気化された酸素を含む炭化水素ガスを導入するガス導入管（３１）と、ガス導入管により導入される酸素を含む炭化水素ガスを熱分解してウエハの全表面にカーボン保護膜を形成するための成膜炉（３２）で構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマダメージを与えることなく膜中の残留不純物を低減でき、膜の平坦性を向上でき、さらには、プリカーサの使用量を抑えつつ堆積速度を向上させることができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に高誘電率絶縁膜を形成す
る工程と、高誘電率絶縁膜上に窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程と、を有し、窒化アルミニウムチタン膜を形成する工程では、窒化アルミニウム膜の形成と、窒化チタン膜の形成と、を交互に繰り返し行い、その際、最初および／または最後に前記窒化アルミニウム膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ドーパントの活性化率の高いシリコンゲルマニウム膜を成膜するにあたり、シリコンゲルマニウム膜のマイグレーションを抑えること。
【解決手段】 反応容器内に処理ガスを供給すると共に処理雰囲気の温度を所定の温度に設定して基板上にシリコンゲルマニウム膜を成膜する工程（Ｐ４）と、次いで反応容器内に水素ガスを供給してシリコンゲルマニウム膜をアニールする工程（Ｐ５）と、その後、反応容器内を真空排気し続いてパージガスによりパージする工程を１回行うかまたは複数回繰り返す工程（Ｐ６）と、しかる後に基板を反応容器内から搬出する工程（Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気伝導がｐ形伝導であり、低抵抗率、且つ高硬度のるＤＬＣ薄膜材料を提供する。また、該ＤＬＣ膜の製造方法及び該ＤＬＣ膜を用いた工業製品を提供する。
【解決手段】周期律表の３族元素又は２族元素であるボロンやマグネシウム等のｐ形ドーパントをドーピングしないダイヤモンドライクカーボンであって、その電気伝導がｐ形伝導であることを特徴とする。低分子量炭化水素ガスの高濃度プラズマを発生させ、該放電プラズマに接するように被加工基材を設置し、該被加工基材の温度を２００℃以上に保持し、該被加工基材に１ｋＶ以上の正負又は負のパルス電圧を印加して前記被加工基材表面にｐ形伝導ＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の凹部が逆テーパ形状やオーバーハング形状を有する場合においても、埋め込み性や膜質の劣化を抑制しつつ、埋め込み絶縁膜の応力を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にトレンチ５を形成し、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜６を半導体基板１上に成膜し、埋め込み絶縁膜６の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜６を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜７を埋め込み絶縁膜６上に成膜し、埋め込み絶縁膜７の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜７を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内を完全に埋め込む埋め込み絶縁膜を埋め込み絶縁膜７上に成膜し、埋め込み絶縁膜の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜を熱処理する。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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【課題】界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に有機金属化合物を付着させ、重水を含む水よりなる酸化剤によって有機金属化合物を酸化させて金属酸化物薄膜を生成させる金属酸化物薄膜の成膜方法において、該水の金属不純物濃度が１ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。この水は、浄化装置１５において、ＵＶ及び混床イオン交換樹脂によって浄化処理される。 （もっと読む）