マイクロエレクトロニック構造を形成する方法が記述される。それらの方法は、基板上にダイヤモンド層を形成し、そこではダイヤモンド層の一部が欠陥を含み、その後、ダイヤモンド層から欠陥を除去することによってダイヤモンド層内に空孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】シード堆積プロセス１３０において、第一温度でシリコン含有表面上にゲルマニウムのシード層を堆積させることを含む方法。該シード層は、約１モノレイヤーと約１０００Åの間の厚みを有する。該方法はさらに、該シード層堆積後、温度ランププロセス１４０においてゲルマニウムを堆積し続けながら該反応チャンバーの温度を上昇させることを含む。該方法はさらに、バルク堆積プロセス１５０においてゲルマニウムを堆積し続けながら、第二温度範囲で該反応チャンバーを保持することを含む。該第ニ温度範囲は該第一温度より高い。 （もっと読む）

本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式（I）で表されるものであり、ＣＶＤ法等の化合物を気化させて薄膜を形成する方法に用いられる薄膜形成用原料に適するものである。また、本発明の薄膜形成用原料は、該アルコキシド化合物を含有してなるものであり、本発明の薄膜の製造方法は、該薄膜形成用原料を気化させて得たアルコキシド化合物を含有する蒸気を基体上に導入し、これを分解及び／又は化学反応させて基体上に薄膜を形成するものである。
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本発明の金属化合物は、下記一般式（I）で表されるもので、融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、しかも他の金属化合物と混合しても配位子交換や化学反応により変質せず、金属化合物を気化させて薄膜を形成するＣＶＤ法等の薄膜製造方法に用いられる原料に適している。
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【課題】
【解決手段】カソードの製造方法において、炭素材料をチタン基板の一部分上に堆積させるステップと、堆積させた材料及びチタン基板を減少した圧力及び（又は）化学的に不活性な保護ガスの下にて約６００℃ないし約１０００℃の範囲にて加熱し、チタンと炭素材料との境界面に炭化チタン層を形成するステップと、約０．１時間ないし４時間の範囲、２００℃ないし５００℃の範囲の温度にて酸素を含む雰囲気中で加熱することにより堆積させた炭素材料を活性化するステップとを備える、カソードの製造方法である。
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本発明は、薄膜蒸着方法を提供する。ウェーハブロック上に基板をローディングする基板ローディングステップと、基板ローディング後に第１反応ガス及び熱的に活性化された第２反応ガスを、第１噴射孔及び第２噴射孔を介して基板上に噴射することによって薄膜を蒸着する薄膜蒸着ステップと、薄膜蒸着ステップ以後、水素原子を含む熱処理ガスを流して、薄膜内に含まれた不純物の含量を減らす後処理ステップと、後処理ステップ以後、薄膜が蒸着された基板をウェーハブロックでアンローディングするアンローディングステップと、を含み、ここで、第２反応ガスは、ガス加熱流路部を経る前にＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_２の温度を有するとき、Ｔ_２が前記Ｔ_１より大きく、熱処理ガスは、ガス加熱流路部を経る前のＴ_１の温度を、そして、そのガス加熱流路部を経た後にＴ_３の温度を有するとき、Ｔ_３がＴ_１と同じであるか、または大きいことを特徴とする。
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４．０ ＧＰａを超える圧で焼なましされ１５００度Ｃを超える温度に加熱されるマイクロ波プラズマ化学蒸着により成長した、１２０ ＧＰａより大きい硬さ(hardness)を有する単結晶ダイヤモンド。硬い単結晶ダイヤモンドを製造する方法は、単結晶ダイヤモンドを成長させ、１２０ ＧＰａを超える硬さを有するように４．０ ＧＰａを超える圧および１５００度Ｃを超える温度で単結晶ダイヤモンドを焼なましすることを含む。
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１以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の１以上のパルスと窒素含有化合物の１以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の１以上のパルスと還元剤の１以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 （もっと読む）